本发明专利技术公开了一种镍镉充电电池记忆效应消除装置。该镍镉充电电池记忆效应消除装置由1.2V镍镉充电电池、反激式间歇振荡电路、放电负载电路组成。镍镉充电电池在使用中如果放电不够彻底，就会产生记忆效应，记忆效应经过长期积累就会使镍镉充电电池无法使用。采用本发明专利技术所述的镍镉充电电池记忆效应消除装置，能够使镍镉充电电池完全放电，而且不会发生镍镉充电电池过放电的风险，而使镍镉充电电池的极性反转。本发明专利技术设计的消除记忆效应的放电电路可使镍镉充电电池放电放到0.7V，既保证了镍镉充电电池的正确放电，也不会发生电池极性反转现象，对镍镉充电电池性能“早衰”或者性能低下的均有一定修复作用，使其延迟了使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子与充电电池放电
，涉及一种镍镉充电电池记忆效应消除>J-U ρ α装直。
技术介绍
镍镉充电电池如果在使用过程中放电不够彻底，就会产生记忆效应，造成充电一次，原有电量就会减少一点，记忆效应经过长期积累就会使镍镉充电电池无法使用。要消除镍镉充电电池这种记忆效应，可采用本专利技术所述的镍镉充电电池记忆效应消除装置，使镍镉充电电池能够完全放电。但是，如果不采取特别的放电措施，镍镉充电电池会有过放电的风险，有可能使镍镉充电电池的极性发生反转。本专利技术设计的消除记忆效应的放电电路可 使镍镉充电电池放电放到O. 7V，这样既保证了镍镉充电电池的正确放电，也不会发生镍镉充电电池极性反转的现象，可对镍镉充电电池性能“早衰”或者性能低下的均有一定修复作用，使其延迟了使用寿命。以下详细说明本专利技术所述的镍镉充电电池记忆效应消除装置在实施过程中所涉及的
技术实现思路
。
技术实现思路
专利技术目的及有益效果镍镉充电电池在使用中如果放电不够彻底，就会产生记忆效应，记忆效应经过长期积累就会使镍镉充电电池无法使用，采用本专利技术所述的镍镉充电电池记忆效应消除装置，可使镍镉充电电池能够完全放电。而且不会发生镍镉充电电池过放电的风险，而使镍镉充电电池的极性反转。本专利技术设计的消除记忆效应的放电电路可使镍镉充电电池放电放到O. 7V，既保证了镍镉充电电池的正确放电，也不会发生电池极性反转现象，对镍镉充电电池性能“早衰”或者性能低下的均有一定修复作用，使其延迟了使用寿命。电路工作原理镍镉充电电池记忆效应消除装置的电路在接通I. 2V镍镉充电电池后，镍镉充电电池经过电阻Rl和高频变压器T的LI绕组使NPN型晶体管VTl的基极一发射极通电，NPN型晶体管VTl因高频变压器T绕组的正反馈作用而很快导通，在NPN型晶体管VTl导通后趋于稳态，这时高频变压器T两个绕组的交流阻抗消失，直流电阻几乎为0，这时NPN型晶体管VTl的集电极一发射极之间电压很低，不能使发光二极管LEDl LED2发光。NPN型晶体管VTl的基极电压低于NPN型晶体管导通门限电压O. 7V时，于是使NPN型晶体管VTl截止。NPN型晶体管VTl截止的瞬间，因高频变压器T的L2绕组中的储能与镍镉充电电池电压相加而使发光二极管LEDl LED2发光。在发光二极管LEDl LED2发光期间，高频变压器T的LI绕组又有电流流过，使NPN型晶体管VTl再次因高频变压器T的正反馈导通,如此周而复始产生间歇振荡,振荡频率约在1kHz。在反激式间歇振荡电路间歇振荡期间，NPN型晶体管VTl导通时高频变压器T的L2绕组积蓄电能，这时发光二极管LEDl LED2不发光。当NPN型晶体管VTl截止时，高频变压器T的L2绕组储能与镍镉充电电池电压串联使发光二极管LEDI LED2发光，镍镉充电电池得以间歇放电，随着镍镉电池放电其电压也逐渐减小。当镍镉充电电池电压放电电压低于NPN型晶体管导通门限电压O. 7V时，发光二极管LEDl LED2将不再发光，镍镉充电电池放电过程结束。技术方案镍镉充电电池记忆效应消除装置，它由I. 2V镍镉充电电池、反激式间歇振荡电路、放电负载电路组成，其特征包括反激式间歇振荡电路由NPN型晶体管VTI、电阻Rl和高频变压器T组成，NPN型晶体管VTl的基极接高频变压器T的LI绕组同名端，高频变压器T的LI绕组异名端通过电阻Rl接电路正极VCC，NPN型晶体管VTl的集电极接高频变压器T的L2绕组异名端，高频变压器T的L2绕组同名端接电路正极VCC，NPN型晶体管VTl的发射极接电路地GND ；放电负载电路由发光二极管LEDl和发光二极管LED2组成，发光二极管LEDl和发光二极管LED2的正极接NPN型晶体管VTl的集电极，发光二极管LEDl的负极和发光二极管LED2的负极接电路地GND。 I. 2V镍镉充电电池的正极接电路正极VCC，I. 2V镍镉充电电池的负极与电路地GND相连。附图说明附图I是镍镉充电电池记忆效应消除装置在实施例中所用的电路工作原理图。具体实施例方式按照附图I所示镍镉充电电池记忆效应消除装置的电路工作原理图和附图说明，并且按照
