一种用于直流弧放电高密度等离子体发生器的阳极底座制造技术

本实用新型专利技术涉及一种用于直流弧放电高密度等离子体发生器的阳极底座，包括放电腔室，其特征在于：阳极底座由阳极喷嘴设置在不锈钢方座上构成，阳极喷嘴的中心区域设置有等离子气体通道孔外圆柱面上设置有气体导向槽，气体导向槽内加工有雾化喷嘴。所述的不锈钢方形座内部加工有双层环形水冷槽，上端面加工有一冷却水进口和一冷却水出口。侧面设有一沉积气体通道孔并与环形槽相连，通道孔的初始端设有一沉积气体气嘴密封槽。由于采用多通道水冷槽，可以降低整个阳极底座温度，可以实现大功率情况下薄膜沉积。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的阳极底座结构，属于直流弧放电等离子体

技术介绍
相比辉光放电PECVD沉积技术，弧放电等离子体技术具有高沉积率(可达20nm/s)、SiH4气源利用率高(只是辉光放电PECVD技术的一半)和操作简单等优点。在弧放电等离子体发生装置中阳极是等离子体发生器热负荷最大的部分。研究表明在同样的中间电极和阳极长度的情况下，阳极的热损失比中间电极多2倍。随着功率的加大，阳极由于高密度电子的轰击需要承受很高的热负荷。为了尽量减少阳极喷嘴热烧蚀，通常需要在阳极部分设计水冷结构。目前通常在底座外面添加水冷铜管或在阳极底座内部设计一个环形水冷槽。但是大量实验表明大功率使用时，单一环形水槽散热不充分，容易造成邻近零部件在高温时失效；热烧蚀产生的杂质随等离子体沉积在样品表面影响薄膜质量。为了在实现在大 功率情况下实现稳定放电和获得高质量的薄膜，需要对目前单一环形水槽的阳极底座进行重新设计。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的阳极底座，该阳极底座适合在大功率环境下使用，用于提高薄膜沉积气体的利用率和沉积速率，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于直流弧放电高密度等离子体发生器的阳极底座，包括放电腔室，其特征在于：阳极底座由阳极喷嘴设置在不锈钢方座上构成，阳极喷嘴的中心区域设置有等离子气体通道孔外圆柱面上设置有气体导向槽，气体导向槽内加工有雾化喷嘴。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：芶富均，
申请(专利权)人：芶富均，
类型：实用新型
国别省市：