本实用新型专利技术公开了一种X波段薄膜衰减器，其由介质基板、薄膜电阻Ra、薄膜电阻Rb、薄膜电阻Rc、金属层、接地孔构成，薄膜电阻Ra、薄膜电阻Rb并排相连，其底部与薄膜电阻Rc相连，三个薄膜电阻连接成T型结构，三个薄膜电阻和介质基板的搭接面构成三个带有金属层，搭接尺寸可调节的微带线宽度跳变区，介质基板背面和接地孔的全部镀有金属层。本实用新型专利技术与现有技术相比具有以下优点，这种X波段薄膜衰减器适用的频带宽，在6GHz-18GHz频带范围内衰减平坦度在0.5dB以内，输入、输出端驻波比均小于0.8，匹配良好，结构和制作简单，易于与单片之间进行金丝键合。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及ー种X波段薄膜衰减器，该衰减器适用于微波系统中信号传输功率的控制。
技术介绍
为了控制信号传输功率的大小，目前微波系统中通常要在系统中接入衰减器，传统的衰减器元件是PIN ニ极管和GaAs MESFET管，由于这类器件的工作频带较窄而且尺寸较大，使用范围受到限制。为了更好的増加衰减器的频带范围和缩小器件的尺寸，研制新型的薄膜衰减器就显得十分必要。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供ー种X波段薄膜衰减器，该X波段薄膜衰减器具有频带宽、匹配性好、尺寸小的优点。本技术采用以下技术方案该X波段薄膜衰减器由介质基板、薄膜电阻Ra、薄膜电阻Rb、薄膜电阻Re、金属层、接地孔构成，薄膜电阻Ra、薄膜电阻Rb并排相连，其底部与薄膜电阻Re相连，三个薄膜电阻连接成T型结构，三个薄膜电阻和介质基板的搭接面构成三个带有金属层，搭接尺寸可调节的微带线宽度跳变区，介质基板背面和接地孔全部镀有金属层。三个薄膜电阻的阻值均为50欧姆/方，介质基板可以选用相对介电常数为9. 8、厚度为0. 6mm的氧化铝。本技术与现有技术相比具有以下优点，这种X波段薄膜衰减器适用的频带宽，在6GHz-18GHz频带范围内衰减平坦度在0. 5dB以内，输入、输出端驻波比均小于0. 8，匹配良好，结构和制作简单，易干与单片之间进行金丝键合。以下结合附图和具体实施方式对本技术做进ー步说明。图I为X波段薄膜衰减器的总体结构图。图2为X波段薄膜衰减器的等效电路图。图中标号I、介质基板 2、薄膜电阻Ra 3、薄膜电阻Rb 4、薄膜电阻Re5、金属层6、接地孔7、电抗jXa 8、电抗jXb 9、电抗jXc10、微带线宽度跳变区 11、输入端ロ 12、输出端ロ。具体实施方式例I如图I所示，该X波段薄膜衰减器由介质基板I、薄膜电阻Ra2、薄膜电阻Rb3、薄膜电阻Rc4、金属层5、接地孔6构成，薄膜电阻Ra2、薄膜电阻Rb3并排相连，其底部与薄膜电阻Rc4相连，三个薄膜电阻连接成T型结构，三个薄膜电阻和介质基板I的搭接面构成三个带有金属层5，搭接尺寸可调节的微带线宽度跳变区10，介质基板I背面和接地孔6的全部都镀有金属层5。为了使衰减器工作在6GHz-18GHz的频率范围内，通过调节搭接区微带线的尺寸来实现。薄膜电阻的阻值均为50欧姆/方，为了满足耐功率要求，介质基板I的材料选用相对介电常数为9. 8、厚度为0. 6mm的氧化招。例2图2所示的是该X波段薄膜衰减器的等效电路图。其中的薄膜电阻Ra2、薄膜电阻Rb3、薄膜电阻Rc4和其与介质基板I的搭接处产生三个微带线宽度跳变区10，微带线的宽度跳变产生电抗jXa 7、电抗jXb8、电抗jXc9，三个附加电抗和三个薄膜电阻构成T型电路结构，薄膜电阻Ra2和电抗jXa 7串联，薄膜电阻Rb3和电抗jXb 8串联，薄膜电阻Rc4和电抗jXc 9串联。信号从输入端ロ 11输入，从输出端ロ 12输出，产生一定分贝值的功率衰减，具备宽频带特性。权利要求1.一种X波段薄膜衰减器，其特征是该X波段薄膜衰减器由介质基板(I)、薄膜电阻Ra (2)、薄膜电阻Rb (3)、薄膜电阻Re (4)、金属层(5)、接地孔(6)构成，薄膜电阻Ra (2)、薄膜电阻Rb (3)并排相连，其底部与薄膜电阻Re (4)相连，三个薄膜电阻连接成T型结构，三个薄膜电阻和介质基板(I)的搭接面构成三个带有金属层(5)，搭接尺寸可调节的微带线宽度跳变区(10 )，介质基板(I)背面和接地孔(6 )全部镀有金属层(5 )。2.根据权利要求I所述X波段薄膜衰减器，其特征是薄膜电阻Ra(2)、薄膜电阻Rb(3)、薄膜电阻Re (4)阻值均为50欧姆/方。3.根据权利要求I所述X波段薄膜衰减器，其特征是介质基板(I)选用相对介电常数为9. 8、厚度为O. 6mm的氧化招。专利摘要本技术公开了一种X波段薄膜衰减器，其由介质基板、薄膜电阻Ra、薄膜电阻Rb、薄膜电阻Rc、金属层、接地孔构成，薄膜电阻Ra、薄膜电阻Rb并排相连，其底部与薄膜电阻Rc相连，三个薄膜电阻连接成T型结构，三个薄膜电阻和介质基板的搭接面构成三个带有金属层，搭接尺寸可调节的微带线宽度跳变区，介质基板背面和接地孔的全部镀有金属层。本技术与现有技术相比具有以下优点，这种X波段薄膜衰减器适用的频带宽，在6GHz-18GHz频带范围内衰减平坦度在0.5dB以内，输入、输出端驻波比均小于0.8，匹配良好，结构和制作简单，易于与单片之间进行金丝键合。文档编号H01P1/22GK202651325SQ20122035300公开日2013年1月2日 申请日期2012年7月20日 优先权日2012年7月20日专利技术者王艳春, 惠鹏飞, 尚晓丽 申请人:齐齐哈尔大学本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种X波段薄膜衰减器，其特征是：该X波段薄膜衰减器由介质基板（1）、薄膜电阻Ra（2）、薄膜电阻Rb（3）、薄膜电阻Rc（4）、金属层（5）、接地孔（6）构成，薄膜电阻Ra（2）、薄膜电阻Rb（3）并排相连，其底部与薄膜电阻Rc（4）相连，三个薄膜电阻连接成T型结构，三个薄膜电阻和介质基板（1）的搭接面构成三个带有金属层（5），搭接尺寸可调节的微带线宽度跳变区（10），介质基板（1）背面和接地孔（6）全部镀有金属层（5）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王艳春，惠鹏飞，尚晓丽，
申请(专利权)人：齐齐哈尔大学，
类型：实用新型
国别省市：
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