本实用新型专利技术公开了一种大功率低互调负载，包括低互调衰减单元和与低互调衰减单元输出端连接的小功率低互调绕线负载。本实用新型专利技术结构简单，采用低互调衰减单元对输入功率进行衰减，此种方式可以将低互调线缆的长度大大的减少，由于低互调衰减单元的衰减功率较大，而且成本较低，替代低互调绕线的方式有效的减少了低互调负载的生产成本；且低互调衰减单元的互调能达到-125dBc~-130dBc，低互调跳线的互调值一般在-150dBc以下，整个负载的互调值能达到-125dBc~-130dBc之间，满足了负载的低互调指标要求。同时低互调衰减单元的承受功率能达到400W，能满足负载的大功率应用的指标要求。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及低互调负载领域，具体是ー种大功率低互调负载。
技术介绍
随着微波通讯技术的发展，人们对宽频带，低互调的无源器件需求日增，其中低互调负载由于其适用范围广，需求更为迫切。负载广泛应用于微波系统中，是ー个单端ロ微波网络，替代终端在某一电路输出端ロ，接收功率。现有的构成射频微波功率负载的基本材料是电阻型材料。通过一定的エ艺把电阻材料放置到不同波段的射频电路结构中就形成了相应频率的负载。由于负载中的电阻是ー些金属氧化物合成，内部含有杂质，当微波从负载的输入端输入，从负载反射回来的信号会产生互调失真，互调失真是由杂散信号組成，正是由 于电阻的非线性因素而产生的。目前此种负载的三阶互调最小值在_120dBC。而且互调性能很不稳定。目前为了实现低互调的负载，通常通过低互调线通过绕线方式来解决，但是在大功率应用情况下，需要的低互调线大约要几十米甚至几百米，低互调线的成本较高，而且低互调线的功率容量较小，从而导致这样生产出来的产品的成本会很高，负载的功率容量被低互调线的功率容量所限制。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供ー种大功率低互调负载，其制作成本低，且保证了负载的低互调指标要求。本技术的技术方案为ー种大功率低互调负载，它包括低互调衰减単元和小功率低互调绕线负载；所述的低互调衰减单元是由电桥和两个大功率电阻组成，电桥包括电桥腔体和设置于电桥腔体内的两个导带，姆个导带的输入端和输出端分别连接于电桥腔体的一输入端和ー输出端上，两个大功率电阻分别与电桥腔体上的一输入端和ー输出端连接；所述的电桥腔体上未连接有大功率电阻的一输入端和ー输出端分别作为低互调衰减単元的输入端和输出端，所述的小功率低互调绕线负载连接于低互调衰减単元的输出端上。所述的低互调衰减単元为ー个或者多个，多个低互调衰减单元为相互串联连接的结构，即相邻的两个低互调衰减単元串联连接时，前一个低互调衰减単元的输出端与后一个低互调衰减単元的输入端连接。所述的两个大功率电阻设置于电桥腔体内且分别与同一导带的输出端和输入端连接，或分别与一个导带的输入端和另ー个导带的输出端连接。所述的低互调衰减単元的输入端和输出端上均设置有射频连接器。所述的电桥选用腔体3dB电桥或微带3dB电桥。所述相邻的多个低互调衰减単元串联连接时，前一个低互调衰减単元的输出端与后一个低互调衰减単元的输入端通过低互调跳线连接或者通过射频连接器对拧连接。本技术的优点本技术低互调衰减単元的采用了四端ロ电桥的结构，在电桥内部连接大功率电阻，用大功率电阻来分担功率，并通过对电桥进行调试使低互调衰减单元输出端输出后形成3dB的耦合度和插损，保证衰减后的输出功率为输入功率的一半，即输入端的功率等于输出端的功率和替代另ー输出端的电阻承担功率，电阻承担的功率转换成热能散发。此种方式可以将低互调线缆的长度大大的減少，由于低互调衰减単元的衰减功率较大，而且成本较低，替代低互调绕线的方式有效的減少了低互调负载的生产成本；本技术的低互调衰减単元单个互调能达到-125dBc _130dBc，低互调跳线的互调值一般在-150dBc以下，整个负载的互调值能达到-125dBc -130dBc之间，满足了负载的低互调指标要求。附图说明图I是本技术实施例I的结构示意图。图2是本技术实施例2的结构示意图。