聚合物组合物以及包含所述聚合物的光刻胶制造技术

一种聚合物组合物以及包含所述聚合物的光刻胶。一种共聚物，其包含式(I)所示碱溶性单体和可与式(I)所示碱溶性单体共聚的其他单体的聚合产物：其中，Ra是H、F、C1-10烷基、或C1-10氟烷基，L1是m价的C2-30亚烷基、C3-30亚环烷基、C6-30亚芳基、C7-30亚芳烷基基团，X1独立地是碱溶性有机基团，其包含β-二酮、β-酯-酮、β-二酯或包含上述至少一种的组合。

【技术实现步骤摘要】
聚合物组合物以及包含所述聚合物的光刻胶相关申请的交叉引用本申请是2011年5月27日提交的申请号为61/490，883的美国临时申请的正式申请，要求该临时申请的优先权，其全部内容在此弓I入作为参考。
技术介绍
光刻胶，特别是为193nm光刻配制的那些光刻胶，倾向于具有极低的未曝光溶解速率。不同于在248nm曝光波长下使用的深紫外(DUV)光刻胶聚合物，其主要基于能使聚合物在碱性显影剂中溶解的碱溶性4-羟基苯乙烯单体(HSM)衍生单元，193nm光刻胶聚合物不能包含最常用的芳族单体，例如在193nm具有高吸收率的HSM。作为替代，已使用包含其它碱溶性基团的单体单元，或在193nm具有相对低吸收率的那些芳族单体，例如较少吸收性的2-羟基-6-乙烯基-萘或包含六氟醇基(HFA)单元的单体。然而迄今为止，包含基于这些碱溶性基团的聚合物的光刻胶显示出低线宽粗糙度(LWR)。另外，相对于非-氟化单 体例如HSM，就HFA基单体而言，由于氟的存在，包含这些基团的聚合物不利地降低了抗蚀刻性。已记载有具有碱溶性和高透明性的其它官能团，例如在日本专利JP63_127237、JP1998-060056和JP 1999-1065953，以及欧洲专利EP 0875496 Al中发现的那些官能团。然而，仍然需要用于193nm的、显示出改善LWR和蚀刻控制的光刻胶聚合物。
技术实现思路
现有技术的上述缺陷及其它不足可通过下述实施方案克服。在一个实施方案中，提供了一种共聚物，其包含式(I)所示碱溶性单体和可与式(I)所示碱溶性单体共聚的其他单体的聚合产物权利要求1.一种共聚物，其包含式(I)所示的碱溶性单体和可与式(I)所示碱溶性单体共聚的其他单体的聚合产物2.如权利要求I所述的共聚物，其特征在于，每个X1独立地是3.如权利要求I所述的共聚物，其特征在于，所述碱溶性单体为式(II)所示单体4.如权利要求I所述的共聚物，其特征在于，所述碱溶性单体是5.如权利要求I所述的共聚物，其特征在于，所述其他单体是含有可酸脱保护的碱溶性基团的(甲基)丙烯酸酯单体、含有内酯官能团的(甲基)丙烯酸酯单体、含有不同于式(I)中碱溶性基团的碱溶性基团的(甲基)丙烯酸酯单体，或包含至少一种上述单体的组口 ο6.如权利要求5所述的共聚物，其特征在于，所述可酸脱保护的单体包括7.如权利要求5所述的共聚物，其特征在于，所述含有内酯的单体包含8.如权利要求5所述的共聚物，其特征在于，所述其他碱溶性(甲基)丙烯酸酯单体包括9.一种光刻胶，其包含 一种共聚物，该共聚物包含权利要求1-8中中任一项所述的聚合产物； 光产酸剂；和 任选的第二种酸敏聚合物，以及胺或酰胺添加剂。10.一种包含如权利要求9所述光刻胶的涂膜。全文摘要一种聚合物组合物以及包含所述聚合物的光刻胶。一种共聚物，其包含式(I)所示碱溶性单体和可与式(I)所示碱溶性单体共聚的其他单体的聚合产物其中，Ra是H、F、C1-10烷基、或C1-10氟烷基，L1是m价的C2-30亚烷基、C3-30亚环烷基、C6-30亚芳基、C7-30亚芳烷基基团，X1独立地是碱溶性有机基团，其包含β-二酮、β-酯-酮、β-二酯或包含上述至少一种的组合。文档编号G03F7/09GK102796223SQ20121024299公开日2012年11月28日 申请日期2012年5月28日 优先权日2011年5月27日专利技术者G·P·普洛科泊维兹, G·波勒斯, 李明琦, C·吴, 刘骢, C·徐 申请人:罗门哈斯电子材料有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共聚物，其包含式(I)所示的碱溶性单体和可与式(I)所示碱溶性单体共聚的其他单体的聚合产物：其中：Ra是H、F、C1？10烷基、或C1？10氟烷基，L1是m价的C2？30亚烷基、C3？30亚环烷基、C6？30亚芳基、C7？30亚芳烷基基团；X1独立地是一种碱溶性有机基团，其包含β？二酮、β？酯？酮、β？二酯或包含上述至少一种的组合。FSA00000748779900011.tif

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：G·P·普洛科泊维兹，G·波勒斯，李明琦，C·吴，刘骢，C·徐，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：