【技术实现步骤摘要】
本技术涉及ー种X波段薄膜衰减器，该衰减器适用于微波系统中信号传输功率的控制。
技术介绍
为了控制信号传输功率的大小，目前微波系统中通常要在系统中接入衰减器，传统的衰减器元件是PIN ニ极管和GaAs MESFET管，由于这类器件的工作频带较窄而且尺寸较大，使用范围受到限制。为了更好的増加衰减器的频带范围和缩小器件的尺寸，研制新型的薄膜衰减器就显得十分必要。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供ー种X波段薄膜衰减器，该X波段薄膜衰减器具有频带宽、匹配性好、尺寸小的优点。本技术采用以下技术方案该X波段薄膜衰减器由介质基板、薄膜电阻Ra、薄膜电阻Rb、薄膜电阻Re、金属层、接地孔构成，薄膜电阻Ra、薄膜电阻Rb并排相连，其底部与薄膜电阻Re相连，三个薄膜电阻连接成T型结构，三个薄膜电阻和介质基板的搭接面构成三个带有金属层，搭接尺寸可调节的微带线宽度跳变区，介质基板背面和接地孔全部镀有金属层。三个薄膜电阻的阻值均为50欧姆/方，介质基板可以选用相对介电常数为9. 8、厚度为0. 6mm的氧化铝。本技术与现有技术相比具有以下优点，这种X波段薄膜衰减器适用的频带宽，在...
【技术保护点】
一种X波段薄膜衰减器，其特征是：该X波段薄膜衰减器由介质基板（1）、薄膜电阻Ra（2）、薄膜电阻Rb（3）、薄膜电阻Rc（4）、金属层（5）、接地孔（6）构成，薄膜电阻Ra（2）、薄膜电阻Rb（3）并排相连，其底部与薄膜电阻Rc（4）相连，三个薄膜电阻连接成T型结构，三个薄膜电阻和介质基板（1）的搭接面构成三个带有金属层（5），搭接尺寸可调节的微带线宽度跳变区（10），介质基板（1）背面和接地孔（6）全部镀有金属层（5）。
【技术特征摘要】
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