一种清洗雾化喷射装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体晶片工艺技术领域，特别涉及一种清洗雾化喷射装置。该清洗雾化喷射装置，包括：上壳体、与上壳体连接的下壳体；上壳体为二阶圆筒状，包括第一阶壳体和第二阶壳体，第一阶壳体的横截面积小于第二阶壳体的横截面积；第一阶壳体设有可与功率放大器连接的电缆接头，第二阶壳体中设有换能器；下壳体的两侧壁设有通气孔隙，下壳体的中心位置设有雾化喷射通孔，通气孔隙与雾化喷射通孔相通且具有夹角。本实用新型专利技术提供的清洗雾化喷射装置，结构简单，集成度高，可有效实现喷射超微雾化液滴，在不损伤晶片表面图案的前提下，对晶片进行有效清洗，并最大程度的节约水资源。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种清洗雾化喷射装置，其特征在于，包括：上壳体、与上壳体连接的下壳体；所述上壳体为二阶圆筒状，包括第一阶壳体和第二阶壳体，第一阶壳体的横截面积小于第二阶壳体的横截面积，所述第二阶壳体中设有换能器；所述下壳体的两侧壁设有第二通气孔，所述下壳体的中心位置设有雾化喷射通孔，所述第二通气孔与雾化喷射通孔相通且具有夹角。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘效岩，吴仪，初国超，刘海晓，
申请(专利权)人：北京七星华创电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：