耦合器制造技术

本发明专利技术提供了一种耦合器。其包括腔体、腔盖、输入端口、输出端口、第一耦合端口、第一负载端口、第二耦合端口、第二负载端口、传输导体、第一耦合导体和第二耦合导体，腔盖与腔体形成容置空间，传输导体、第一耦合导体和第二耦合导体置于容置空间，输入端口和输出端口分别设于腔体的相对两端，传输导体的两端分别与输入端口、输出端口连接，第一耦合端口、第一负载端口、第二耦合端口、第二负载端口设于腔体的侧面，且第一耦合导体的两端分别与第一耦合端口和第一负载端口连接，第二耦合导体的两端分别与第二耦合端口和第二负载端口连接，传输导体包括与第一耦合导体平行的第一传输体和与第二耦合导体平行的第二传输体。本发明专利技术能够实现双向耦合。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通讯
，特别是涉及一种耦合器。
技术介绍
在现代无线通信系统中，无源器件以其环保无污染、低功耗和可靠性高而被广泛使用。耦合器是无源器件中十分常用的器件，其主要特点是耦合耗损可根据实际需要而设计，具有工作频带宽、带内插损小、隔离度高、驻波比小等优点。现有技术中，在某些场合要求耦合器具备双向耦合功能，虽然目前的一些耦合器的可以具备双向耦合功能，但是随着信号功率的提升，在超高频的某些频率范围内双向耦合器的设计会变得非常困难，它的两路耦合信号的强度也会产生变化，需要通过结构间距的调整才能达到要求。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种耦合器，能够实现双向耦合。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种耦合器，包括腔体、腔盖、输入端口、输出端口、第一耦合端口、第一负载端口、第二耦合端口、第二负载端口、传输导体、第一耦合导体和第二耦合导体，所述腔盖盖于所述腔体并与所述腔体形成容置空间，所述传输导体、第一耦合导体和第二耦合导体设置于所述容置空间内，所述输入端口和输出端口分别设置于所述腔体的相对两端，且所述传输导体的两端分别与所述输入端口、输出端口连接，所述第一耦合端口、第一负载端口、第二耦合端口、第二负载端口设置于所述腔体的侧面，且所述第一耦合导体的两端分别与所述第一耦合端口和第一负载端口连接，所述第二耦合导体的两端分别与所述第二耦合端口和第二负载端口连接，所述传输导体包括一体成型的第一传输体和第二传输体，所述第一传输体的宽度大于所述第二传输体的宽度，所述第一耦合导体与所述第一传输体平行，所述第二耦合导体与所述第二传输体平行，且所述第一耦合导体与所述第一传输体之间的间隙大于所述第二耦合导体与所述第二传输体之间的间隙；其中，靠近所述输入端口的所述第一耦合导体实现输入信号功率的耦合，所述第一耦合端口输出耦合信号，所述第一负载端口连接负载；靠近所述输出端口的所述第二耦合导体实现反射信号功率的耦合，所述第二耦合端口输出耦合信号，所述第二负载端口连接负载。优选地，所述第一耦合导体的宽度等于所述第一传输体的宽度，所述第二耦合导体的宽度等于所述第二传输体的宽度。区别于现有技术的情况，本专利技术的有益效果是：通过设置两段耦合导体，从而能够实现双向耦合，可以增加腔体耦合器的工作频率范围。附图说明图1是本专利技术实施例耦合器的结构示意图。图2是本专利技术实施例耦合器的内部结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。参见图1和图2。本实施例的耦合器包括腔体1、腔盖2、输入端口3、输出端口4、第一耦合端口5、第一负载端口6、第二耦合端口7、第二负载端口8、传输导体9、第一耦合导体10和第二耦合导体11。腔盖2盖于腔体1并与腔体1形成容置空间，传输导体9、第一耦合导体10和第二耦合导体11设置于容置空间内。输入端口3和输出端口4分别设置于腔体1的相对两端，且传输导体9的两端分别与输入端口3、输出端口4连接，第一耦合端口5、第一负载端口6、第二耦合端口7、第二负载端口8设置于腔体1的侧面，且第一耦合导体10的两端分别与第一耦合端口5和第一负载端口6连接，第二耦合导体11的两端分别与第二耦合端口7和第二负载端口8连接。