具有电流阻挡效应的垂直发光二极管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种具有电流阻挡效应的垂直发光二极管及其制作方法。该LED结构包括：永久基板；p型GaN基外延层，位于所述永久基板之上；发光层，位于所述p型GaN基外延层之上；n型GaN基外延层，位于所述发光层之上；n电极，位于n型GaN基外延层之上；激光烧蚀部，形成于n型GaN基外延层与发光层之间，并且在垂直投影面上激光烧蚀部的位置与n电极对应。通过激光辐照热分解在n型GaN基外延层与发光层之间形成激光烧蚀区作为电流阻挡层，以改善电流分布，减小电极吸光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管及其制作方法，更为具体地，涉及一种。
技术介绍
近年来，垂直薄膜结构GaN基发光二极管(LED)已成为研究开发的新热点。与常规结构比较，垂直结构LED通过衬底转移，形成电极上下分布，电流垂直注入，解决了常规结构GaN基LED器件中因电极水平分布、电流横向注入导致的诸如散热不佳，电流分布不均、可靠性差等一系列问题。垂直结构LED芯片的η电极一般位于出光面顶部，其存在会遮挡并吸收有源层发出的光。为了尽量避免η电极对于发光的遮挡和吸收，通常在垂直芯片的内部引入电流阻挡层以限制或者大幅减少η电极下方有源层的发光。例如，在ρ型外延层与ρ型接触金属层之间插入绝缘材料(如氧化硅、氮化硅等)作为电流阻挡层，其大小和位置与η电极大致相当，这样可以大大改善η电极的挡光和吸光。然而，用作电流阻挡层的氧化硅或者氮化硅等绝缘材料与P型接触金属层的黏附度不佳，会影响晶圆键合的牢固度，从而造成衬底剥离良率降低并影响可靠性。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供，通过激光辐照热分解在η型GaN基外延层与发光层之间形成激光烧蚀区作为电流阻挡层，以改善电流分布，减小电极吸光。根据实现上述目的的具有电流阻挡效应的垂直发光二极管，其结构包括永久基板$型GaN基外延层,位于所述永久基板之上；发光层,位于所述ρ型GaN基外延层之上；η型GaN基外延层，位于所述发光层之上；η电极，位于η型GaN基外延层之上；激光烧蚀部，形成于η型GaN基外延层与发光层之间，并且在垂直投影面上激光烧蚀部的位置与η电极对应。根据实现上述目的的具有电流阻挡效应的垂直发光二极管制作方法，包括步骤 1)在一永久基板上形成外延层，其至上而下包括η型GaN基外延层、发光层和ρ型GaN基外延层； 2)采用激光照射部分η型GaN基外延层，在η型GaN基外延层与发光层之间形成一激光烧蚀部； 3)在η型GaN基外延层上制作η电极，其在垂直投影面的位置与激光烧蚀部对应。本专利技术采用激光辐照热分解方式在η型GaN基外延层与发光层之间形成具有电流阻挡作用的激光烧蚀部。发光层表面经过高能量脉冲激光照射并吸收其能量，从而热分解可形成一空隙结构。本专利技术在垂直GaN基发光二极管的η端引入空隙电流阻挡层，可以有效避免P端设计绝缘介质阻挡层对于衬底键合和剥离的不利影响，并具有更高的可靠性。、本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明图I是本专利技术优选实施例的具有电流阻挡效应的垂直发光二极管的结构示意图。图2 图7是本专利技术优选实施例的具有电流阻挡效应的垂直发光二极管制作步骤示意图。 图中部件符号说明 100:蓝宝石衬底 101:缓冲层102=U-GaN 层103n-GaN 层104=MQff 层105 p-GaN 层110 :空隙200 :娃基板210 p反射电极220 :金属叠层230 p电极240A n电极焊盘240B n电极扩展条300 =Ni掩膜 310 :激光福照区。具体实施方式: 下面将结合示意图对本专利技术的LED结构及其制作方法进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。本专利技术的核心思想在于提供一种，通过激光辐照热分解在η型GaN基外延层与发光层之间形成激光烧蚀区作为电流阻挡层，以改善电流分布，减小电极吸光。