【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射频识别领域,尤其涉及ー种温度測量与校准电路及无源射频识别标签,同时本专利技术还涉及应用无源射频识别标签进行温度测量的方法。
技术介绍
射频识别(Radio Frequency Identification,RFID)是一种非接触式的自动识别技术,具有低功耗的数据传输功能,可以应用于物流管理、身份识别、交通运输、食品医疗、动物管理等多种领域。RFID标签系统主要分为无源RFID标签和有源RFID标签。有源标签,即有电源供电的RFID标签;无源标签系统,即没有电源供电的RFID标签。无源RFID标签工作时,其工作电路需要的能量由电磁场能量转换而来。无源标签系统具有低成本,集成度高,封装形式灵活,寿命长等,尤其适用于仓库管理、食品医疗、动物管理等领域。 温度传感器在エ业控制、医疗和测量领域得到了广泛的应用。在集成电子系统中,温度传感器一般有两种存在形式ー种形式是温度传感器是独立于集成电路的,即具有独立于集成电子系统的温度传感器芯片,比如集成电子系统通过外置的热敏电阻器件来測量温度。在集成电子系统中,这种分立的温度传感器芯片具有成本高,封装体积大等特点,如此,则限制了该种温度传感器的应用领域,例如,在仓库管理、食品医疗、动物管理等领域不能很好地进行温度測量。另ー种形式则是将具有温度測量功能的芯片内置于集成电子系统中。目前,芯片内置的温度測量技术在集成电子系统广泛存在。该技术在有电源供电的情况下,通过获取半导体芯片PN结的电压差而产生带隙基准电压的方式取得与绝对温度成正比的物理量,比如电流。若将具有温度測量功能的芯片内置于无源RFID标签中,则可以 ...
【技术保护点】
一种温度测量与校准电路,其特征在于,所述该电路包括:参考基准电压生成电路,其输入输出端连接至外部检测装置,其输出端分别连接第一放大电路和第二放大电路,用于生成不随温度与工艺参数变化的第一带隙基准电压信号,即上限参考电压值至第一放大电路,和第二带隙基准电压信号,即下限参考电压值至第二放大电路;温度测量电压生成电路,其输出端连接至外部检测装置及电压平移调节电路,用于生成随温度呈线性变化的电压值;电压平移调节电路,其输入端连接至外部检测装置及温度测量电压生成电路,用于在接收到外部检测装置输入的电压平移调节指示信号后,平移所述温度测量电压值至放大电路;三个放大电路,其中第一放大电路和第二放大电路均接成单位增益的缓冲器形式,用于分别调整所述上限参考电压值和下限参考电压值并输出至模数转换电路,第三放大电路接成放大增益倍数可调的形式,用于放大温度测量电压值,将该电压值调整到上限参考电压值和下限参考电压值之间并输出至模数转换电路;模数转换电路,用于将所述上限参考电压值和下限参考电压值转换成数字信号,并将所述介于上限参考电压值和下限参考电压值之间的温度测量电压值转换成数字信号,这个数字信号即代表温度量。
【技术特征摘要】
1.一种温度测量与校准电路,其特征在于,所述该电路包括 参考基准电压生成电路,其输入输出端连接至外部检测装置,其输出端分别连接第一放大电路和第二放大电路,用于生成不随温度与工艺参数变化的第一带隙基准电压信号,即上限参考电压值至第一放大电路,和第二带隙基准电压信号,即下限参考电压值至第二放大电路; 温度测量电压生成电路,其输出端连接至外部检测装置及电压平移调节电路,用于生成随温度呈线性变化的电压值; 电压平移调节电路,其输入端连接至外部检测装置及温度测量电压生成电路,用于在接收到外部检测装置输入的电压平移调节指示信号后,平移所述温度测量电压值至放大电路; 三个放大电路,其中第一放大电路和第二放大电路均接成单位增益的缓冲器形式,用于分别调整所述上限参考电压值和下限参考电压值并输出至模数转换电路,第三放大电路接成放大增益倍数可调的形式,用于放大温度测量电压值,将该电压值调整到上限参考电压值和下限参考电压值之间并输出至模数转换电路; 模数转换电路,用于将所述上限参考电压值和下限参考电压值转换成数字信号,并将所述介于上限参考电压值和下限参考电压值之间的温度测量电压值转换成数字信号,这个数字信号即代表温度量。2.根据权利要求I所述的温度测量与校准电路,其特征在于,所述该温度测量与校准电路还包括连接于电源与地线之间的稳压滤波电路。3.根据权利要求I所述的温度测量与校准电路,其特征在于,所述参考基准电压生成电路包括并联连接的第一 P型MOS管,第二 P型MOS管及第三P型MOS管, 所述第一 P型MOS管,第二 P型MOS管及第三P型MOS管源极分别耦接至电源作为电流源,栅极分别耦接至第一放大器输出端,所述第一 P型MOS管漏极耦接至第一放大器负输入端及第一 PNP三极管的发射极,第一 PNP三极管的基极与其集电极耦接并接地,第一电阻一端接入第一放大器负输入端,其另一端接地; 所述第二 P型MOS管漏极耦接至第一放大器正输入端,并通过第三电阻耦接至第二 PNP三极管的发射极,第二 PNP三极管的基极与其集电极耦接并接地,第二电阻一端接入第一放大器正输入端,其另一端接地; 所述第三P型MOS管漏极通过第一调节电阻及第二调节电阻接地。4.根据权利要求I所述的温度测量与校准电路,其特征在于,所述温度测量电压生成电路包括与温度系数成正比的电流源及与其串接并接地的第六电阻,用于生成随温度变化的电压值信号并输出至电压平移调节电路。5.根据权利要求I所述的温度测量与校准电路,其特征在于,所述电压平移调节电路包括并联连接的第四N型MOS管、第五N型MOS管及第六N型MOS管, 所述第四N型MOS管、第五N型MOS管及第六N型MOS管作为源极跟随...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴边,王兴意,周伶俐,韩富强,漆射虎,
申请(专利权)人:卓捷创芯科技深圳有限公司,
类型:发明
国别省市:
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