【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种传感器，具体涉及ー种霍尔零磁通大电流传感器的结构。
技术介绍
霍尔零磁通传感器的基本原理原边电流I1所产生的磁场，被通过副边二次线圈的电流I2产生的磁场所补偿，使得霍尔器件始终处于零磁通的工作状态。当传感器原副边匝数确定后，通过测量副边电流I2就可以精确的计算出原边电流ら。市场上的霍尔零磁通霍尔双向电流传感器，其控制器基于模拟电路设计的，传感器在測量电流时，晶体管导通，并输出一定的电流值来补偿一次回路电流产生的磁场。晶体管导通时工作在线性放大区，有较大的输出阻抗，流过电流时晶体管会产生热量。一般电 流传感器，有固定的匝比数，測量小电流时二次补偿电流值较小，晶体管的功耗低。可是在超过20KA大电流情况下，付边补偿线圈的电流就会很大，达到安培量级，这时晶体管的功耗非常大，几十瓦到百瓦都有可能，这么大的管耗在设计散热的时候，仅仅靠风冷就会非常难。另外，在大电流情况下，为了抵消一次电流的磁通势使传感器磁芯在零磁通状态下。采取的方法一个是增加二次补偿电流或者增加补偿线圈的匝数，这两种方法的最終都是要求提高控制器的电压等级。可一旦电压等级提升，传感器电路...
【技术保护点】
一种霍尔零磁通大电流传感器的结构，其特征在于：包括有上半部结构、下半部结构、连接部结构，所述的连接部结构包括有相同的上安装板、下安装板，所述的上安装板、下安装板的中间分别开有一个正方形孔洞作为磁芯安装孔，所述的磁芯安装孔的尺寸略大于磁芯截面，上安装板的下表面上设有数个圆形定位凸台，下安装板的上表面上设有数个与圆形定位凸台配合的圆形定位凹坑，所述的上安装板、下安装板的前端和后端分别设有两个挂耳，上安装板上的挂耳与下安装板上的挂耳位置相同，所述的上安装板、下安装板的四周分别设有多个攻丝孔一、攻丝孔二，攻丝孔一的方向与磁芯安装孔的方向垂直；所述的上半部结构包括有两块叠加的铝板，上...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王林森，王付胜，
申请(专利权)人：中国科学院等离子体物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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