晶振片以及使用该晶振片的晶体振子制造技术

本发明专利技术涉及晶振片以及使用该晶振片的晶体振子。晶振片为棱部经倒角加工的俯视大致矩形的AT切割晶振片，谐振频率为7MHz以上且9MHz以下，所述矩形的长边和短边的各尺寸为1.5mm以上且2.4mm以下的范围，其中，至少主振动与副振动的频率差满足975kHz以上且1015kH以下的范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在晶体振子或晶体振荡器等晶体器件中使用的晶振片以及使用该晶振片的晶体振子。
技术介绍
AT切割晶体振子是用于各种通信设备等多种用途的电子部件。例如对于车载用途，使用晶体振子作为产生电子控制単元(ECU)的基准频率的定时器件。近年来，ECU基板的大小日益縮小。因此，搭载在基板上的晶体振子的搭载空间也向狭小化发展。作为晶体振子的外形尺寸，例如要求长3. 2mmX宽2. 5mm左右的薄型晶体振子。使用低频带的8. OOOMHz作为E⑶的基准频率的一例。 AT晶振片的振荡频率与晶振片的厚度成反比关系。因此，频率越低则晶振片的厚度越厚。所以，在低频带的8. 000MHz，使用的晶振片的厚度与高频带的晶振片相比变厚。一般而言，晶体振子为在容器体内部通过粘结材料等粘结支撑晶振片的端部的形态。如前所述，在晶振片变厚的低频带中，为使所述支撑区域中的振动能量衰减，与此同时将振动能量约束在形成于晶振片的表面和背面的中央区域的激励电极下以得到良好的串联电阻值，在晶振片的端部实施倒角加工(所谓的bevel加工)。在晶振片的倒角加工中，将研磨材料与晶振片封入加工容器内。在该状态下，在能够高速旋转的槽内放置多个所述加工容器。接下来，利用通过使加工容器高速旋转而产生的离心力。经倒角加工的晶振片的形状(倒角形状)被反映于谐振波形。具体而言，晶振片的主振动(谐振)和副振动(不需要的振动)的各频率分别根据倒角加工的推进而变化。因此，通过网络分析仪等确认主振动和副振动的位置(频率)从而能够进行倒角形状的管理。利用主振动与副振动的频率差进行管理的晶振片和倒角加工的管理方法在日本专利第4075046号、日本专利第4623321号、日本特开2007-335941号的各公报说明书中已公开。由所述公报说明书公开的AT切割晶振片的主振动的频率为26MHz，与8MHz的晶振片相比为薄的晶振片。具体而言，在同上公报说明书中，晶振片的厚度为65i!m左右。与此相対，当主振动的频率为8MHz吋，晶振片的厚度为208 u m左右，与26MHz的晶振片的厚度相比厚达3倍以上。如此，当晶振片变厚时通过适当的倒角加工来使振动能量衰减就变得更为重要。也就是,主振动的频率为8MHz (低频带)的晶振片与主振动的频率为26MHz的晶振片相比，倒角加工形状对特性的影响更大。例如，对于大小能够收容在俯视外形尺寸为长3. 2mmX宽2. 5mm、主振动频率为SMHz频带的表面贴装型晶体振子中的晶振片，串联电阻值为500欧姆以上，很难找到能够得到良好的串联电阻值的倒角形状。另外，用于稳定再现该倒角形状的定量性指标也并未找到。
技术实现思路
因此，本专利技术的主要目的是提供ー种在应对小型化的同时能够得到良好特性的晶振片以及使用该晶振片的晶体振子。本专利技术所涉及的晶振片的特征在于，在棱部 经倒角加工，且俯视形状为大致矩形，谐振频率为7MHz以上且9MHz以下，所述矩形的长边和短边的各尺寸为I. 5mm以上且2. 4mm以下的范围的晶振片中，在相对于王振动闻975kHz以上且1015kHz以下的范围的频率区域存在副振动。优选的形态为，在相对于主振动高995kHz以上且1015kHz以下的范围的频率区域存在副振动。 优选的形态为，长边被设定为所述晶振片的V轴方向，短边被设定为X轴方向。 优选的形态为，所述晶振片的长边尺寸为2. Imm以上且2. 4mm以下，短边尺寸为I.5mm以上且I. 75mm以下。优选的形态为，所述晶振片的短边尺寸为I. 61mm以上且I. 75mm以下。此外，所述晶振片存在多个副振动。在副振动中，例如有第一副振动和第二副振动。