一种N型背接触双面太阳能电池的背面电极结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种N型背接触双面太阳能电池的背面电极结构，包括设于N型硅片背面的N电极和P电极；所述N电极由至少2根平行的主栅线和至少40根平行的副栅线组成；所述主栅线与副栅线垂直相交；所述P电极包括至少2个连接电极；各个连接电极处设有通孔，通孔内设有金属化浆料，其一端与硅片的正面电极结构连接，另一端构成所述连接电极；所述N电极的主栅线和副栅线与P电极的连接电极之间相互绝缘。本实用新型专利技术设计了一种适用于N型背接触双面太阳能电池的背面电极结构，其结构合理，工艺易于实现，成本较低，且具有良好的可操作性、实用性，适于推广应用。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种N型背接触双面太阳能电池的背面电极结构，属于太阳能应用

技术介绍
常规的化石燃料日益消耗殆尽，在所有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳能电池中，硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时硅太阳能电池相比其他类型的太阳能电池，有着优异的电学性能和机械性能，硅太阳能电池在光伏领域占据着重要的地位。因此，研发高性价比的硅太阳能电池已经成为各国光伏企业的主要研究方向。 现有的硅太阳能电池采用的硅片基底主要包括P型和N型两种硅片。和以P型硅片为基底制造的太阳能电池相比，由于N型硅片中没有B-O复合对，以N型硅片为基底制造的太阳能电池没有明显的光衰减现象；并且N型硅片的少子寿命高于P型硅片，因此N型硅太阳能电池得到了越来越多的关注。目前，以P型晶体硅为基底制作的丽T (Metal Wrap Through)太阳能电池可以比常规的P型晶体硅工业化电池有O. 3%以上的效率绝对值提升。现有的P型晶体硅MWT太阳能电池的背面电极结构通常是整面的铝背场，但这种背面电极结构并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种N型背接触双面太阳能电池的背面电极结构，其特征在于：包括设于N型硅片背面的N电极和P电极；所述N电极由至少2根平行的主栅线(1)和至少40根平行的副栅线(2)组成；所述主栅线与副栅线垂直相交；所述P电极包括至少2个连接电极(3)；各个连接电极处设有通孔，通孔内设有金属化浆料，其一端与硅片的正面电极结构连接，另一端与所述连接电极连接；所述N电极的主栅线和副栅线与P电极的连接电极之间相互绝缘。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨智，王栩生，章灵军，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，阿特斯中国投资有限公司，
类型：实用新型
国别省市：