显示面板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示面板，包括阵列基板与彩膜基板，所述阵列基板包括多根数据线，所述彩膜基板包括公共电极，所述阵列基板还包括屏蔽电极，其设置在所述多根数据线上方，且所述屏蔽电极与公共电极之间形成电场以使得所述屏蔽电极对应的显示面板的区域不透光。相应地，本发明专利技术还提供所述显示面板的制作方法以及包括所述显示面板的显示装置。本发明专利技术所述显示面板不但能够消除侧视或按压时会产生漏光的缺陷，还进一步减小了黑矩阵的宽度，从而提高了单元像素的开口率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于显示器制造
，具体涉及ー种显示面板、所述显示面板的制作方法以及包括所述显示面板的显示装置。
技术介绍
随着显示器制造技术的发展，液晶显示器技术发展迅速，已经逐渐取代了传统的显像管显示器而成为未来平板显示器的主流。在液晶显示器
中，TFT-IXD (ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)以其大尺寸、高度集成、功能強大、エ艺灵活、低成本等优势而广泛应用于电视机、电脑、手机等领域。其中，TN (Twisted Nematic,扭曲向列技术)显示面板由于具有低廉的生产成本而成为目前应用最广泛的入门级液晶显示面板，并且在市面上主流的中低端液晶显示器中 被广泛使用。TN显示面板是由阵列基板(即TFT基板)和彩膜基板(即CF基板)对盒组装并灌注液晶制成。一般的，所述阵列基板上形成有栅线(即扫描线)图形、数据线(即信号线)图形、TFT图形、过孔图形以及像素电极(即显示电极)图形，其中，多根栅线及多根数据线交叉定义若干个像素単元，每个像素単元均包括ー个TFT元件(包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极)及ー个像素电极；所述彩膜基板上形成有黑矩阵(BM)图形、RGB图形以及公共电极图形等。所述阵列基板中的像素电极通过栅线、数据线、TFT以及过孔等共同作用，用于储存电荷并与彩膜基板中的公共电极之间形成电场，以驱动位于像素电极与公共电极之间的液晶分子发生偏转，从而显示不同的图像。具体的，所述栅线进行逐行扫描时，数据线依次给被扫描行的像素单元中的像素电极充电，扫描结束后该行的像素电极将保持所充电荷直至下一帧该行被再次扫描吋。数据线的电压在ー帧内不断变化，用于为各行的像素电极充电。如图I所示，为了避免像素电极8与数据线10之间发生电容耦合，像素电极的图形一般与数据线的图形相隔一段距离，因此像素电极8与数据线10之间、公共电极13与数据线10之间会形成电场。由于数据线依次给各扫描行的像素电极充电时，其本身的电压会不断变化，导致像素电极与数据线之间的电场的电压差以及公共电极与数据线之间的电场的电压差也不断变化，且像素电极与数据线之间的电场、以及公共电极与数据线之间的电场的电压差的RMS (Root Mean Square，均方根)值处于中间状态而非极值，导致每根数据线的上方及两侧的液晶分子无法有效偏转，对于常白模式的显示面板来说，由于所述RMS值无法处于极大值，会导致每根数据线的上方及两侧的液晶分子无法偏转至直立态(相对于基板);对于常黑模式的显示面板来说，由于所述RMS值无法处于极小值，会导致每根数据线的上方及两侧的液晶分子无法偏转至水平状态(相对于基板)，因而，使得无论是常白模式的显示面板还是常黑模式的显示面板进行暗态检查时，在侧视或按压的情况下极易发生漏光，形成画质不良。为克服上述缺陷，现有技术中一般会采用增加彩膜基板中的黑矩阵的宽度的方法避免或减轻漏光，但是这种方法势必会降低単元像素的开ロ率
