本实用新型专利技术是关于一种输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，是用于高能粒子加速器功放之间的大功率合成，其包括：外导体腔体、主路内导体、多个输入端内导体及绝缘支柱；其中，多个输入端内导体设置于外导体腔体中形成多个输入端同轴导体，主路内导体以绝缘支柱同轴架设于外导体腔体中形成主路同轴导体，多个输入端内导体的一端分别与主路内导体的一端连接；多个输入端内导体在与主路内导体连接的平面内是沿圆周非均匀分布，其轴线分别与主路内导体的轴线垂直；多个输入端内导体包括具有阶梯阻抗及均匀阻抗的两种结构。本实用新型专利技术可有效地解决现有合成器输入端口与放大器射频输出端口对接不便，占用机柜体积大的问题，使整机装配更加合理。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种功率合成器，特别是涉及一种输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，该合成器用于高能粒子加速器功放之间的大功率合成。
技术介绍
功率合成器是一种能够将多路输出功率有效叠加获得高输出功率的器件，现有的大功率合成器多采用同轴腔体形式，其结构如图1及图2所示，包括:由外导体和内导体构成的主路同轴导体10，由多个外导体和具有均匀阻抗的内导体构成的输入端同轴导体11，其中多个输入端同轴导体11是在同一平面内沿圆周均匀分布，并且其轴线与主路同轴导体10的轴线垂直。由于大功率合成器在整机装配时，需要放入金属盒中，并在金属盒上开孔，安装接头，而沿圆周均布，呈360°辐射状的输入端同轴导体11会占用金属盒的四个面，使大功率合成器输入端口与放大器射频输出端口对接不便，且占用机柜体积大，造成空间浪费。由此可见，上述现有的大功率合成器在结构与使用上，显然仍存在不便与缺陷，而亟待进一步改进。
技术实现思路
本技术的目的在于，克服现有的大功率合成器存在的缺陷，而提供一种新型结构的输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，所要解决的技术问题是通过调整输入端内导体的分布形式，并应用具有阶梯阻抗和具有均匀阻抗的两种结构的输入端内导体，使输入端插入损耗具有高幅相一致性，可有效地解决现有大功率合成器输入端口与放大器射频输出端口对接不便，且占用机柜体积大的问题，非常适于实用。本技术的目的以及解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。依据本技术提出的一种输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，其包括:外导体腔体、主路内导体、多个输入端内导体及绝缘支柱；其中，多个所述输入端内导体设置于所述外导体腔体中与所述外导体腔体形成多个输入端同轴导体，所述主路内导体通过所述绝缘支柱同轴架设于所述外导体腔体中与所述外导体腔体形成主路同轴导体，多个所述输入端内导体的一端分别与所述主路内导体的一端连接；多个所述输入端内导体在与所述主路内导体连接的平面内是沿圆周非均匀分布，并且多个所述输入端内导体的轴线分别与所述主路内导体的轴线垂直；多个所述输入端内导体包括:具有阶梯阻抗的内导体及具有均匀阻抗的内导体。本技术的目的以及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。前述的输入端内导体非均勾分布的多路大功率合成器，包括6个所述输入端内导体；其中，所述具有阶梯阻抗的内导体在与所述主路内导体连接的平面内是沿顺时针方向分布于圆周的0°、90°、180°及270°的位置；所述具有均匀阻抗的内导体在与所述主路内导体连接的平面内是沿顺时针方向分布于圆周的45°及225°的位置。前述的输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，其中所述具有阶梯阻抗的内导体是由多节同种材料制成的具有不同横截面积的圆柱形导体构成，所述具有均匀阻抗的内导体是由同种材料制成的具有相同横截面积的圆柱形导体构成。前述的输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，其中所述外导体腔体包括:下段腔体及多个上段腔体，所述下段腔体及多个所述上段腔体具有圆形截面；所述下段腔体一端开口，另一端以上盖板封闭；多个所述上段腔体设置于所述下段腔体上部，且靠近所述上盖板，其一端开口，另一端与所述下段腔体连接；其中，多个所述上段腔体在与所述下段腔体连接的平面内是沿圆周非均匀分布，并且多个所述上段腔体的轴线分别与所述下段腔体的轴线垂直；多个所述输入端内导体是分别同轴设置于多个所述上段腔体中与所述上段腔体形成多个所述输入端同轴导体，其中多个所述输入端内导体分别与多个所述上段腔体的开口形成多个同轴输入端；所述主路内导体是通过所述绝缘支柱同轴架设于所述下段腔体中与所述下段腔体形成所述主路同轴导体，其中所述主路内导体与所述下段腔体的开口形成同轴输出端。前述的输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，包括6个所述上段腔体，6个所述上段腔体在与所述下段腔体连接的平面内是沿顺时针方向分布于圆周的0°、45°、90。