【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种晶体生长炉的气体导流装置以及基于该装置的晶体生长方法。
技术介绍
为缓解人类对能源的需求，低碳经济、节能减排、新兴能源等成为目前国内外大势所趋的研究及产业化方向。光伏发电及LED产业，分别以再生能源及节约能源为行业特点，成为绿色能源的典范。LED以寿命长，亮度高，节能等众多优势成为当前照明光源升级的主流方向，同时LED也是目前众多消费电子类产品的背光源。我国光伏产业及LED产业抓住有利契机，得到了大力发展。其中晶体硅光伏产业与LED产业具有很大的相似性，它们产业链相对较长，跨越了晶体生长，基片切割，芯片制 造，产品封装等等，产业链中上游是典型的高难度、高投入、高风险，在某些环节技术难度极大、工艺精度要求极高、对技术和设备的依赖极强，硅基片和蓝宝石基片分别为光伏发电和LED照明的基础，不同的基片质量决定了下游产品的良率及成本，又在一定程度上影响到芯片加工和器件封装，因此，衬底基片的技术路线必然会影响整个产业链的成本，是各个技术环节的关键。基片质量主要由其晶体生长过程所决定，同时晶体生长过程有很多因素决定，如热场高温环境，杂质的产生及输运等。硅晶体...
【技术保护点】
一种晶体生长炉的气体导流装置，其特征在于：它包括保护气体进气管（1）、石墨顶板（2）和顶板伸缩套管（3）；保护气体进气管（1）位于晶体炉中央，垂直贯穿晶体炉顶部和石墨顶板（2），止于石墨顶板（2）底面；石墨顶板（2）通过顶板伸缩套管（3）滑动连接在保护气体进气管（1）上；石墨顶板（2）由盖板（13）和顶板主体（14）组成，盖板（13）的宽度大于晶体炉内坩埚（8），顶板主体（14）的宽度小于坩埚（8）的宽度。
【技术特征摘要】
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