第一副振动是指高于主振动的频率、且位于最接近主振动的位置的副振动(不需要的振动)。第二副振动是指高于第一副振动的频率、且位于比第一副振动次接近主振动的位置的副振动。根据上述定义，当主振动与副振动的频率差为460kHz以上且480kHz以下吋，该副振动为第一副振动。当主振动与副振动的频率差为995kHz以上且1015kHz以下时，该副振动为第二副振动。第一和第二副振动的各振动模式因所述晶振片的轴向的设定而异。也就是，将晶体的X轴设定为所述晶振片的长边方向、将晶体的Z’轴设定为短边方向、将晶体的Y轴设定为厚度方向时，第一副振动为X方向的3次非谐振动，第二副振动为X方向的I次非谐振动。与此相对，将晶体的Z’轴设定为所述晶振片的长边方向、将晶体的X轴设定为短边方向、将晶体的Y轴设定为厚度方向时，第一副振动为X方向的I次非谐振动，第二副振动为X方向的3次非谐振动。本专利技术人得到了以下见解通过对晶振片进行倒角加工以满足主振动与第一副振动的频率差为460kHz以上且480kHz以下的范围内、或者主振动与第二副振动的频率差为975kHz以上且1015kHz以下的范围内的任意一方或双方，从而能够得到具有良好特性的晶振片。通过进行管理以使第一副振动或第二副振动的任意一方或双方分别落入主振动与第一副振动的频率差为460kHz以上且480kHz以下的范围内、或者主振动与第二副振动的频率差为975kHz以上且1015kHz以下的范围内，从而能够稳定地再现具有良好特性的晶振片的形状。另外，能够作为用于稳定地再现晶振片的倒角形状的定量性管理指标而有效利用。根据本专利技术，通过对晶振片进行倒角加工以使至少主振动与所述第二副振动的频率差为975kHz以上且1015kHz以下的范围内，优选为995kHz以上且1015kHz以下的范围内，从而能够得到具有良好特性的晶振片。另外，在使用该晶振片的晶体振子中，能够得到良好的串联电阻值以及优异的频率温度特性。具体而言，当晶振片的倒角形状不适当吋，不仅晶体振子的串联电阻值会恶化(升高)，而且对相对于温度变化的频率变化(频率温度特性)也会造成影响。根据本专利技术的晶振片，能够得到在良好的串联电阻值之外还具有优异的频率温度特性的晶体振子。这是由于通过着眼于容易更稳定地显现的第二副振动，从而能够使具有良好特性的晶振片的形状稳定地再现。在本专利技术中还可以优选为长边被设定为所述晶振片的V轴方向、短边被设定为X轴方向的晶振片。根据本专利技术，通过将长边设定为所述晶振片的V轴方向，从而能够得到具有更稳定的频率温度特性的晶体振子。具体而言，当分别将所述晶振片的长边设定为Z’轴方向、将 短边设定为X轴方向，经由粘结材料将短边端部与容器体内部粘结时，与将长边设定为所述晶振片的X轴方向时相比，能够更有效地防止所述晶振片的主振动与轮廓振动的耦合。当所述晶振片的主振动与轮廓振动耦合时，有时会发生频率的大波动(所谓的频率跃变)和串联电阻值的大波动。但是，由于根据本专利技术的晶振片能够防止主振动与轮廓振动的耦合，因此能够得到具有良好特性的晶体振子。这种情况下，优选地，所述V轴方向的长边被设定为2. Imm以上且2. 4mm以下的范围。更优选地，所述Z’轴方向的长边被设定为2. 19mm以上且2. 21mm以下的范围。本专利技术的晶体振子具有如下结构在所述晶振片的表面和背面，形成激励电极以及从该激励电极至少向所述晶振片的一端侧延伸出的连接电极，并且将该晶振片收容在容器体内部，将所述连接电极与所述容器体内部的搭载电极导电粘结。如果是使用上述晶振片的晶体振子，则能够得到良好的串联电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶振片，其中，棱部经倒角加工，且俯视形状为大致矩形，谐振频率为7MHz以上且9MHz以下，所述矩形的长边和短边的各尺寸为1.5mm以上且2.4mm以下的范围，在相对于主振动高975kHz以上且1015kHz以下的范围的频率区域存在副振动。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中西健太郎，
申请(专利权)人：株式会社大真空，
类型：发明
国别省市：