旋转阳极的具有微结构的光轨道制造技术

本发明专利技术涉及一种旋转阳极（1），具有光轨道（3），该光轨道局有存在于其表面（2）上的微结构（4），其中，所述微结构（4）借助反应性离子深度蚀刻制成。在一种用于制造这种旋转阳极（1）的方法中，借助反应性离子深度蚀刻制造所述的微结构（4）。本发明专利技术尤其有利地用于医学的X射线设备。

【技术实现步骤摘要】
旋转阳极的具有微结构的光轨道
本专利技术涉及一种旋转阳极，它在光轨道（Brennbahn）的表面上有微结构。本专利技术还涉及一种X射线设备，它有至少一个这种旋转阳极。此外本专利技术涉及一种制造旋转阳极的方法，该方法包括在旋转阳极光轨道的表面上加工微结构。本专利技术尤其有利地用于医学的X射线设备。
技术介绍
在借助旋转阳极产生医学用途的X射线时，尤其典型地有钨的光轨道遭受高的热负荷。在形成X射线时（其中高能电子通过光轨道制动以及产生X射线作为韧致辐射），在光轨道上温度可达2500℃以上。这会导致光轨道提前老化。老化的光轨道表现为严重的裂纹形成和基于其钨组织的再结晶出现巨晶粒生长，其中，X射线的剂量率随裂纹形成的增加而降低。裂纹的形成可解释为是由于高的周期性热负荷（在旋转阳极典型地具有在100与20Hz之间的频率时），其中再结晶的钨组织在快速的拉和压应力序列下破坏。钨组织的这种毁坏可发展到，甚至整个颗粒或区域从光轨道脱落，这进一步减小剂量率。此时旋转阳极必须交付维修。为了延长钨光轨道的使用寿命，可以使用ODS（OxideDispersedStrengthening）法或VPS（VakuumPlasmaSpraying）法，它们有效地改变钨的微组织。US7356122介绍了一种X射线阳极，它有耐热的光轨道区用于射入X射线阴极的电子，以产生X射线。耐热的光轨道区有一种由间断的隆凸和凹陷组成的表面结构。隆凸具有的尺寸为50微米至500微米。凹陷具有的深度为10微米至20微米，以及具有的宽度为3微米至20微米。DE10360018A1公开了一种X射线阳极，它具有一个能承高热负荷的表面，其中在所涉及的表面内设置规定的微细槽。微细槽基于使用激光束或高压射水借助材料切除制成，此时改变朝槽底的射入方向相对于其宽度的角度。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是，至少部分地克服现有技术的缺点，并尤其提供一种改进的（X射线）旋转阳极。上述技术问题通过一种（X射线）旋转阳极得以解决，旋转阳极具有一个光轨道，该光轨道具有一种存在于其表面上的微结构，其中，微结构借助反应性离子深度蚀刻（英文“deepreactiveionetching”，DRIE）制成。通过反应性离子深度蚀刻，可以在光轨道内，尤其在具有钨（或钨合金）的光轨道内，制成较深（为了降低应力）和较窄（为了保持大的X射线有效表面）的结构。与借助激光束和尤其借助射水的材料切除术相比，反应性离子深度蚀刻，即使在大高宽比和窄结构宽度的情况下，仍有高的结构精度（小的制造公差）和高的脉冲前沿陡度的优点。按一项设计，微结构有深度至少约40微米。业已证明，当微结构浅于约40微米（例如在10与20微米之间）时，经常还会在微结构底部出现裂纹，它们导致显著降低旋转阳极的剂量率，甚至导致光轨道失效。与之相反，上述至少约40微米的深度，基于通过微结构化造成自由的侧表面，从而实现光轨道直至微结构底部充分地卸荷。由此可提供一种比迄今寿命更长的旋转阳极。也就是说，这种旋转阳极的优点在于，它可以有效抑制基于工作时热交变负荷在其表面内形成裂纹。按一种扩展设计，微结构有深度至少约50微米。由此例如可以达到更可靠地抑制形成裂纹，因为此时可以顾及（例如在制造微结构时的）制造公差。按一项扩展设计，微结构有深度约达150微米，尤其约达100微米。这种深度可以特别有效地抑制裂纹形成。按再一项扩展设计，微结构有至少一个沟或槽。按这种设计可以制备一种特别长和能比较容易制造的微结构。由此还可以在光轨道表面内良好地规定应力分布。此外，这种沟可以在表面损失比较小并因而剂量率较少降低的同时，有效地减小光轨道内的应力。而且留下的绝大部分表面对于由微结构产生X射线保持基本上没有影响。按另一项扩展设计，微结构，尤其至少一个沟，具有的宽度在2微米与15微米之间，尤其在3微米与10微米之间，尤其在5微米与10微米之间。这在光轨道的材料卸荷与基于面积损失对剂量率微小影响之间得到特别有利的妥协。按另一项扩展设计，微结构具有多个布设成网格模式的沟。因此可以在热交变负荷的情况下以简单的方式使一个大的表面有效卸荷。在这种情况下余留的未结构化的表面具有一种棋盘式的模式。还有一项扩展设计是，基本上互相平行延伸的相邻沟的间距在约100微米与约300微米之间。这同样可以保持高的剂量率。此外的一项扩展设计是，沟的宽度与基本上平行延伸的相邻沟的间距之比至少等于0.1。如此设计也可以保持高的剂量率。再有一项扩展设计是，光轨道具有钨。在这里，光轨道可以包括纯钨或钨的合金，例如铼钨合金，尤其含铼的份额为约5％至约10％。光轨道的厚度可例如为1mm。所述技术问题还通过一种尤其医学用途的X射线设备得以解决，其中，X射线设备具有至少一个如上所述的旋转阳极。这种X射线设备具有与如上所述旋转阳极相同的优点，而且也可以类似地设计。此外，所述技术问题通过一种用于制造旋转阳极的方法得以解决，其中，本方法包括借助反应性离子深度蚀刻在旋转阳极光轨道的表面内加工微结构。附图说明结合下面示意性表示的附图以及借助附图详细说明的实施例，可以更清楚和更明确地理解本专利技术的上述特性、特征和优点以及它们如何达到的方式和方法。其中为了能看得清楚，相同或作用相同的部分可采用同样的附图标记。图1表示按本专利技术用于医学目的的X射线设备的旋转阳极光轨道具有微结构的表面局部俯视图；图2-7用剖切侧视图表示制造微结构的反应性离子深度蚀刻过程。具体实施方式图1表示用于医学目的的X射线设备R的旋转阳极1的局部俯视图，确切地说是光轨道3（自由）表面2的俯视图，在光轨道3上造成电子束的焦斑。光轨道3由深度（垂直进入图纸平面）约1mm的钨铼合金组成。光轨道3的表面2具有微结构4，形式上为矩形网格状加工的直线槽或沟5。光轨道3留下没有结构化的表面2则设计为棋盘状。每个沟5具有的深度t（垂直进入图纸平面）在50微米与100微米之间。为了在没有结构化的表面2的防开裂卸荷与由于微结构4带来小的面积损失之间达到良好妥协，沟5分别具有的宽度b在5微米与10微米之间。为了同一个目的，平行延伸的相邻沟5的间距d在约100微米与300微米之间。因此沟5的宽度b与平行延伸的相邻沟5间距d之比至少等于0.1。沟5通过反应性离子深度蚀刻制成，如下面详细说明的那样。为此图2至图7用剖切侧视图表示制造沟5的反应性离子深度蚀刻过程。反应性离子深度蚀刻是一种交替干蚀刻过程，其中蚀刻步骤和钝化步骤轮流进行。要达到的目的是，尽可能有方向性地垂直于光轨道3表面2进行蚀刻。以此方式可以蚀刻出非常窄的沟5。如图2所示，首先在由钨（包括钨合金在内）组成的光轨道3的表面2上铺盖一个例如光刻技术制成的掩膜6。掩膜6可例如由光致抗蚀剂或铝组成。掩膜6覆盖光轨道3上那些不应结构化的部位。接着开始真正的蚀刻过程。为此例如将在气体载体（例如氩）内的四氟甲烷（CF4），引入包括处于其中的光轨道3的反应器内。通过产生一种高能的高频等离子体，由CF4形成一种反应性气体。与离子在电场内加速同时，在外露的钨上叠加化学（各向同性）的蚀刻反应（通过由CF4生成的原子团）以及物理（定向性）的材料切除（借助氩离子通过溅射）。这表示在图3中。如图4所示，在短时间后蚀刻过程停止以及引入由八氟环丁烷（C4F8）和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种旋转阳极（1），具有光轨道（3），所述光轨道具有存在于其表面（2）上的微结构（4），其特征为：所述微结构（4）借助反应性离子深度蚀刻制成。