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中所存在的上述缺陷，提供一种能够消除侧视或按压时产生漏光缺陷的显示面板、所述显示面板的制作方法以及包括所述显示面板的显示装置。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是所述显示面板包括阵列基板与彩膜基板，所述阵列基板包括多根数据线，所述彩膜基板包括公共电极，其中，所述阵列基板还包括屏蔽电极，其设置在所述多根数据线上方，且所述屏蔽电极与公共电极之间形成电场以使得所述屏蔽电极对应的显示面板的区域不透光。优选的是，所述阵列基板还包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述屏蔽电极与多根数据线之间，以使得所述屏蔽电极与多根数据线互不导通。优选的是，所述显示面板采用常白模式的显示面板，所述屏蔽电极相对公共电极处于低电位以使得屏蔽电极与公共电极之间形成强电场；或者，所述显示面板采用常黑模式的显示面板，所述屏蔽电极与公共电极的电位相等或相差不大以使得屏蔽电极与公共电极之间无电场或形成弱电场。优选的是，所述显示面板采用常白模式的显示面板，所述屏蔽电极采用多个，所述阵列基板还包括多根栅线，所述多根栅线与所述多根数据线交叉设置，每个屏蔽电极均设置在相邻两根栅线之间的数据线上方，且与所述相邻两根栅线中的任一相连。优选的是，所述显示面板采用常黑模式的显示面板，所述阵列基板还包括多根栅线及多根公共电极线，所述多根栅线与所述多根数据线交叉设置，所述多根公共电极线分别与所述公共电极相连，且每根公共电极线均与一根栅线平行设置；所述屏蔽电极采用ー个，该屏蔽电极与多根公共电极线中的任ー相连；或者，所述屏蔽电极采用多个，每个屏蔽电极均设置在相邻两根栅线之间的数据线上方，且与相邻的ー根公共电极线相连；或者，所述屏蔽电极采用多个，每个屏蔽电极均设置在一根数据线的上方，且与多根公共电极线中的任一相连。本专利技术同时提供ー种包括上述显示面板的显示装置。本专利技术还提供一种显示面板的制作方法，包括制作阵列基板与彩膜基板的步骤，所述制作阵列基板的步骤中包括制作多根数据线的图形的步骤，所述制作彩膜基板的步骤中包括制作公共电极的图形的步骤，其中，所述制作阵列基板的步骤中还包括制作屏蔽电极的图形的步骤，并使屏蔽电极位于多根数据线上方，且与公共电极之间形成电场以使得所述屏蔽电极对应的显示面板的区域不透光。优选的是，所述制作阵列基板的步骤中还包括制作绝缘层的图形的步骤，所制作的绝缘层位于屏蔽电极与多根数据线之间，以使得所述屏蔽电极与多根数据线互不导通。优选的是，所述制作阵列基板的步骤中还包括制作多根栅线的图形的步骤，并使所述多根栅线与所述多根数据线交叉设置；在制作屏蔽电极的图形的步骤中，所制作的屏蔽电极为多个，使每个屏蔽电极均位于相邻两根栅线之间的数据线上方，且与所述相邻两根栅线中的任一相连。优选的是，所述制作阵列基板的步骤中还包括制作多根栅线及多根公共电极线的步骤，并使所述多根栅线与所述多根数据线交叉设置，使所述多根公共电极线分别与所述公共电极相连，且每根公共电极线均与一根栅线平行设置；在制作屏蔽电极的图形的步骤中，所制作的屏蔽电极为ー个，使该屏蔽电极与多根公共电极线中的任ー相连；或者，在制作屏蔽电极的图形的步骤中，所制作的屏蔽电极为多个，使每个屏蔽电极均位于相邻两根栅线之间的数据线上方，且与相邻的ー根公共电极线相连；或者，在制作屏蔽电极的图形的步骤中，所制作的屏蔽电极为多个，使每个屏蔽电极均位于ー根数据线上方，且与多根公共电极线中的任一相连。 优选的是，所述制作阵列基板的步骤中还包括制作像素电极的图形的步骤，所述屏蔽电极的图形与像素电极的图形在同一次构图エ艺中完成，且所述屏蔽电极的图形与像素电极的图形互不重合；所述屏蔽电极与像素电极的材质相同。有益效果I)本专利技术所述显示面板在数据线上方设置了屏蔽电极，对于常白模式的显示面板来说，使屏蔽电极与公共电极之间形成强电场，则位于屏蔽电极上方及两侧的液晶分子能够有效偏转至直立态(相对于基板)，使得屏蔽电极对应的显示面板的区域不透光；对于常黑模式的显示面板来说，使屏蔽电极与公共电极之间无电场或形成弱电场，则位于屏蔽电极上方及两侧的液晶分子能够有效偏转至水平态(相对于基板)，使得屏蔽电极对应的显示面板的区域不透光；故本专利技术所述显本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，包括阵列基板与彩膜基板，所述阵列基板包括多根数据线，所述彩膜基板包括公共电极，其特征在于，所述阵列基板还包括屏蔽电极，其设置在所述多根数据线上方，且所述屏蔽电极与公共电极之间形成电场以使得所述屏蔽电极对应的显示面板的区域不透光。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林鸿涛，封宾，刘家荣，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：