一种超高频传感器及其屏蔽软底座的组合装置制造方法及图纸

技术编号:8067386 阅读:170 留言:0更新日期:2012-12-08 03:10
本实用新型专利技术公开了一种超高频传感器及其屏蔽软底座的组合装置,现有的装置对于传感器贴住部位以外的位置不能很好的屏蔽,导致外部干扰信号很容易进入到传感器内部,影响局部放电的测量。本实用新型专利技术包括超高频传感器、传感器金属底座、泡棉、导电布、磁铁、粘扣布,超高频传感器设置在传感器金属底座上,导电绑带固定在传感器底座的底部组成屏蔽软底座。本实用新型专利技术安装操作方便、简单,重量轻,适应性强,大大提高了超高频技术检测GIS局部放电时的抗干扰能力。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及用超高频技术检测GIS局部放电时的抗干扰装置,尤其涉及ー种超高频传感器及其屏蔽软底座的组合装置
技术介绍
到目前为止,国内现有的用超高频技术检测局放时,通常只对超高频传感器本体周围采取屏蔽,有些甚至没有屏蔽措施。这些传感器在贴近GIS盘式绝缘子进行测量时,对于传感器贴住部位以外的位置不能很好的屏蔽,导致外部干扰信号很容易进入到传感器内部,影响局部放电的测量。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有超高频技术检测GIS局部放电时抗干扰的不足,提供一种超高频传感器及其屏蔽软底座的组合装置。本技术一种超高频传感器及其屏蔽软底座的组合装置包括超高频传感器、传感器金属底座、泡棉、导电布、磁铁、粘扣布,超高频传感器设置在传感器金属底座上,导电绑带固定在传感器底座的底部组成屏蔽软底座。所述的超高频传感器底部周边设有磁铁。所述的传感器金属底座上表面开有与超高频传感器配合的长方体凹槽。所述的导电绑带由泡棉与导电布组合并具有伸縮功能,导电绑带的两端设有粘扣布,泡棉有一定的厚度可以根据实际GIS设备的尺寸进行形变。本技术的有益效果本技术安装操作方便、简单,重量轻,适应性強,大大 提闻了超闻频技术检测GIS局部放电时的抗干扰能力。附图说明图I :超闻频传感器及屏蔽软底座组合体的不意图;图2 :超闻频传感器不意图;图3:屏蔽软底座不意图。具体实施方式本技术一种超高频传感器及其屏蔽软底座的组合装置包括超高频传感器I、传感器金属底座2、泡棉3、导电布4、磁铁5、粘扣布6,超高频传感器I设置在传感器金属底座2上,导电绑带固定在传感器底座的底部组成屏蔽软底座。所述的超高频传感器I底部周边设有磁铁5。所述的传感器金属底座上表面开有与超高频传感器配合的长方体凹槽。所述的导电绑带由泡棉与导电布组合并具有伸縮功能,导电绑带的两端设有粘扣布6,泡棉有一定的厚度可以根据实际GIS设备的尺寸进行形变。把传感器扣在金属底座上,通过磁铁吸附牢;泡棉、导电布,通过粘扣布把传感器和金属 底座的组合体捆绑到GIS盘式绝缘子的外部,泡棉有一定的厚度可以根据实际GIS设备的尺寸进行形变,导电布用于防止外部高频信号进入传感器内部。权利要求1. 一种超高频传感器及其屏蔽软底座的组合装置,其特征在于包括超高频传感器、传感器金属底座、泡棉、导电布、磁铁、粘扣布,超高频传感器设置在传感器金属底座上,导电绑带固定在传感器底座的底部组成屏蔽软底座; 所述的超高频传感器底部周边设有磁铁; 所述的传感器金属底座上表面开有与超高频传感器配合的长方体凹槽; 所述的导电绑带由泡棉与导电布组合并具有伸缩功能,导电绑带的两端设有粘扣布,泡棉有一定的厚度可以根据实际Gis设备的尺寸进行形变。专利摘要本技术公开了一种超高频传感器及其屏蔽软底座的组合装置,现有的装置对于传感器贴住部位以外的位置不能很好的屏蔽,导致外部干扰信号很容易进入到传感器内部,影响局部放电的测量。本技术包括超高频传感器、传感器金属底座、泡棉、导电布、磁铁、粘扣布,超高频传感器设置在传感器金属底座上,导电绑带固定在传感器底座的底部组成屏蔽软底座。本技术安装操作方便、简单,重量轻,适应性强,大大提高了超高频技术检测GIS局部放电时的抗干扰能力。文档编号G01R31/12GK202583399SQ20122021391公开日2012年12月5日 申请日期2012年5月14日 优先权日2012年5月14日专利技术者胡维兴 申请人:杭州西湖电子研究所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超高频传感器及其屏蔽软底座的组合装置,其特征在于:包括超高频传感器、传感器金属底座、泡棉、导电布、磁铁、粘扣布,超高频传感器设置在传感器金属底座上,导电绑带固定在传感器底座的底部组成屏蔽软底座;所述的超高频传感器底部周边设有磁铁;所述的传感器金属底座上表面开有与超高频传感器配合的长方体凹槽;所述的导电绑带由泡棉与导电布组合并具有伸缩功能,导电绑带的两端设有粘扣布,泡棉有一定的厚度可以根据实际GIS设备的尺寸进行形变。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:胡维兴
申请(专利权)人:杭州西湖电子研究所
类型:实用新型
国别省市:

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