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带温度分布控制的加工方法和装置制造方法及图纸
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下载带温度分布控制的加工方法和装置的技术资料
文档序号:8165832
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本发明提供了晶片处理方法和装置,其具有晶片载体(80),用于固定晶片(124)并向晶片与晶片载体之间的间隔(130)内注入填充气体。所述装置设置为可填充气体的成分、流速或同时改变二者,以抵消晶片温度非均匀性的非理想模式。...
该专利属于威科仪器有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过威科仪器有限公司授权不得商用。
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