高透光电阻型触摸屏制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高透光电阻型触摸屏，包括：第一透明薄膜基材，在第一薄膜基材的两表面上分别涂敷有第一树脂薄膜层和第二树脂薄膜层，在第一树脂薄膜层上依次设有SiO2薄膜层、第一导电薄膜层、间隔层、第二导电薄膜层和第二薄膜基材，在第一树脂薄膜层与SiO2薄膜层之间设有富铌氧化铌Nb2Ox层，0＜x≤5。当本实用新型专利技术未受到外界触点压力时，上下电路由间隔层间隔支撑，形成开路。当本实用新型专利技术局部受到外界触点压力，第一导电薄膜层与第二导电薄膜层接触，形成通路。本实用新型专利技术相对富铌氧化铌的导电薄膜的触摸屏而言，其全光线透光性能、划线耐磨性能更加优越。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种电阻型触摸屏，尤其涉及ー种高透光电阻型触摸屏。
技术介绍
常规的电阻型触摸屏是由透明导电薄膜和透明导电玻璃(或透明导电薄膜)以导电膜面相对，中间以园柱形的间隔支撑。在透明导电薄膜上用手或笔等施加压カ使导电膜相接触。在导电膜上施加电压，通过控制电路判断出这个接触点的位置。这种电阻型触摸屏因为制造方式的简易性，价格的适当性，接触点判断的准确性等的优点，比起光学方式或超音波方式，这种触摸屏应用广泛。在电阻型触摸屏上使用的透明导电薄膜是由于依靠手指或笔等无数次按压，一般要坚持数百万次的打点考验，另外，要求即使是数十万次的记录测试，也要維持性能的高耐久性。另外，在电阻型触摸屏使用的透明导电薄膜在150で的高温试验及90%的高湿度下，电阻值的变化小，使其满足高度的耐久性。另外在电阻膜方式触摸屏上使用的透明导电性膜因为比起其他的视认性优越，所以要求光的透过率非常高的高透明的产品。作为一透明导电薄膜的制造方式，在透明的薄膜基材上使用物理方式沉积氧化锡铟。但是这种透明导电薄膜上氧化锡铟薄膜的附着耐久性很差，在高温下的表面电阻有很大的变化。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种有助于提高光线的透明性能的高透光电阻型触摸屏。 本技术采用如下技术方案一种高透光电阻型触摸屏，包括第一透明薄膜基材，在第一薄膜基材的两表面上分别涂敷有第一树脂薄膜层和第二树脂薄膜层，在第一树脂薄膜层上依次设有SiO2薄膜层、第一导电薄膜层、间隔层、第二导电薄膜层和第二薄膜基材，在第一树脂薄膜层与SiO2薄膜层之间设有富铌氧化铌Nb2Ox层，O < X < 5。当本技术未受到外界触点压カ时，上下电路由间隔层间隔支撑，形成开路。当本技术局部受到外界触点压力，第一导电薄膜层与第二导电薄膜层接触，形成通路。与现有技术相比，本技术具有如下优点在第一透明薄膜基材的两面分别覆盖了第一树脂薄膜层和第二树脂薄膜层后，有助于附着性能的増加。本技术相对富铌氧化铌的导电薄膜的触摸屏而言，其全光线透光性能、划线耐磨性能更加优越。②在Nb2Ox薄膜上形成的SiO2薄膜层可以通过派射方式形成的薄膜,其厚度在5nm至Ij 200nm的厚度。当SiO2薄膜厚度低于5nm时,贝U达不到防划耐磨的目的。厚度超过200nm时将使得透明性能降低。该层薄膜的増加了 SiO2薄膜的附着力。增强了薄膜的笔划耐划強度/同时阻断了滲透到透明薄膜基材的水分，即使在高温处理的环境下，也使得透明导电性薄膜的表面电阻变化减小。③在SiO2薄膜层与第一导电薄膜层之间增加ー层富娃氧化娃SiOy层,有助于提高光线的透明性能。富娃氧化娃SiOy层厚度在O. 5nm到150nm, y值是比O大比2小的任意数值时为最佳。其厚度未满O. 5 nm时，很难形成连续性的薄膜，超过150nm的话，将造成薄膜光线透明性降低。