一种铌酸钾/聚偏氟乙烯高介电复合材料的制备方法技术

一种铌酸钾/聚偏氟乙烯高介电复合材料的制备方法，属于介电复合材料技术领域。将聚偏氟乙烯加入DMF中，超声20~40min，得到聚偏氟乙烯的浓度为10~50wt%的透明溶液A；将铌酸钾加入到透明溶液A中，超声5~20min，把得到的悬浊液倒入玻璃皿中，置于80~120°C下烘干成膜，即可得到铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜B，铌酸钾与聚偏氟乙烯质量比为1∶9~5∶5；将铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜B折叠后放入热压模具中，然后将磨具放在粉末压片机上热压成型。本发明专利技术的复合材料介电常数较高、介电损耗较低、制备工艺简单、绿色环保的高介电常数聚合物基复合材料的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及铌酸钾/聚偏氟乙烯高介电复合材料的制备方法，该介电复合材料特别适用于电容器、铁电存储器等电子器件，属于介电复合材料

技术介绍
随着电子信息工业近几十年的快速发展，以低成本生产具有高介电常数、低介电损耗和易加工等优异性能的聚合物基复合材料成为工程电介质材料研究的热点和重点。基于传统的协同原理，发挥陶瓷的高介电性能和聚合物的韧性优点，将陶瓷材料和聚合物材料采用适当的配比复合，所得材料可以克服陶瓷材料自身的脆性和聚合物材料的温度限制，可以成倍提高复合材料的某些电性能。 目前，制备陶瓷/聚合物高介电复合材料经常选择的填料主要是钛酸铅(PbTiO3)体系材料和钛酸钡(BaTiO3)体系材料。由于钛酸铅基陶瓷及陶瓷与聚合物材料中的铅会给人类和生态环境造成严重损害，很多国家己经立法禁止使用含铅的电子材料。近几年，无铅电介质材料的研究和开发取得了长足的进步。2010年，Y. P. Mao等人对介电陶瓷/有机聚合物复合材料作了研究，制备出了介电常数为93的BaTi03/PVDF复合材料，但是材料的介电损耗值比较高。同时，BaTiO3的居里温度只有120° C，限制了材料的温度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铌酸钾/聚偏氟乙烯高介电复合材料的制备方法，包括以下步骤：1)按照铌酸钾与聚偏氟乙烯质量比为1∶9~5∶5，称取原料铌酸钾和聚偏氟乙烯粉体，其中铌酸钾颗粒尺寸为200~600nm。将聚偏氟乙烯加入N,N？二甲基甲酰胺(DMF)中，超声20~40min，使聚偏氟乙烯完全溶入N,N？二甲基甲酰胺中，得到聚偏氟乙烯的浓度为10~50wt%的透明溶液A；2)将已称量的铌酸钾加入到透明溶液A中，超声5~20min，把得到的悬浊液倒入玻璃皿中，置于80~120°C下烘干成膜，即可得到铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜B；3)将铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜B折叠后放入热压模具中，然后将磨具放在粉末压片机上，在温度...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：侯育冬，葛海燕，朱满康，刘晶冰，王如志，张铭，宋雪梅，汪浩，严辉，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：