用于垂直磁记录介质中软磁性膜层的CoFeNi-系合金和溅射靶材料制造技术

本发明专利技术公开了一种提供一种具有优异的饱和磁通密度、非晶形性、耐腐蚀性和硬度的用于垂直磁记录介质的软磁性Co-Fe-Ni合金。所述Co-Fe-Ni合金包含以原子％计的以下各项：70至92％的Co+Fe+Ni(包括0％的Ni)，1至8％的Ta；和多于7％但是20％以下的B。Co-Fe-Ni合金的组成(以原子％表达)满足如下各项的比率：0.1至0.9的Co/(Co+Fe+Ni)；0.1至0.65的Fe/(Co+Fe+Ni)；0至0.35的Ni/(Co+Fe+Ni)；以及1至8的的B/Ta。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于垂直磁记录介质中软磁性膜层的CoFeNi-系合金和溅射靶材料本申请要求2009年6月10日提交的日本专利申请2009-139151的优先权，该日本专利申请的全部内容都通过弓I用结合在此。本申请涉及一种用于垂直磁记录介质中的软磁性膜层的CoFeNi-系合金，及其溅射靶材料。 近年来，磁记录技术已经有了显著的进步，并且在磁记录介质中的记录密度的提高由于增加驱动器容量而进展。例如，垂直磁记录系统已经投入到实际使用中，其相比于通常使用的纵向磁记录系统实现了更高的记录密度。垂直磁记录系统是一种易磁化轴在垂直于垂直磁记录介质的磁性膜的介质表面的方向上取向并且适合用于高记录密度的系统。对于垂直磁记录系统，已经开发了一种具有记录灵敏度增加的磁性记录膜层和软磁性膜层的双层记录介质。作为磁记录膜层，通常使用CoCrPt-SiO2-系合金。至于软磁性膜层，另一方面，已知有基于Co或Fe的软磁性元素的合金，所述合金中添加了 Zr、Hf、Ta、Nb和B以用于改善非晶形性质。例如，提出了一种如在专利文献I中公开的用于在垂直磁记录介质中的软磁性膜层的合金，如在专利文献2中公开的一种Co-Fe-系合金派射祀材料及其制备方法。对于在这种垂直磁记录介质中的软磁膜层，需要高饱和磁通量密度、高非晶形性质和高的耐腐蚀性。此外，近年来，软磁性膜层更需要硬度，以降低由磁记录介质用磁盘和读/写头之间的接触所引起的磁盘损伤。日本专利公开公布2008-299905日本专利公开公布2008-189996申请人:已经发现，能够获得具有高饱和磁通密度、高非晶形性质和高耐腐蚀性的合金，以及通过将B量与Ta和/或Nb量的比率设定为某一比率，该合金甚至比在专利文献I中提出的合金具有更高的硬度。因此，本专利技术的目的是提供一种具有优异饱和磁通量密度、非晶形性质、耐腐蚀性和硬度的垂直磁记录介质用的软磁性合金；一种用于制备所述合金的膜的溅射靶材料；以及一种具有由所述合金制备的软磁性膜层的垂直磁记录介质。根据本专利技术的第一实施方案，提供一种用于在垂直磁记录介质中软磁性膜层的CoFeNi-系合金，其中所述CoFeNi-系合金包含以原子％计的如下各项Co+Fe+Ni : 70至92 %，条件是Ni含量可以为0 ;Ta :1 至 8%;以及B :多于7%且不多于20%，其中CoFeNi-系合金的组成(原子％ )满足下列比率Co/(Co+Fe+Ni) :0. I 至 0. 9 ;Fe/(Co+Fe+Ni) :0. I 至 0. 65 ;Ni/(Co+Fe+Ni) 0 至 0. 35 ;以及 B/Ta:l 至 8。根据本专利技术的第二实施方案，提供了一种用于在垂直磁记录介质中的软磁性膜层的CoFeNi-系合金,其中所述CoFeNi-系合金包含以原子％计的下列各项Co+Fe+Ni : 70至92 %，条件是Ni含量可以为0 ;Nb+Ta : I 至 8 % ;以及B :多于7%并且不多于20*%，其中所述CoFeNi-系合金的组成(原子％ )满足下列比率Co/(Co+Fe+Ni) :0. I 至 0. 9 ;Fe/(Co+Fe+Ni) :0. I 至 0. 65 ;Ni/(Co+Fe+Ni) 0 至 0. 35 ;以及B/(Nb+Ta) :1 至 8。