、180。、225。及 270。的位置。前述的输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，其中在所述外导体腔体的外表面上设有散热结构。前述的输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，其中在所述下段腔体的外表面上设有散热结构；所述散热结构为圆片状，设置于所述上段腔体与所述下段腔体的开口之间。前述的输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，其中所述外导体腔体、所述主路内导体及所述输入端内导体均由铝合金棒或铜棒加工而成。前述的输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，其中所述上盖板是由铝合金板或铜板加工而成。前述的输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，其中所述绝缘支柱为聚四氟绝缘支柱，通过金属螺钉与所述主路内导体及所述外导体腔体固定。本技术与现有技术相比具有明显的优点及有益效果。借由上述技术方案，本技术输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器至少具有下列优点及有益效果:一、本技术输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器的输入端内导体是在同一平面内沿圆周非均匀分布，使多个输入端口被控制在主路同轴导体的两侧，在放入金属盒后，仅占用金属盒的左右两个平面，相比于传统结构的大功率合成器尺寸小，可有效地解决现有大功率合成器输入端口与放大器射频输出端口对接不便，且占用机柜体积大的问题，使整机装配更加合理。二、本技术输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器的输入端内导体同时应用具有阶梯阻抗和具有均匀阻抗的两种结构的内导体，使输入端插入损耗具有高幅相一致性，同时改善了大功率合成器输出端的回波损耗。三、本技术输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器通过设置散热结构，散热效果好，稳定性好，可以适用于标准化、规模化生产。上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。【附图说明】图1是现有的一种同轴腔体形式的大功率合成器的组成结构的剖视图。图2是图1的A-A向的剖视图。图3是本技术输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器一较佳实施例显示其组成结构的分解立体示意图。图4是图3的主视图。图5是图4的剖视图。图6是图4的B-B向的剖视图。【具体实施方式】为更进一步阐述本技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本技术提出的输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器其【具体实施方式】、结构、特征及其功效，详细说明如后。请参阅图3、图4、图5及图6所示，图3是本技术输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器一较佳实施例显示其组成结构的分解立体示意图。图4是图3的主视图。图5是图4的剖视图。图6是图4的B-B向的剖视图。本技术的输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器主要由外导体腔体1、主路内导体2、多个输入端内导体4、5及绝缘支柱3组成。其中，多个输入端内导体4、5设置于外导体腔体I中与外导体腔体I形成多个输入端同轴导体，主路内导体2通过绝缘支柱3同轴架设于外导体腔体I中与外导体腔体I形成主路同轴导体，多个输入端内导体4、5的一端分别与主路内导体2的一端连接。多个输入端内导体本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，其特征在于其包括：外导体腔体(1)、主路内导体(2)、多个输入端内导体(4、5)及绝缘支柱(3)；其中，多个所述输入端内导体(4、5)设置于所述外导体腔体(1)中与所述外导体腔体(1)形成多个输入端同轴导体，所述主路内导体(2)通过所述绝缘支柱(3)同轴架设于所述外导体腔体(1)中与所述外导体腔体(1)形成主路同轴导体，多个所述输入端内导体(4、5)的一端分别与所述主路内导体(2)的一端连接；多个所述输入端内导体(4、5)在与所述主路内导体(2)连接的平面内是沿圆周非均匀分布，并且多个所述输入端内导体(4、5)的轴线分别与所述主路内导体(2)的轴线垂直；多个所述输入端内导体(4、5)包括：具有阶梯阻抗的内导体(4)及具有均匀阻抗的内导体(5)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：田丽，贺正，匡莹，张东升，
申请(专利权)人：北京北广科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。