一种测量关键尺寸的扫描电子显微镜校准用样品制造技术

本实用新型专利技术提供了一种测量关键尺寸的扫描电子显微镜校准用样品，包括衬底、第一氧化层、多晶硅结构、第二氧化层和氮化钽层，所述第一氧化层设在所述衬底上，所述多晶硅结构设在所述第一氧化层与所述第二氧化层之间，所述氮化钽层设在所述第二氧化层上，本实用新型专利技术通过多晶硅结构与氮化钽层的引入，尤其是氮化钽的引入，使得其有效地避免了“电荷效应”对校准用样品的影响，减少了碳氢化合物污染的淀积，增加了测量的准确性，提高了测量关键尺寸的扫描电子显微镜校准用样品的使用寿命。与此同时，通过第二氧化层的引入，有效避免了氮化钽与多晶硅的化学反应。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制程中用于设备校准样品，尤其涉及一种半导体制程中用于校准关键尺寸扫描电子显微镜(Critical DimensionScanning ElectronicMicroscope, CDSEM)的样品。
技术介绍
关键尺寸扫描电子显微镜(以下称CDSEM)是用于半导体制程中测量制作在晶圆上的图案的关键尺寸(以下称CD)的仪器。CDSEM需要用特定的标准样品进行校准，以使各个仪器的测量值相匹配和保持一致。在半导体器件的制作过程中，多晶硅栅极是最重要的一道制程，其关键尺寸⑶ 也是最小的，因此，一般是用多晶硅栅极(Poly Gate)结构样品作为校准⑶SEM的标准样品。选择它来两侧可以反应机台的性能，但是在应用中常常遇到的问题是当被测标准样品晶片暴露于扫描电子显微镜(SEM)的电子束下时,其⑶会产生“电荷效应”(chargingeffect),使得图案出现扭曲、失真的情况。造成“电荷效应”(charging effect)的原因是，当电子束扫描样品时，使图案表面吸附上电荷而且产生电荷累积，这种电荷的累积也极易使得碳氢化合物污染淀积在图案的表面，使其在重复测量过程中得到的测量的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测量关键尺寸的扫描电子显微镜校准用样品，其特征在于：包括衬底、第一氧化层、多晶硅结构、第二氧化层和氮化钽层，所述第一氧化层设在所述衬底上，所述多晶硅结构设在所述第一氧化层与所述第二氧化层之间，所述氮化钽层设在所述第二氧化层上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林益世，李文慧，杨斯元，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：