多孔环绕型研磨液供应系统和研磨装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一个多孔环绕型研磨液供应系统和研磨装置，所述多孔环绕型研磨液供应系统包括供应管、循环管与隔离板，所述隔离板设置于所述研磨平台的部分周缘处，所述隔离板上相对研磨平台的侧壁上开设有若干小孔，所述隔离板为中空结构，所述小孔与隔离板的内部中空空间连通，所述供应管连接于所述隔离板的一端并与隔离板的内部中空空间连通，所述循环管的两端连接于所述隔离板的两端，且所述循环管与所述隔离板的内部中空空间形成一个回路。隔离板的存在避免了研磨过程中飞溅出的研磨液对其他化学机械研磨系统的污染；通过隔离板的中空结构与多孔的设计，实现了研磨液的均匀分布；通过循环管的使用，有效地起到了节约研磨液的作用。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造中的化学机械研磨
，尤其涉及一种化学机械研磨中的研磨液供应系统。
技术介绍
化学机械研磨(CMP)作为芯片加工中必不可少的一道工艺，不仅在晶圆制备阶段被采用，而且在晶圆加工工艺过程中也被用来做晶圆表面整体平整化。化学机械研磨法主要是利用机械式研磨原理，配合研磨液中的化学助剂与芯片表面高低起伏不定的轮廓加以磨平的平坦化技术。一般若各种制程的参数控制合适，化学机械研磨可提供被研磨表面达到94%以上的平坦度，但随着半导体行业的发展，集成电路制造业发展迅速，化学机械研磨 作为芯片加工中不可缺少的一道工艺也面临着越来越高的挑战。请参考图1，其为现有的化学机械研磨系统的示意图。现有机械研磨系统至少包括研磨头101、研磨平台102、研磨垫(图未示)、研磨液供应系统103和研磨液104,所述研磨垫设在研磨平台的上表面，所述研磨液供应系统103为一根传输研磨液104的管道，管道的开口悬于研磨平台102上方。需研磨的晶圆(图未示)吸附在研磨头101底部，向下按住研磨头101时，晶圆紧贴研磨垫,在研磨过程中,研磨平台102向同一方向旋转,研磨液104由研磨液供应系统101输送到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多孔环绕型研磨液供应系统，其特征在于：包括供应管、循环管与隔离板，所述隔离板设置于所述研磨平台的部分周缘处，所述隔离板上相对研磨平台的侧壁上开设有若干小孔，所述隔离板为中空结构，所述小孔与隔离板的内部中空空间连通，所述供应管连接于所述隔离板的一端并与隔离板的内部中空空间连通，所述循环管的两端连接于所述隔离板的两端，且所述循环管与所述隔离板的内部中空空间形成一个回路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：