【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体清洗
,特别涉及一种干冰微粒喷射清洗装置。
技术介绍
半导体技术节点进一步减小,对硅片表面的洁净度提 出了越来越高的要求,但是,采用传统的化学清洗方法会消耗大量的水和化学试剂,造成不必要的资源浪费。
技术实现思路
为了解决上述问题,本专利技术提出了一种能够采用高速喷出的干冰射流,利用干冰颗粒与硅片表面颗粒、有机物等污染物的动量转移和液态CO2的溶解性质,使硅片表面达到高洁净度要求的干冰微粒喷射清洗装置。为了实现上述目的,本专利技术提供的干冰微粒喷射清洗装置的技术方案如下本专利技术提供的干冰微粒喷射清洗装置包括清洗系统、CO2供应系统和真空系统;所述CO2供应系统为所述清洗系统提供清洗所需CO2,所述真空系统为所述清洗系统提供真空环境;所述CO2供应系统和所述真空系统分别连接于所述清洗系统。作为优选,所述清洗系统包括清洗腔室和置于所述清洗腔室内的可移动喷嘴,旋转托盘;所述可移动喷嘴利用管路连接于所述CO2供应系统,所述旋转托盘置于所述可移动喷嘴下方;所述可移动喷嘴制造干冰微粒并吹洗硅片;所述旋转托盘吸附固定并旋转硅片。作为优选,所述清洗系统还 ...
【技术保护点】
一种干冰微粒喷射清洗装置,其特征在于,包括清洗系统、CO2供应系统和真空系统;所述CO2供应系统为所述清洗系统提供清洗所需CO2,所述真空系统为所述清洗系统提供真空环境;所述CO2供应系统和所述真空系统分别连接于所述清洗系统。
【技术特征摘要】
1.一种干冰微粒喷射清洗装置,其特征在于,包括清洗系统、CO2供应系统和真空系统;所述CO2供应系统为所述清洗系统提供清洗所需CO2,所述真空系统为所述清洗系统提供真空环境;所述CO2供应系统和所述真空系统分别连接于所述清洗系统。2.根据权利要求I所述的装置, 其特征在于,所述清洗系统包括清洗腔室和置于所述清洗腔室内的可移动喷嘴,旋转托盘;所述可移动喷嘴利用管路连接于所述CO2供应系统,所述旋转托盘置于所述可移动喷嘴下方;所述可移动喷嘴制造干冰微粒并吹洗硅片;所述旋转托盘吸附固定并旋转硅片。3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述清洗系统还包括压力传感器,所述压力传感器精确测定所述清洗腔室内的压力值。4.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述清洗系统还包括湿度传感器,所述湿度传感器精确测定所述清洗腔室内的湿度值。5.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述CO2供应系统包括利用管路依次连接的CO2储罐、阀门I、净化器、压力泵I、微过滤器、阀门II和压力表;所述压力表利用管路连接于所述可移动喷嘴;所述CO2储罐提供清洗所需的CO2 ;所述阀门I控制所述CO2储罐的开启和截止;所述净化器为所述清洗所需的CO2除杂、干燥;所述压力泵I为所述清洗所需的CO2加压,从而控制所述清洗所需的CO2物理条件;所述微过滤器过滤所述清洗所需的CO2中可...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭新贺,景玉鹏,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:
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