【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
(甲基)丙烯酸2-烷基-2-金刚烷酯为作为面向ArF用半导体用光致抗蚀剂的单体特别有用的基材,随着半导体加工的精细化,需要更高纯度的物质。由于烷基为碳原子数广3者可蒸馏纯化,所以以除去金属成分为目的而进行蒸馏纯化。由于它们属于聚合性物质,所以采用简单蒸馏或薄膜蒸馏。但是,作为面向抗蚀剂的高纯度单体,不仅聚合性杂质,而且进一步要求非聚合性杂质和重质成分也少。在专利文献I中,对(甲基)丙烯酸2-烷基-2-金刚烷酯进行蒸馏纯化,但仅凭 蒸馏无法除去沸点接近的成分,难以获得高纯度。专利文献2公开了通过进行2次(甲基)丙烯酸烷基金刚烷酯的蒸馏来获得高纯度品的制备,但由于进行2次蒸馏操作,所以暴露于高温中生成大量重质成分的危险性大。专利文献3公开了调整加热温度、时间实施薄膜蒸馏的方法。专利文献4公开了在杂环化合物、碱性化合物的存在下进行蒸馏,获得高纯度品的方法。有混入杂环化合物或碱性性化合物之虞。专利文献5添加2,4-双(正辛硫基)-6-(4-羟基_3,5_ 二叔丁基苯胺基)-1,3,5-三嗪等作为分解抑制剂和聚合抑制剂进行纯化。现有技术文献 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:河野直弥,田中慎司,上野山义崇,
申请(专利权)人:出光兴产株式会社,
类型:
国别省市:
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