本发明专利技术涉及金针菇栽培技术领域，特别是涉及一种瓶栽金针菇培育方法，在本发明专利技术第一步芽出中，将温度、光照及以二氧化碳浓度为特征的通风量作为整体的控制调节系统，选择合适的参数值来调控金针菇菌丝；第二步抑制中，将风抑制、光抑制和温抑制有机结合来控制子实体的发育高度、菌柄韧性和菌盖大小；第三步发育中，提高了二氧化碳浓度，可得到菌盖均匀适中、菌柄垂直的金针菇。本发明专利技术结合金针菇生长特点合理利用光照、温度、湿度、二氧化碳浓度满足金针菇不同时期的生长需求，均衡控制整个生产过程，稳定品质，使培育得到的金针菇品质好、质量稳定、发育一致，而且金针菇菌盖均匀适中。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金针菇栽培
，特别是涉及ー种瓶栽金针菇培育方法。
技术介绍
食用菌エ厂中对于金针菇的栽培通常都采用瓶栽方式进行培育，然而现有的金针菇的后期出菇培育过程往往需要对培育金针菇不同时期的光照、温度、湿度和风量进行调节，目前的技术由于没有结合金针菇生产特点，根据不同时期采用不同參数的关于光照、温度、湿度和风量的控制调节系统，导致金针菇出菇速度不稳定、发育程度不一致、培育周期长、金针菇出菇质量參差不齐，影响食用菌企业在市场中的竞争力。
技术实现思路
本专利技术的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种金针菇品质好、质量稳定、发育一致，而且金针菇菌盖均匀适中的瓶栽金针菇培育方法。本专利技术的目的通过以下技术方案实现。，培育步骤如下 第一歩芽出 将骚菌后的金针菇培养瓶放进育菇房内，温度控制在1(T15°C，湿度控制在7(Tl00%，刚将金针菇菌丝放入育菇房时，保持足够的通风量，使ニ氧化碳浓度控制在150(T3000ppm，芽出第三天开始光照，光照强度为35(T450Lx，直到金针菇原基形成开始分化；其中，培育到金针菇原基形成并开始分化时将温度逐步下降到10. 5±0. 5°C，优选的，待培育到第八天金针菇原基形成并开始分化时将温度依次逐步下降到13. 50C、12. 50C、10. 50C。使金针菇保持芽出的一致性及韧性，防止高温造成的芽偏黄、偏软、无カ等现象； 本专利技术芽出步骤中，将温度、光照及以ニ氧化碳浓度为特征的通风量作为整体的控制调节系统，选择合适的參数值来调控金针菇菌丝的不仅芽出一致，而且韧性好，不发生芽黄、芽软无カ等现象。第二步抑制 育菇房内，温度控制在4 7 °C，湿度控制在8(T90%，ニ氧化碳浓度控制在200(T5000ppm，当金针菇高度为2. 5^3. 5cm,金针菇的菌盖在0. 15^0. 25cm时，用带状物或者纸筒包住金针菇子实体，使金针菇垂直生长；将风抑制、光抑制和温抑制有机结合来控制子实体的发育高度、菌柄韧性和菌盖大小，得到发育稳定，质量好的金针菇子实体。第三步生育 育菇房内，不进行光照，温度控制为6 8°C，湿度控制在8(T85%，ニ氧化碳浓度控制在500(T8000ppm。本专利技术金针菇生育步骤中，提高了ニ氧化碳浓度，可得到菌盖均匀适中、菌柄垂直的金针菇。优选的， 第一歩芽出将骚菌后的金针菇培养瓶放进育菇房内，温度控制在10. 5 14. 5°C，湿度控制在80^100%, ニ氧化碳浓度控制在200(T3000ppm，芽出第三天开始光照，光照强度为400Lx，第八天开始停止光照，直到金针菇原基形成开始分化；培育到第八天原基形成并开始分化时将温度依次逐步下降到13. 50C >12. 50C >10. 5°C，降温使金针菇保持芽出的一致性和韧性，防止高温造成的芽偏黄、偏软、无カ等现象； 第二步抑制 育菇房内，温度控制在4. 5^6. 5 °C,湿度控制在80、0%，ニ氧化碳浓度控制在300(T4000ppm，当金针菇高度为2. 8^3. 2c m,金针菇的菌盖在0. 18^0. 22cm时，用带状物或者纸筒包住金针菇子实体，使金针菇垂直生长； 第三步生育 育菇房内，不进行光照，温度控制为6 8°C，湿度控制在8(T85%，ニ氧化碳浓度控制在6000 7000ppmo其中，ニ氧化碳浓度通过调节通风量控制。其中，第二步抑制步骤中，当金针菇高度为3cm，金针菇的菌盖在0.2cm时，用胶片包住金针菇子实体。具体的，第一歩芽出步骤中， 第一天，温度14. 5±0. 5°C，ニ氧化碳浓度200(T3000ppm，湿度80 90%，不进行光照；第二天，温度14. 5±0. 5°C，ニ氧化碳浓度200(T3000ppm，湿度95 100%，不进行光照；第三天至第六天，温度14. 5±0. 