带温度分布控制的加工方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了晶片处理方法和装置，其具有晶片载体（80），用于固定晶片（124）并向晶片与晶片载体之间的间隔（130）内注入填充气体。所述装置设置为可填充气体的成分、流速或同时改变二者，以抵消晶片温度非均匀性的非理想模式。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及晶片加工装置、用在这类加工装置中的晶片载体，以及晶片加工的方法。
技术介绍
许多半导体设备都通过对衬底进行加工而制得。衬底一般为晶体材 料平片，通常称作“晶片”。一般地，晶片由晶体材料制成，且为圆盘状。一种常见的加工是外延生长。例如，由复合半导体例如III-V族半导体制成的设备通常是通过利用金属有机化学气相沉积(缩写为“M0CVD”)以使复合半导体生长连续层制得的。在这一加工过程中，晶片暴露于组合气体中，所述组合气体通常包括作为III族金属源的金属有机化合物，还包括V族元素源，当晶片保持在高温中时，该V族元素源流经晶片表面的上方。通常，金属有机化合物和V族源与不明显参与反应的载体气体、例如氮气相组合。III-V族半导体的一个例子是氮化镓，其可通过使有机镓化合物与氨在具有适当晶层间距的衬底上发生反应来形成，所述衬底例如为蓝宝石晶片。通常，在氮化镓及相关化合物的沉积过程中，晶片保持在1000-1100° C级的温度中。可在稍有差异的反应条件下、例如增加其它III族或V族元素以改变晶体结构和半导体带隙，通过在晶片表面连续沉积多层来制成复合装置。例如，在基于氮化镓的半导体中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾里克斯·古拉里，米海尔·贝洛索夫，瓦迪姆·波谷斯拉斯基，博扬·米特洛维奇，
申请(专利权)人：威科仪器有限公司，
类型：
国别省市：