一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法技术

本发明专利技术公开了一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法。本发明专利技术不采用任何催化剂，直接将金属钨原料加热至一定温度并保温，通过通入N2、Ar等惰性气体，控制氧化环境中的氧气含量低于10％。保温结束后自然冷却或通保护气体降温，即可得到三氧化钨纳米片。通过采用定域制备的金属钨薄膜，本发明专利技术可以实现定域制备三氧化钨纳米片。本方法可以在较低温度下不使用任何催化剂，在各种衬底上制备出三氧化钨纳米片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用热氧化法制备三氧化钨(WO3)纳米片的方法，属于纳米材料领域。
技术介绍
WO3是一种重要的半导体材料，在气敏、催化、光电转换、场发射等领域有重要的应用。具有二维结构的三氧化钨纳米片，因为其具有独特的光电特性，近年来越来越受到人们的关注。目前，二维结构WO3纳米片的制备方法主要包括化学合成、化学剥离或使用催化剂热氧化方法。其中化学合成的方法的报道较多。例如，陈德良等人专利技术了一种利用水热法制备三氧化钨纳米片的方法(中国专利技术专利ZL200710054544.6)，该方法以层状结构钨酸 (H2W2O7 · XH2O)和烷基胺(CH3 (CH2)nNH2)为原料，经过磁力搅拌反应和烘烤制备得到面积为(100-800) nmX (100-800) nm,表观厚度为 5_40nm 的 WO3 纳米片。Jinmin Wang 等人用 W 粉为原料，与H2O2化学合成的方法制备了 WO3的纳米片,纳米片的尺寸约为五百纳米 Mollie RWaller 等人米用化学剥离Bi2W2O9的方法制作了单晶WO3片状结构 0在用热氧化方法制备纳米片方面，目前只有北京大学的Ji本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法，其制备步骤如下：1)清洗衬底;2)在衬底上镀金属钨薄膜;3)将步骤2得到的样品放入可以加热的腔室中，往腔室内通入N2，或惰性气体，或氧气与N2，或氧气与惰性气体的混合气体,使腔室内氧气浓度降低至小于10%，所述惰性气体优选Ar气；4)腔室内温度升高至400℃~800℃，并保温，在此过程中，需通入N2或者Ar气；5)不通气自然降温或通惰性气体降温，直至室温。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈军，许卓，邓少芝，许宁生，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：