具体实施方式实施例I见图1，ー种工作频段在700MHz-2700MHz的100W低互调负载，包括第一低互调衰减单元、第二低互调衰减単元和25W低互调绕线负载3 ；第一低互调衰减単元包括有第一电桥腔体11，设置于第一电桥腔体11内的两个第一导带12、两个第一大功率电阻13组成；两个第一大功率电阻13分别焊锡连接于一第ー导带12的输入端和另ー第一导带12的输出端上，且每个第一导带12的输入端和输出端分别连接于第一电桥腔体11的一输入端和ー输出端上，即两个第一大功率电阻13分别替代第一电桥腔体11的一输入端和ー输出端，第一电桥腔体11上未连接有第一大功率电阻13的一输入端和ー输出端分别作为第一低互调衰减单兀的输入端和输出端,第一低互调衰减单元的输入端和输出端设置有第一射频连接器14和15 ；第二低互调衰减单元包括有第二电桥腔体21，设置于第二电桥腔体21内的两个第二导带22、两个第二大功率电阻23组成；两个第二大功率电阻23焊锡连接于同一第二导带22的输入端和输出端上，且每个第二导带22的输入端和输出端分别连接于第二电桥腔体21的一输入端和ー输出端上，即两个第二大功率电阻23分别替代第二电桥腔体21的一输入端和ー输出端，第二电桥腔体21上未连接有第二大功率电阻23的一输入端和ー输出端分别作为第二低互调衰减単元的输入端和输出端，第二低互调衰减単元的输入端和输出端设置有第二射频连接器24和25 ；第一低互调衰减单元输出端上的第一射频连接器15和第二低互调衰减单元输入端上的第二射频连接器24通过低互调跳线4连接，第二低互调衰减单元输出端上的第二射频连接器25和25W低互调绕线负载3之间通过射频连接器对拧连接。第一低互调衰减単元形成ー个3dB的耦合度衰减，第二低互调衰减単元形成ー个3dB的插损衰减,一进ー出的两个低互调衰减单元形成6dB的衰减量,低互调衰减单元起始输入端的功率为100W，经过两个低互调衰减単元后，剰余的功率只有25W，低互调负载3既能满足负载的功率要求，且只需要约20m的低互调绕线既能满足互调要求，減少了低互调线的成本。同时单个低互调衰减単元的互调能达到-125dB(T-130dBC，低互调跳线的互调值一般在-150dBc以下，整个负载的互调值能达到-125dBC -130dBC之间，满足了负载的低互调指标要求。实施例2见图2，ー种工作频段在700MHz-2700MHz的300W低互调负载，包括第一低互调衰减单元、第二低互调衰减単元、第三低互调衰减単元和40W低互调绕线负载4 ；第一低互调衰减単元包括有第一电桥腔体11，设置于第一电桥腔体11内的两个第一导带12、两个第一大功率电阻13组成；两个第一大功率电阻13焊锡连接于同一第一导带12的输入端和输出端上,且姆个第一导带12的输入端和输出端分别连接于第一电桥腔体11的一输入端和ー输出端上，即两个第一大功率电阻13分别替代第一电桥腔体11的 一输入端和ー输出端，第一电桥腔体11上未连接有第一大功率电阻13的一输入端和ー输出端分别作为第一低互调衰减単元的输入端和输出端，第一低互调衰减単元的输入端和输出端设置有第一射频连接器14和15 ；第二低互调衰减单元包括有第二电桥腔体21，设置于第二电桥腔体21内的两个第二导带22、两个第二大功率电阻23组成；两个第二大功率电阻23焊锡连接于同一第二导带22的输入端和输出端上，且每个第二导带22的输入端和输出端分别连接于第二电桥腔体21的一输入端和ー输出端上，即两个第二大功率电阻23分别替代第二电桥腔体21的一输入端和ー输出端，第二电桥腔体21上未连接有第二大功率电阻23的一输入端和ー输出端分别作为第二低互调衰减単元的输入端和输出端，第二低互调衰减単元的输入端和输出端设置有第二射频连接器24和25 ；第三低互调衰减単元包括有第三电桥腔体31，设置于第三电桥腔体31内的两个第三导带32、两个本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种大功率低互调负载，其特征在于：它包括低互调衰减单元和小功率低互调绕线负载；所述的低互调衰减单元是由电桥和两个大功率电阻组成，电桥包括电桥腔体和设置于电桥腔体内的两个导带，每个导带的输入端和输出端分别连接于电桥腔体的一输入端和一输出端上，两个大功率电阻分别与电桥腔体上的一输入端和一输出端连接；所述的电桥腔体上未连接有大功率电阻的一输入端和一输出端分别作为低互调衰减单元的输入端和输出端，所述的小功率低互调绕线负载连接于低互调衰减单元的输出端上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：唐伟，
申请(专利权)人：合肥威科电子技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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