具有芯片使能信号扩展的存储系统技术方案

公开了具有芯片使能信号扩展的存储系统。该存储系统，包括存储器控制器，第一存储器芯片，信号扩展器；所述存储器控制器耦合到所述信号扩展器；所述第一存储器芯片包括第一管芯与第二管芯，所述第一管芯具有第一使能端口，所述第二管芯具有第二使能端口；所述信号扩展器连接到所述第一使能端口和所述第二使能端口，以向所述第一管芯和所述第二管芯发送独立的使能信号。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及存储器、存储系统领域。具体地，本技术涉及减少存储器控制器的管脚数量，并提高存储器控制器可操作的存储器芯片的数量。
技术介绍
随着SSD (Solid-State Drive,固态硬盘)技术的发展，由控制器和Flash芯片组成的存储系统中需要容纳越来越多的Flash芯片，而在单一 Flash芯片内也通过可堆叠封装技术包括了多个管芯(DIE)。基于NAND FLASH的SSD技术在ー个系统内使用具有多使能信号的多个NAND FLASH芯片来提高产品容量和性能。由于NAND Flash芯片上的每个管芯都具有芯片使能(Chip Enable, CE)端ロ，并且在操作每个管芯时，要向其施加单独的CE 信号，以同存储系统中的其它芯片/管芯的操作相区分，因而众多的CE信号需要消耗存储器控制器的大量的IO端ロ资源。图I为现有技术中NAND闪存控制器和NAND闪存(FLASH)组成的SSD存储系统的示意图。图I的存储系统中其包阔ー个或多个存储器控制器101和多个闪存通道102、103，每个闪存通道上包括一片或多片闪存芯片(未示出)。在图I的存储系统中，还包括连接存储器控制器101和闪存通道本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储系统，包括存储器控制器，第一存储器芯片，信号扩展器；所述存储器控制器耦合到所述信号扩展器；所述第一存储器芯片包括第一管芯与第二管芯，所述第一管芯具有第一使能端口，所述第二管芯具有第二使能端口；所述信号扩展器连接到所述第一使能端口和所述第二使能端口，以向所述第一管芯和所述第二管芯发送独立的使能信号。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：倪勇，
申请(专利权)人：北京忆恒创源科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：