【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及ー种具有两轴或三轴的集成式磁力计,以及ー种制造该集成式磁力计的方法。
技术介绍
在现有技术中,已知制造基于多层磁阻传感器的集成式磁力计,该集成式磁力计利用了巨磁电阻效应或利用隧道磁电阻效应。例如,可參考以下的文献-M. Hehnj F. Montaigne 矛ロ A. Schuhl iiMagnetoresistance geante et electroniquedespin (巨磁电阻矛ロ自方定电于学),,,,Techniques de I ’ Ingenieur,E2 135,第——章矛ロ第二章;-J. Daughton 等,“Magnetic Field Sensors Using GMR Multilayer (利用 GMR 多层的磁场传感器)”,IEEE transactions on magnetics,第 30 卷,第 6 号,1994 年 11 月;和-M. Tondar 等,“Picotesla field sensor design using spin-dependenttunneling devices (利用自旋依赖穿隧 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:阿兰·舒尔,吉勒斯·高登,菲利普·萨邦,皮埃尔让·泽尔马顿,弗朗索瓦·蒙田,
申请(专利权)人:国家科学研究中心,原子能与替代能源委员会,
类型:
国别省市:
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