Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备制造技术

本发明专利技术公开一种Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备，该方法包括：（1）使用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯钛膜；（2）配置阳极氧化溶液；（3）将溅射有钛膜的Al2O3陶瓷片进行阳极氧化，获得高度有序的TiO2纳米管阵列。该方法克服必须使用钛片或者钛箔制备高度有序纳米管的缺陷，而是使用磁控溅射的方法获得很薄的一层钛膜，并对此进行阳极氧化而获得高度有序的TiO2纳米管阵列。本发明专利技术操作简便，反应条件温和，并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀，可用于大面积制备薄膜，适用于工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种一维纳米材料的制备，具体地说，涉及的是一种Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备方法。
技术介绍
纳米材料因具有小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应、宏观量子隧道效应、介电限域效应等特有性能，表现出常规材料所不具备的各种优越性能。TiO2具有较宽的禁带宽度(3. Oev)、高折射率和稳定的化学性能，又有着耐酸碱、耐氧化还原、耐光腐蚀、无毒低成本等优良特性。在太阳能的储存与利用、光电转换、光解水制氢特别是生物医学等方面具有广阔 的应用前景。TiO2纳米管具有大的比表面积，因而具有较高的吸附能力，可望提高TiO2的光催化性能。在生物材料领域，TiO2纳米管由于其良好的生物相容性、热稳定性和耐腐蚀性被认为很有发展前景，在药物埋植、组织工程、植入式给药系统、人工器官等领域有较大应用前景。目前制备TiO2纳米管的方法主要有模板法、水热合成法以及阳极氧化法。而需要获得高度有序的纳米管阵列，阳极氧化法是一种极为简便有效的方法。如中国专利公开号为101230479A的专利技术专利，该专利利用多步阳极氧化法制备梯度TiO2纳米管阵列薄膜的方法。该方法是以磷酸、氢氟酸、氟化铵本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备方法，其特征在于按以下步骤进行：（1）Al2O3陶瓷片清洗：依次用丙酮、酒精、去离子水超声清洗；（2）溅射钛膜：采用直流溅射钛靶，溅射气体为纯氩气；（3）配制阳极氧化溶液；（4）对步骤（1）中所得Al2O3陶瓷片在步骤（3）配制的溶液中进行阳极氧化，制备出高度有序的TiO2纳米管阵列。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张小秋，张柯，李文英，尹桂林，姜来新，余震，何丹农，
申请(专利权)人：上海交通大学，上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司，
类型：发明
国别省市：