【技术实现步骤摘要】
本技术涉及保护电路，特别是电源反接保护电路。
技术介绍
在电源管理产品工作的使用过程中，有时候会发生电源反接的情况，一旦反接，芯片的寄生二极管将导通，产生非常大的反向电流，导致芯片被烧毁。传统的电源反接保护电路如图I示该电路是在被保护的电器前端连接二极管，利用二极管对电流反向阻断特性，对电源反接起保护使用。由于二极管的压降问题，使得图I的电路在低电压情况下的应用受到明显限制。图2是CN1355607A技术专利申请公开的电源反接保护电路，它是将保护用PMOS场效应管14的漏极及衬底与被保护电路中的PMOS场效应管10的衬底和寄生二极管12的阴极连接，一旦电源极性反接，保护场效应管就会形成断路，防止电流烧毁电路中元件。该电路的不足之处是保护对象不够广泛，应用范围受到限制，首先该电路仅适用于 集成电路中；其次即使是在集成电路中如果电源电压较高，该电路中的场效应管N2因无法耐受高压而被击穿，则电路就会烧毁。
技术实现思路
本技术要解决已有电源反接保护电路应用对象不够广泛的问题，为此提供本技术的一种电源反接保护高压电路，该电路应用对象广。为解决上述问题，本技术采用的技术方案其...
【技术保护点】
电源反接保护高压电路，其特征是由限流电阻R1、二极管和NMOS场效应管组成，所述二极管有第1二极管D1、第2二极管D2……和第n二极管Dn，限流电阻R1一端接电源，限流电阻R1另一端接NMOS场效应管的栅极，NMOS场效应管的漏极接地，NMOS场效应管的源极和衬底短接后接被保护的器件，所述第1二极管D1、第2二极管D2……和第n二极管Dn极性方向相同地相继串联，第1二极管D1的阳极与所述限流电阻R1和NMOS场效应管栅极的接端连接，第n二极管Dn的阴极接地。
【技术特征摘要】
1.电源反接保护高压电路，其特征是由限流电阻R1、二极管和NMOS场效应管组成，所述二极管有第I 二极管D1、第2 二极管D2……和第η 二极管Dn，限流电阻Rl —端接电源，限流电阻Rl另一端接NMOS场效应管的栅极，NMOS场效应管的漏极接地，NMOS场效应管的源极和衬底短接后接被保护的器件，所述第I 二极管D1、第2 二极管D2……和第η 二极管Dn极性方向相同地相继串联，第I 二极管Dl的阳极与所述限流电阻Rl和NMOS场效应管栅极的接端连接，第η 二极管Dn的阴极接地。2.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：王春来，朱海华，
申请(专利权)人：杭州科岛微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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