压电体膜、喷墨头、使用喷墨头形成图像的方法、角速度传感器、使用角速度传感器测定角速度的方法、压电发电元件以及使用压电发电元件的发电方法技术

本发明专利技术的目的在于提供含有非铅强介电材料、具有低介电损失和与PZT相同的高压电性能的压电体膜及其制造方法。本发明专利技术的压电体膜具备具有(111)取向的(NaxBiy)TiO0.5x+1.5y+2－BaTiO3层（0.30≤x≤0.46且0.51≤y≤0.62）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有压电体层的压电体膜。并且，本专利技术涉及具有该压电体膜的喷墨头和使用该头形成图像的方法、具有该压电体膜的角速度传感器和使用该传感器測定角速度的方法以及具有该压电体膜的压电发电元件和使用该元件的发电方法。
技术介绍
锆钛酸铅(PZT =Pb(ZrxTih)O3J <x< I)是能够蓄积大的电荷的代表性的强介电材料。PZT被使用于电容器和薄膜存储器。PZT具有基于强介电性的焦电性和压电性。PZT具有高压电性能。通过组成的调整或者元素的添加，能够容易地控制PZT的机械品质系数 Qm。这能够将PZT应用于传感器、致动器、超声波电机、滤波电路和起振器。但是，PZT含有大量的铅。近年来，由于来自废弃物的铅的溶出，可能对生态系统和环境造成严重的损害。因此，在国际上也开始限制铅的使用。所以要求与PZT不同的不含铅的强介电材料(非铅强介电材料)。现在正在开发的非铅(Iead-free)强介电材料的一个例子是由铋(Bi)、钠(Na)、钡(Ba)和钛(Ti)构成的钙钛矿型复合氧化物((Bia5Naa5) ^Bay) TiO3。专利文献I和非专利文献I公开有，钡量y ( = 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：张替贵圣，田中良明，足立秀明，藤井映志，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：