一种谐振型基片集成波导功率合成器制造技术

一种谐振型基片集成波导功率合成器，包括第一金属层、第二金属层、介质基片、四个输入微带线、微带-共面波导过渡、同轴探针和输出波导组成。微波功率通过输入微带馈入谐振腔，在SIW圆柱谐振腔内形成为TM010模振荡，然后将合成的功率耦合到金属波导并输出。该合成器采用SIW圆柱谐振腔实现了谐振型平面结构功率合成，不仅有利于提高合成效率，而且实现了小型化和轻量化；而且易于与微带等平面电路结构集成，插入损耗低，还可根据需求增加合成路数，并具有幅相均衡特性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于微波
，涉及一种谐振型基片集成波导功率合成器。
技术介绍
基片集成波导(SubstrateIntegrated Waveguide, SIff)是一种米用 PCB 或 LTCC工艺在介质基板上实现的新型微波毫米波导波结构，由两排金属化通孔、上下两层金属面以及中间的填充介质构成，其实质是一种介质填充波导结构，具有与传统金属波导相似的传播特性，传输损耗小、Q值高等同时又易于平面集成，可以用来设计各种高Q值的无源和有源器件，如利用SIW谐振腔设计滤波器等。本领域中已经用基片集成波导设计了多种微波功率合成器，都是将SIW视为一种 传输线，都属于非谐振型功率合成器。从工作原理上讲，非谐振型功率合成器合成效率不如谐振型功率合成器的效率高，同时随着合成路数的增加，非谐振型基片集成波导功率合成器的插入损耗也会增大，也限制了功率合成效率。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种谐振型基片集成波导功率合成器，该功率合成器采用圆柱形SIW谐振腔形成谐振结构，大大减小了谐振腔尺寸并提高了合成效率；同时利用η条均匀分布在谐振腔周围的微带将η路输入信号馈入谐振腔，保证了各路信号的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种谐振型基片集成波导功率合成器，其特征在于：包括第一金属层(1)、第二金属层(2)、介质基片(3)、四个输入微带线(4)、微带？共面波导过渡(5)、同轴探针(6)和输出波导(7)；第一金属层(1)为一圆盘状金属薄板，四个输入微带线(4)均各自通过微带？共面波导过渡(5)与第一金属层(1)连接在一起，且四个输入微带线(4)沿圆周均匀分布；第二金属层(2)也为一金属薄板且中心留有圆孔；介质基片(3)的中心留有探针安装孔(8)，且以探针安装孔(8)为圆心，在同一圆周上均匀分布多个通孔(9)，每个通孔(9)的侧壁均覆盖有金属层，将介质基板(3)夹在第一金属层(1)和第二金属层(2)之间，通孔(9)形...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董士伟，董亚洲，龚利鸣，王颖，
申请(专利权)人：西安空间无线电技术研究所，
类型：实用新型
国别省市：