根据本专利技术的第三实施方案，提供一种用于在垂直磁记录介质中的软磁性膜层的CoFeNi-系合金,其中所述CoFeNi-系合金包含以原子％计的下列各项Co+Fe+Ni : 70至92 %，条件是Ni含量可以为0 ;Zr+Hf+Nb+Ta : I 至 8 % ；B :多于7%并且不多于20% ；Zr+Hf :0 至小于 2% ;以及Al+Cr:0 至 5%，其中所述CoFeNi-系合金的组成(原子％ )满足下列比率Co/(Co+Fe+Ni) :0. I 至 0. 9 ;Fe/(Co+Fe+Ni) :0. I 至 0. 65 ;Ni/(Co+Fe+Ni) 0 至 0. 35 ;和B/(Nb+Ta) :1 至 8。根据本专利技术的另一个实施方案，提供一种由根据上述每一个实施方案的CoFeNi-系合金制备的溅射靶材料。根据本专利技术的再另一个实施方案，提供一种具有由根据上述每一个实施方案的CoFeNi-系合金制备的软磁性膜层的垂直磁记录介质。下面详细解释本专利技术。除非另外指出，在本文中描述的百分比)是指原子％(at% )。本专利技术涉及一种用于在垂直磁记录介质中的软磁性膜层的CoFeNi-系合金。所述CoFeNi-系合金包含以原子％计的以下各项Co+Fe+Ni : 70至92 %，条件是Ni含量可以为0 ;Ta : I 至 8 % (第一实施方案)>Nb+Ta : I 至 8 % (第二实施方案)，或 Zr+Hf+Nb+Ta I至8% (第三实施方案)；以及B :多于7%并且不多于20%，优选地基本上由上述元素组成，并且更优选地由上述元素组成。根据第三实施方案的CoFeNi-系合金可以进一步包含0至小于2%的量的Zr+Hf ;和0至5%的量的Al+Cr。在从第一至第三的每一个实施方案中，CoFeNi-系合金的组成(原子％)满足下列比率Co/(Co+Fe+Ni) :0. I 至 0. 9 ;Fe/(Co+Fe+Ni) :0. I 至 0. 65 ; Ni/(Co+Fe+Ni) 0 至 0. 35 ;和B/Ta:l 至 8。Co、Fe和Ni是具有软磁性的元素。Co、Fe和Ni的含量分别优选但不限于9至80%的Co含量；5至60%的Fe含量；和0至40%的Ni含量，更优选地，25至80%的Co含量；15至52%的Fe含量和0至10%的Ni含量。在本专利技术的合金中的Co、Fe和Ni的总含量(S卩，Co+Fe+Ni含量)是70至92%，优选80至92%。少于70%的Co+Fe+Ni含量导致饱和磁通密度不足，而多于92%的Co+Fe+Ni含量导致Zr、Hf、Ta、Nb和B的总量低，由此提供非晶形性不足。同时，当包含这三种元素时，饱和磁通密度总体上以Fe > Co > Ni的次序变得更低，而耐腐蚀性总体上以Ni > Co > Fe的次序变得更差。考虑到饱和磁通密度和耐腐蚀性之间的平衡，Co、Fe和Ni含量与Co+Fe+Ni含量的比率落入在下列的范围内Co/ (Co+Fe+Ni) :0. I 至 0. 9，优选 0. 3 至 0. 9 ;Fe/ (Co+Fe+Ni) :0. I 至 0. 65，优选 0. 2 至 0. 55 ;以及Ni/(Co+Fe+Ni) 0 至 0. 35，优选 0 至 0. 10。大于 0. 35 的 Ni/(Co+Fe+Ni)导致饱和磁通密度不足。小于0. I的Fe/(Co+Fe+Ni)导致饱和磁通密度不足，而大于0. 65的Fe/(Co+Fe+Ni)导致差的耐腐蚀性。以这样的方式测定Ni/(Co+Fe+Ni)和 Fe/(Co+Fe+Ni)的范围导致 Co/(Co+Fe+Ni)的下限为零(0)(在 Ni/(Co+Fe+Ni) = 0. 35 和 Fe/(Co+Fe+Ni) = 0. 65 的情况下)。当 Co含量非常低时，存在奇点(singularity)，在该点处饱和磁通密度在Ni/(Fe+Ni)的0. 25至0.本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：泽田俊之，长谷川浩之，清水悠子，
申请(专利权)人：山阳特殊制钢株式会社，
类型：发明
国别省市：