零磁通霍尔大电流传感器磁芯安装结构制造技术

技术编号:8580088 阅读:327 留言:0更新日期:2013-04-15 04:13
本实用新型专利技术公开了一种零磁通霍尔大电流传感器磁芯安装结构,包括有相同的上安装板、下安装板,所述的上安装板、下安装板的中间分别开有一个正方形孔洞作为磁芯安装孔,磁芯安装孔的尺寸略大于磁芯截面,上安装板的下表面上设有数个圆形定位凸台,下安装板的上表面上设有数个与圆形定位凸台配合的圆形定位凹坑,上安装板、下安装板的前端和后端分别设有两个挂耳,上安装板上的挂耳与下安装板上的挂耳位置相同。本实用新型专利技术上下安装板的凹凸咬合,磁芯紧密接触,不会产生气隙,较好的解决了大电流传感器磁芯由于尺寸较大,安装过程中上下连接磁芯之间往往存在较大的气隙和位移的问题,避免了磁芯在连接处产生加大的漏磁。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及零磁通霍尔大电流传感器,具体涉及一种零磁通霍尔大电流传感器磁芯安装结构
技术介绍
传统的零磁通霍尔传感器在测量20KA传感器外壳设计时,一般按照5000:1的变比来折算。被测电流小,补偿线圈的匝数2500匝,两个线圈同名端串联就能够达到要求。根据电流传感器的磁势方程I1N1=I2N2,小电流情况下,付边补偿线圈的电流12也对较小,绕制线圈的漆包线的截面也比较小,所以最终的线圈的体积很小。线圈安装在壳体内部占用的空间有限,这样传感器的总体尺寸就会小。在电流30-100KA电流情况下,随着电流增加,匝比一定的情况下,二次线圈补偿电流12也会成比例线性增加。保证长时间稳定工作,可行的方法就是增加漆包线的截面积,使其流过电流的能力增加。这样传感器长时间工作时,二次补偿线圈的温度不会过高而导致绝缘层损坏,形成线圈的匝间短路。在保证匝数一定的情况下,线圈的直径增加显然绕制出来的补偿线圈体积也会增加很多。冶金化工行业包括ITER电源系统的工作电源很大,最小的测量电流在几十kA等级,最大可到几百kA。ITER直流测试平台的导体母排采用铝材料,截面尺寸是350mm*250mm,保证绝缘距本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种零磁通霍尔大电流传感器磁芯安装结构,其特征在于:包括有相同的上安装板、下安装板,所述的上安装板、下安装板的中间分别开有一个正方形孔洞作为磁芯安装孔,上安装板的下表面上设有数个圆形定位凸台,下安装板的上表面上设有数个与圆形定位凸台配合的圆形定位凹坑,所述的上安装板、下安装板的前端和后端分别设有两个挂耳,上安装板上的挂耳与下安装板上的挂耳位置相同。

【技术特征摘要】
1.一种零磁通霍尔大电流传感器磁芯安装结构,其特征在于包括有相同的上安装板、下安装板,所述的上安装板、下安装板的中间分别开有ー个正方形孔洞作为磁芯安装孔,上安装板的下表面上设有数个圆形定位凸台,下安装板的上表面上设有数个与圆形定位凸台配合的圆形定位凹坑,所述的上安装板、下安装板的前端和后端分别设有两个挂耳,...

【专利技术属性】
技术研发人员:王林森武旭
申请(专利权)人:中国科学院等离子体物理研究所
类型:实用新型
国别省市:

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