【技术特征摘要】
2011.07.01 DE 102011078520.51.一种旋转阳极(1)，具有光轨道(3)，所述光轨道具有存在于其表面(2)上的微结构(4)，其特征为：所述微结构(4)借助反应性离子深度蚀刻制成，其中，所述微结构包括齿纹。2.按照权利要求1所述的旋转阳极(1)，其特征在于，所述微结构(4)具有的深度(t)至少为40微米。3.按照权利要求2所述的旋转阳极(1)，其特征在于，所述深度(t)至少为50微米。4.按照权利要求2所述的旋转阳极(1)，其特征在于，所述深度(t)达150微米。5.按照权利要求4所述的旋转阳极(1)，其特征在于，所述深度(t)达100微米。6.按照权利要求1所述的旋转阳极(1)，其特征在于，所述微结构(4)具有的宽度(b)在2微米与15微米之间。7.按照权利要求6所述的旋转阳极(1)，其特征在于，所述宽度(b)在3微米与10微米之间。8.按照权利要求7所述的旋转阳极(1)，其特征在于，所述宽度(b)在5微米与10微米之间。9.按照权利要求1所述的旋转阳极(1)，其特征在于，所述微结构(4)具有至少一个沟(5)。10.按照权利要求9所述的旋转阳极(1)，其特征在于，所述至少一个沟(5)具有多个布设成网格模式的沟(5)。11.按照权利要求10所述的旋转阳极(1)，其特征在于，基本上互相平行延伸的相邻沟(5)的间距(d)在100微米与300微米之间。12.按照...

【专利技术属性】
技术研发人员：J弗罗伊登伯格，S兰彭舍夫，W沙夫，S沃尔特，
申请(专利权)人：西门子公司，
类型：发明
国别省市：