传输导体9包括一体成型的第一传输体91和第二传输体92，第一传输体91的宽度大于第二传输体92的宽度，第一耦合导体10与第一传输体91平行，第二耦合导体11与第二传输体92平行，且第一耦合导体10与第一传输体91之间的间隙大于第二耦合导体11与第二传输体92之间的间隙。在本实施例中，第一耦合导体10的宽度等于第一传输体91的宽度，第二耦合导体11的宽度等于第二传输体92的宽度。本专利技术实施例的耦合器在工作时，靠近输入端口3的第一耦合导体10实现输入信号功率的耦合，第一耦合端口5输出耦合信号，第一负载端口6连接负载；靠近输出端口4的第二耦合导体11实现反射信号功率的耦合，第二耦合端口7输出耦合信号，第二负载端口8连接负载。其中，由于第一传输体91的宽度大于第二传输体92的宽度，且第一耦合导体10与第一传输体91之间的间隙大于第二耦合导体11与第二传输体92之间的间隙，因而可以在不增加阻抗线节数的基础上增加耦合器的工作频率范围。并且由于第一负载端口6和第二负载端口8可以外接负载，因此可以通过连接不同的负载来调节耦合器的工作频率范围。当大功率的信号正向通过耦合器时，即信号从输入端口3输入、从输出端口4输出，第一耦合端口5输出的信号大小与大功率信号大小的比值为输入功率耦合度指标；当大功率的信号反向通过耦合器时，即信号从输出端口4输入、从输入端口3输出，第二耦合端口7输出的信号大小与大功率信号大小的比值为反射功率耦合度指标，从输入功率耦合度和反射功率耦合度仿真数据曲线可以看出两种耦合度曲线重合，并且随频率的变大而上升。通过上述方式，本专利技术实施例的耦合器通过设置两段耦合导体，从而能够实现双向耦合，可以增加腔体耦合器的工作频率范围。以上所述仅为本专利技术的实施例，并非因此限制本专利技术的专利范围，凡是利用本专利技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本专利技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种耦合器，其特征在于，包括腔体、腔盖、输入端口、输出端口、第一耦合端口、第一负载端口、第二耦合端口、第二负载端口、传输导体、第一耦合导体和第二耦合导体，所述腔盖盖于所述腔体并与所述腔体形成容置空间，所述传输导体、第一耦合导体和第二耦合导体设置于所述容置空间内，所述输入端口和输出端口分别设置于所述腔体的相对两端，且所述传输导体的两端分别与所述输入端口、输出端口连接，所述第一耦合端口、第一负载端口、第二耦合端口、第二负载端口设置于所述腔体的侧面，且所述第一耦合导体的两端分别与所述第一耦合端口和第一负载端口连接，所述第二耦合导体的两端分别与所述第二耦合端口和第二负载端口连接，所述传输导体包括一体成型的第一传输体和第二传输体，所述第一传输体的宽度大于所述第二传输体的宽度，所述第一耦合导体与所述第一传输体平行，所述第二耦合导体与所述第二传输体平行，且所述第一耦合导体与所述第一传输体之间的间隙大于所述第二耦合导体与所述第二传输体之间的间隙；其中，靠近所述输入端口的所述第一耦合导体实现输入信号功率的耦合，所述第一耦合端口输出耦合信号，所述第一负载端口连接负载；靠近所述输出端口的所述第二耦合导体实现反射信号功率的耦合，所述第二耦合端口输出耦合信号，所述第二负载端口连接负载。...

【技术特征摘要】
1.一种耦合器，其特征在于，包括腔体、腔盖、输入端口、输出端
口、第一耦合端口、第一负载端口、第二耦合端口、第二负载端口、传
输导体、第一耦合导体和第二耦合导体，所述腔盖盖于所述腔体并与所
述腔体形成容置空间，所述传输导体、第一耦合导体和第二耦合导体设
置于所述容置空间内，所述输入端口和输出端口分别设置于所述腔体的
相对两端，且所述传输导体的两端分别与所述输入端口、输出端口连接，
所述第一耦合端口、第一负载端口、第二耦合端口、第二负载端口设置
于所述腔体的侧面，且所述第一耦合导体的两端分别与所述第一耦合端
口和第一负载端口连接，所述第二耦合导体的两端分别与所述第二耦合
端口和第二负载端口连接，所述传输导体包括一体成型的第一传输体和<...

【专利技术属性】
技术研发人员：张继宏，
申请(专利权)人：成都宜川电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51