一种分级花状空心结构CuS的制备方法技术

一种分级花状空心结构CuS的制备方法，它涉及一种纳米CuS的制备方法。本发明专利技术是要解决现有技术制备的CuS纳米材料存在的比表面积小，从而导致光催化活性低的技术问题。方法：首先将无机铜盐完全溶解于醇中；其次加入硫源溶解后陈化；再将上诉陈化后的溶液加入到衬有聚四氟乙烯的高压反应釜中进行溶剂热反应，然后自然冷却至室温；最后依次经分离、洗涤和干燥即得到分级花状空心结构CuS。本发明专利技术制备的一种分级花状空心结构CuS可应用于太阳能电池、电化学、气敏、催化等领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种纳米CuS的制备方法。
技术介绍
由于人们对环境质量的要求不断提高和现有的随着环保技术的发展，高活性的光催化材料因其在污水处理和空气净化等领域的重要应用而倍受人们的关注。CuS是一种窄带隙的P型半导体，禁带宽度为1.85eV。CuS可被550nm的光激发，完全可在太阳光的辐射下引发光催化反应。CuS易于合成，方法简单并易于操作，而且产率较高。目前，CuS在应用方面仍有不足。CuS是窄带隙半导体，可以被可见光激发，因此被认为是一种重要的可见光响应的半导体催化剂。但是一些研究表明，CuS材料的可见光催 化活性仍然较低。因此，如何提高CuS的光催化活性是目前和今后需要解决的问题。人们对光催化反应的研究表明，材料的形貌，吸附能力和电子分离能力是影响材料光催化性质的主要因素，其中形貌的影响尤为突出。以往也合成具有特殊形貌的CuS，例如纳米晶、纳米粒子。受CuS现有合成方法和形貌的限制，CuS多为纳米球的形式，其比表面积为40 50m2/g，存在比表面积小的问题，这些都严重影响材料的吸附性能、对光的吸收以及电子分离能力，因而这些几何形貌的CuS光催化活性一般比较低。专利技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分级花状空心结构CuS的制备方法，其特征在于分级花状空心结构CuS制备方法是按以下步骤完成的：一、在30℃下将无机铜盐完全溶于醇中，配置成Cu2+摩尔浓度为0.03～0.05mol/L的无机铜盐的醇溶液；二、在30℃下向步骤一制备的无机铜盐的醇溶液中加入硫源，硫源与无机铜盐的醇溶液的物质的量比为1∶(1～3)，在100r/min～300r/min的搅拌速度下搅拌10min～30min，再陈化12～36h；三、将步骤二陈化后的溶液加入到衬有聚四氟乙烯的高压反应釜中进行溶剂热反应，反应温度为70～120℃的，热反应时间为4h～12h，然后自然冷却至25～30℃，得到黑色的CuS沉淀；四、将步骤...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：付宏刚，孟祥影，田国辉，陈亚杰，周娟，曹芯蕊，曲阳，
申请(专利权)人：黑龙江大学，
类型：发明
国别省市：