上置式氯化汞触媒反应釜制造技术

技术编号:8169699 阅读:165 留言:0更新日期:2013-01-08 17:53
本实用新型专利技术涉及化工设备,具体地说,涉及上置式氯化汞触媒反应釜,包括反应釜体,所述的反应釜本体下面有一个架子,架子放置在地面上,在架子上有一个承接盘,承接盘在反应釜体外围的下方,承接盘是一个具有环形的凹槽,这样的氯化汞触媒反应釜具有容易发现损坏或泄漏,进而减少污染、减少损失的优点。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及化工设备,具体地说是涉及一种氯化汞触媒反应釜。
技术介绍
现有技术中,氯化汞触媒反应釜都是将釜体安装在地下的,这样的反应釜具有占用空间少的优点,但是它有在渗漏损坏的情况下人们不易察觉的缺点,以至于渗漏时容易造成污染,还会造成损失。
技术实现思路
本技术的目的就是针对上述缺点,提供一种容易发现损泄露或损坏,进而减 少污染、减少损失的氯化汞触媒反应爸——上置式氯化汞触媒反应釜。本技术的技术方案是这样实现的上置式氯化汞触媒反应釜,包括反应釜体,其特征是所述的反应釜本体下面有一个架子,架子放置在地面上。较佳的,在架子上有一个承接盘,承接盘在反应釜体外围的下方,承接盘是一个具有环形的凹槽。本技术的有益效果是这样的氯化汞触媒反应釜具有容易发现损坏或泄漏,进而减少污染、减少损失的优点。附图说明图I为本技术反应釜釜的结构示意图。其中I、反应釜体 2、架子 3、承接盘。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步说明。如图I所示,上置式氯化汞触媒反应釜,包括反应釜体1,其特征是所述的反应釜本体I下面有一个架子2,架子2放置在地面上。较佳的,在架子2上有一个承接盘3,承接盘3在反应釜体I外围的下方,承接盘3是一个环形的凹槽。设置凹槽可以在加料时承接着,减少浪费。权利要求1.上置式氯化汞触媒反应釜,包括反应釜体,其特征是所述的反应釜本体下面有一个架子,架子放置在地面上。2.根据权利要求I所述的反应釜,其特征是在架子上有一个承接盘,承接盘在反应釜体外围的下方,承接盘是一个具有环形的凹槽。专利摘要本技术涉及化工设备,具体地说,涉及上置式氯化汞触媒反应釜,包括反应釜体,所述的反应釜本体下面有一个架子,架子放置在地面上,在架子上有一个承接盘,承接盘在反应釜体外围的下方,承接盘是一个具有环形的凹槽,这样的氯化汞触媒反应釜具有容易发现损坏或泄漏,进而减少污染、减少损失的优点。文档编号B01J27/138GK202638408SQ20122021342公开日2013年1月2日 申请日期2012年5月3日 优先权日2012年5月3日专利技术者盛占峰 申请人:长葛市九州化工有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
上置式氯化汞触媒反应釜,包括反应釜体,其特征是:所述的反应釜本体下面有一个架子,架子放置在地面上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:盛占峰
申请(专利权)人:长葛市九州化工有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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