附图说明图I为本技术的结构图。具体实施方式參照图1，一种高透光电阻型触摸屏，包括第一透明薄膜基材1，在第一薄膜基材I的两表面上分别涂敷有第一树脂薄膜层2和第二树脂薄膜层3，在第一树脂薄膜层2上依次设有SiO2薄膜层5、第一导电薄膜层7、间隔层8、第二导电薄膜层9和第二薄膜基材10,在第一树脂薄膜层2与SiO2薄膜层5之间设有富铌氧化铌Nb2Ox层4，O < X < 5。在本实施例中，在SiO2薄膜层5与第一导电薄膜层7之间设有富硅氧化硅SiOy层6，O < y < 2 ;富硅氧化硅SiOy层6的厚度为O. 5nnTl50nm，其中的y值是比O大比2小；富铌氧化铌Nb2Ox层4的厚度是在O. 5nnTl50nm，x为比O大并在5以下任意的数值；第一树脂薄膜层2和第ニ树脂薄膜层3的厚度在O. 5nnTl50nm之间。低于O. 5mm时很难形成连续性的薄膜,使得防止水分滲透的效果欠妥；超过150nm会造成透明度的降低。所述富铌氧化铌Nb2Ox和富硅氧化硅SiOy都是已知材料，都可以在市场上购买得到，例如可以在成都超纯材料有限公司购买到富铌氧化铌Nb2Ox和富硅氧化硅SiOy。权利要求1.一种高透光电阻型触摸屏，包括第一透明薄膜基材(1)，在第一薄膜基材(I)的两表面上分别涂敷有第一树脂薄膜层(2)和第二树脂薄膜层(3)，在第一树脂薄膜层(2)上依次设有SiO2薄膜层(5)、第一导电薄膜层(7)、间隔层(8)、第二导电薄膜层(9)和第二薄膜基材(10)，其特征在于，在第一树脂薄膜层(2)与SiO2薄膜层(5)之间设有富铌氧化铌Nb2Ox层(4)，0 < X 彡 5。2.根据权利要求I所述的高透光电阻型触摸屏，其特征在于，在SiO2薄膜层(5)与第ー导电薄膜层(7)之间设有富娃氧化娃SiOy层(6), O < y < 2。3.根据权利要求I所述的高透光电阻型触摸屏，其特征在于，富铌氧化铌Nb2Ox层(4)的厚度为O. 5nm 150nm。专利摘要本技术公开了一种高透光电阻型触摸屏，包括第一透明薄膜基材，在第一薄膜基材的两表面上分别涂敷有第一树脂薄膜层和第二树脂薄膜层，在第一树脂薄膜层上依次设有SiO2薄膜层、第一导电薄膜层、间隔层、第二导电薄膜层和第二薄膜基材，在第一树脂薄膜层与SiO2薄膜层之间设有富铌氧化铌Nb2Ox层，0＜x≤5。当本技术未受到外界触点压力时，上下电路由间隔层间隔支撑，形成开路。当本技术局部受到外界触点压力，第一导电薄膜层与第二导电薄膜层接触，形成通路。本技术相对富铌氧化铌的导电薄膜的触摸屏而言，其全光线透光性能、划线耐磨性能更加优越。文档编号G06F3/045GK202649991SQ201220309850公开日2013年1月2日 申请日期2012年6月29日 优先权日2012年6月29日专利技术者王鲁南, 王建华, 窦立峰 申请人:南京汇金锦元光电材料有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高透光电阻型触摸屏，包括：第一透明薄膜基材（1），在第一薄膜基材（1）的两表面上分别涂敷有第一树脂薄膜层（2）和第二树脂薄膜层（3），在第一树脂薄膜层（2）上依次设有SiO2薄膜层（5）、第一导电薄膜层（7）、间隔层（8）、第二导电薄膜层（9）和第二薄膜基材（10），其特征在于，在第一树脂薄膜层（2）与SiO2薄膜层（5）之间设有富铌氧化铌Nb2Ox层（4），0＜x≤5。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王鲁南，王建华，窦立峰，
申请(专利权)人：南京汇金锦元光电材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：