半导体激光器保护装置制造方法及图纸

一种半导体激光器保护装置，其特征在于，并联一个防止LD受到反相电压冲击的反向二极管，防止LD因反向电压而损坏，并在半导体激光器两端并联了一个小电容，该保护装置可以实现对半导体激光器的慢速启动，控制电压不突然急剧加在整个恒流源电路上，而是在设定时间内从零逐渐增大，慢速关闭是指控制电压Vs不突然减为0，而是在设定的时间内逐渐减至0，当电路中电流过大时，也可以通过比较器LM339A和稳压二级管对电路进行调整，限制最大电流。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

半导体激光器保护装置
本技术涉及半导体激光器控制领域，特别涉及一种半导体激光器LD(LaSerDiode)保护装置。
技术介绍
半导体激光器系统，其核心部分为高精度的半导体激光器，然而半导体激光器是很脆弱的精密部件。在电路装配时如果受到静电干扰影响，瞬态的电流或电压尖峰脉冲，以及电路中发生的过流、过压现象都会损坏半导体激光器，当电源被随意关闭或开启、或出现较快速电压波动时都会导致激光器永久性的损坏。半导体激光器LD的PN结非常脆弱，极为容易损坏，容易使半导体激光器两端面腔镜产生损伤造成激光器永久性损坏。现今常用的半导体激光设备工作用稳流电源抗干扰能力较差，迫切需要有适用于激光器用的保护装置，实现防浪涌、慢启动、慢关闭等功能，实现对激光器和保护。
技术实现思路
本技术针对以上问题提出了一种能慢速启动或关闭，避免瞬时电压剧变对半导体激光器进行有效保护的半导体激光器保护装置。本技术的技术方案是一种半导体激光器保护装置，其特征在于，在半导体激光器两端并联了一个小电容C126，同时并联一个防止LD受到反方向电压的反向二极管D66。在经过半导体激光器的电路中设置一个采样传感器(U23)，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器保护装置，其特征在于，在半导体激光器两端并联了一个小电容C126，同时并联一个防止半导体激光器受到反方向电压冲击的反向二极管D66。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑全昌，胡德洲，甘义成，佟之晖，卢红星，
申请(专利权)人：深圳市瑞丰恒科技发展有限公司，
类型：实用新型
国别省市：