【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种安装在具有不同的电源电压的半导体集成电路中的电平位移器,特别是涉及一种具有绝缘击穿电压和阈值电压互不相同的晶体管,并且适用于通过细微制造工艺制造出的半导体集成电路的电平位移器。
技术介绍
近年来,在一个半导体集成电路中混合安装有模拟电路和数字电路,并且半导体集成电路有多功能化的趋势。在 半导体集成电路中,包括很多模拟电路的接口部分的电源电压(输入/输出电压)为2. 5V或3. 3V左右,相对于此,数字电路的电源电压(核心电压)逐渐低电压化,已降到I. IV左右。也就是说,近年来的半导体集成电路一般具有不同的电源电压。因此,需要电平位移器,该电平位移器用来将从进行低电压工作的功能块输出且电压振幅低的信号转换成电压振幅高的信号,并将该转换后的信号传递给进行高电压工作的电路。作为现有电平位移器有下述电平位移器,即用进行低电压工作的反相电路对电压振幅低的输入脉冲信号进行逻辑反转,再用动作彼此相反的两个电平位移器对由该反相电路的输入信号和输出信号构成且电压振幅低的互补脉冲信号分别进行电平位移,由此达成高速工作和低功耗工作(参照例如专利文献I)。还有下述电 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:松下刚,
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社,
类型:
国别省市:
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