技术实现思路
所述的各部分电路中元器件之间的连接关系，以及实施方式中所述的元器件技术参数要求进行实施即可实现本专利技术。元器件名称及主要技术参数高频变压器T的制作选用Φ 8 “工”型高频磁芯，LI绕组使用Φ O. 21mm (36号)漆包线分层平绕30圈，L2绕组用￠0. 21mm漆包线分层平绕15圈，注意标识各绕组同名端，绕组之间须垫用绝缘材料；VTl为NPN型晶体管，选用的型号为2SC9013 (或BC547)，要求β彡160 ;电阻Rl的阻值为150 Ω ；LED1、LED2为发光二极管，可选用两只直径为红色发光二极管。电路制作要点及电路调试因镍镉充电电池记忆效应消除装置的电路结构非常简单、制作比较容易，一般情况下只要使用的元器件性能完好，元器件的物理连接正确无误，电路不需要进行任何调试即可正常工作；在电路接通I. 2V镍镉充电电池后，发光二极管LEDl和发光二极管LED2没有被点亮，说明反激式间歇振荡电路没有起振，可以将高频变压器T的L2绕组两端对调一下即可；为缩短镍镉充电电池的放电时间，可在发光二极管LEDl LED2两端并联几只型号相同的发光二极管，以加大放电负载； 如果镍镉充电电池放电后的仍然有一定的电量，可用本装置对镍镉充电电池再进行一次放电；经过这种方法放电处理，镍镉充 电电池记忆效应可以彻底消除，可以使镍镉充电电池恢复原来的容量。权利要求1.一种镍镉充电电池记忆效应消除装置，它由I. 2V镍镉充电电池、反激式间歇振荡电路、放电负载电路组成，其特征包括 反激式间歇振荡电路由NPN型晶体管VTI、电阻Rl和高频变压器T组成，NPN型晶体管VTl的基极接高频变压器T的LI绕组的同名端，高频变压器T的LI绕组异名端通过电阻Rl接电路正极VCC，NPN型晶体管VTl的集电极接高频变压器T的L2绕组异名端，高频变压器T的L2绕组同名端接电路正极VCC，NPN型晶体管VTl的发射极接电路地GND ； 放电负载电路由发光二极管LEDl和发光二极管LED2组成，发光二极管LEDl和发光二极管LED2的正极接NPN型晶体管VTl的集电极，发光二极管LEDl的负极和发光二极管LED2的负极接电路地GND。2.根据权利要求I所述的镍镉充电电池记忆效应消除装置，其特征是1.2V镍镉充电电池的正极接电路正极VCC，I. 2V镍镉充电电池的负极与电路地GND相连。全文摘要本专利技术公开了一种镍镉充电电池记忆效应消除装置。该镍镉充电电池记忆效应消除装置由1.2V镍镉充电电池、反激式间歇振荡电路、放电负载电路组成。镍镉充电电池在使用中如果放电不够彻底，就会产生记忆效应，记忆效应经过长期积累就会使镍镉充电电池无法使用。采用本专利技术所述的镍镉充电电池记忆效应消除装置，能够使镍镉充电电池完全放电，而且不会发生镍镉充电电池过放电的风险，而使镍镉充电电池的极性反转。本专利技术设计的消除记忆效应的放电电路可使镍镉充电电池放电放到0.7V，既保证了镍镉充电电池的正确放电，也不会发生电池极性反转现象，对镍镉充电电池性能“早衰”或者性能低下的均有一定修复作用，使本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种镍镉充电电池记忆效应消除装置，它由1.2V镍镉充电电池、反激式间歇振荡电路、放电负载电路组成，其特征包括：反激式间歇振荡电路由NPN型晶体管VT1、电阻R1和高频变压器T组成，NPN型晶体管VT1的基极接高频变压器T的L1绕组的同名端，高频变压器T的L1绕组异名端通过电阻R1接电路正极VCC,？NPN型晶体管VT1的集电极接高频变压器T的L2绕组异名端，高频变压器T的L2绕组同名端接电路正极VCC，NPN型晶体管VT1的发射极接电路地GND；放电负载电路由发光二极管LED1和发光二极管LED2组成，发光二极管LED1和发光二极管LED2的正极接NPN型晶体管VT1的集电极，发光二极管LED1的负极和发光二极管LED2的负极接电路地GND。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄宇嵩，
申请(专利权)人：黄宇嵩，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。