5°C, ニ氧化碳浓度200(T3000ppm,湿度95 100%,姆天光照8小时，光照强度为400Lx ； 第七天，温度14. 5±0. 5°C，ニ氧化碳浓度200(T3000ppm，湿度90 95%，光照8小时，光照强度为400Lx ； 第八天，温度13. 5±0. 5°C，ニ氧化碳浓度200(T3000ppm，湿度90 95%，不进行光照； 第九天，温度12. 5 ±0. 5°C，ニ氧化碳浓度200(T3000ppm，湿度90 95%，不进行光照； 第十天，温度10. 5±0. 5°C，ニ氧化碳浓度200(T3000ppm，湿度90 95%，不进行光照。第二步抑制步骤中， 第一天，温度6. 5±0. 5°C，ニ氧化碳浓度300(T4000ppm，湿度85 90%，不进行光照； 第二天，温度6. 5±0. 5°C，ニ氧化碳浓度300(T4000ppm，湿度85 90%，不进行光照； 第三天，温度4. 5±0. 5°C，ニ氧化碳浓度300(T4000ppm，湿度85 90%，光照4小时； 第四天，温度4. 5±0. 5°C，ニ氧化碳浓度300(T4000ppm，湿度85 90%，不进行光照； 第五天，温度4. 5±0. 5°C，ニ氧化碳浓度300(T4000ppm，湿度85 90%，光照4小时； 第六天，温度4. 5±0. 5°C，ニ氧化碳浓度300(T4000ppm，湿度85 90%，不进行光照； 第七天，温度4. 5±0. 5°C，ニ氧化碳浓度300(T4000ppm，湿度80 85%，光照2小时； 第八天，温度4. 5±0. 5°C，ニ氧化碳浓度300(T4000ppm，湿度80 85%，不进行光照； 第九天，温度6. 5±0. 5°C，ニ氧化碳浓度300(T4000ppm，湿度80 85%，光照2小时； 第十天，温度6. 5±0. 5°C，ニ氧化碳浓度300(T4000ppm，湿度80 85%，不进行光照。第三步生育 第一天至第五天，温度6. 5±0. 5°C，ニ氧化碳浓度600(T7000ppm，湿度80 85%，不进行光照；第六天和第七天，温度7. 5±0. 5°C，ニ氧化碳浓度600(T7000ppm，湿度80 85%，不进行光照。其中，第三步生育步骤中中，当金针菇子实体的高度为16 18cm时，生育完毕，开始采收。本专利技术的有益效果在本专利技术第一歩芽出中，将温度、光照及以ニ氧化碳浓度为特征的通风量作为整体的控制调节系统，选择合适的參数值来调控金针菇菌丝的不仅芽出一致，而且韧性好，不发生芽黄、芽软无カ等现象。本专利技术的第二步抑制中，将风抑制、光抑制和温抑制有机结合来控制子实体的发育高度、菌柄韧性和菌盖大小，得到发育稳定，质量好的金针菇子实体。第三步生育中，提高了ニ氧化碳浓度，可得到菌盖均匀适中、菌柄垂直的金针菇。本专利技术结合金针菇生长特点合理利用光照、温度、湿度、ニ氧化碳浓度满足金针菇不同时期的生长需求，均衡控制整个生产过程，稳定品质，使培育得到的金针菇品质好、质 量稳定、发育一致，而且金针燕菌盖均勻适中。在培育金针燕后期出燕中，温度、光照、湿度及以ニ氧化碳浓度为特征的通风量的四个主要因素作为整体的控制调节系统，每个因素都不是简单独立影响金针菇出菇情况，有效将四个主要因素作为一整体，选择合适的參数才能有机结合得到质量好、本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种瓶栽金针菇培育方法，其特征在于：培育步骤如下，第一步：芽出将骚菌后的金针菇培养瓶放进育菇房内，温度控制在10~15℃，湿度控制在70~100%，二氧化碳浓度控制在1500~3000ppm，芽出第三天开始光照，光照强度为350~450Lx，直到金针菇原基形成开始分化；培育到金针菇原基形成并开始分化时将温度逐步下降到10.5±0.5℃；第二步：抑制育菇房内，温度控制在4~7℃，湿度控制在80~90%，二氧化碳浓度控制在2000~5000ppm，当金针菇高度为2.5~3.5cm，金针菇的菌盖在0.15~0.25cm时，用带状物或者纸筒包住金针菇子实体，使金针菇垂直生长；第三步：生育育菇房内，不进行光照，温度控制为6~8℃，湿度控制在80~85%，二氧化碳浓度控制在5000~8000ppm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：叶运寿，
申请(专利权)人：广东菇木真生物科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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