下面各实施例公开了一种，该LED结构包括永久基板$型GaN基外延层,位于所述永久基板之上；发光层,位于所述ρ型GaN基外延层之上；η型GaN基外延层,位于所述发光层之上；η电极,位于η型GaN基外延层之上；激光烧蚀部，形成于η型GaN基外延层与发光层之间，并且在垂直投影面上激光烧蚀部的位置与η电极对应。进一步，结合上述LED结构，本专利技术还提供了一种制造方法，包括以下步骤1)在一永久基板上形成外延层，其至上而下包括η型GaN基外延层、发光层和ρ型GaN基外延层；2)采用激光照射部分η型GaN基外延层，在η型GaN基外延层与发光层之间形成一激光烧蚀部；3)在η型GaN基外延层上制作η电极；其中，η电极在垂直投影面的位置与激光烧蚀部对应。在一些优先实施例中，永久基板材料选自硅、铜、镍、钴、钥、陶瓷、蓝宝石、氮化镓、氧化锌、氮化铝或其组合。在一些优先实施例中，在垂直投影面上所述激光烧蚀部的位置和大小与η电极相当或相同。在一些优选实施例中，所述激光烧蚀部是发光层材料经过激光烧蚀热分解形成的空隙结构。在一些实施例中，一种具有电流阻挡效应的垂直LED可以通过下面方法制备提供临时衬底，在其上依次外延生长η型GaN基外延层、发光层和ρ型GaN基外延层；提供永久基板，将其与上述临时衬底之外延层通过金属叠层进行粘结键合；去除临时衬底，并暴露 出η型GaN基外延层；采用光刻定义辐照区和非辐照区，非辐照区覆盖掩膜；采用激光照射辐照区，激光光子能量介于GaN与发光层禁带宽度之间，激光照射造成辐照区的发光层部分热分解，并在η型GaN基外延层和发光层之间形成空隙；制作η电极，并使得η电极在垂直投影面的位置及大小与辐照区相当或者相同。下面结合附图和优选实施例对本专利技术作进一步说明。实施例 如附图I所示的具有电流阻挡效应的垂直发光二极管结构，包括硅基板200、n-GaN层103、多量子阱有源层(MQW) 104、p-GaN层105、空隙110、p反射电极210、金属叠层220、p电极230、η电极焊盘240Α和η电极扩展条。其中，娃基板200具有两个主表面，正面和背面；金属叠层220形成于娃基板200的正面之上，其结构为Cr/Pt/Au/Pt/Cr，厚度50/50/1000/50/50nm ；p反射电极210形成于金属叠层220之上，其材料为Ag，厚度200nm ;p_GaN层105形成于ρ反射电极210之上；多量子阱有源层104形成于p-GaN层105之上，其发光主波长为460nm ；n-GaN层103形成于多量子阱有源层104之上；n电极包括两个部分，η电极焊盘240Α和η电极扩展条240Β形成于n-GaN层103之上；p电极230形成于娃衬底200的背面；在与η电极焊盘240Α和η电极扩展条240Β垂直投影面的对应位置上，还包含空隙110形成于n-GaN层103和多量子阱有源层104之间，并且空隙大小与η电极焊盘240Α和η电极扩展条240Β相仿。附图2 7是上述结构的具有电流阻挡效应垂直发光二极管的制作步骤示意图，具体包括下面步骤。第一步参考附图2，在蓝宝石衬底100上生长GaN基外延层，依次包括；缓冲层IOUu-GaN层102、n-GaN层103、多量子阱有源层104和p-GaN层105，其中，多量子阱有源层104的发光主波长为460nm。第二步参考附图3，在p-GaN层105上制作ρ反射电极210，反射电极材料选择Ag，厚度200nm，键合硅基板200与蓝宝石衬底100，使得硅基板200的正面与ρ反射电极210通过金属叠层220粘结键合，其中金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有电流阻挡效应的垂直发光二极管，包括：永久基板；p型GaN基外延层，位于所述永久基板之上；发光层，位于所述p型GaN基外延层之上；n型GaN基外延层，位于所述发光层之上；n电极，位于n型GaN基外延层之上；激光烧蚀部，形成于n型GaN基外延层与发光层之间，并且在垂直投影面上激光烧蚀部的位置与n电极对应。

【技术特征摘要】
1.具有电流阻挡效应的垂直发光二极管，包括 永久基板； P型GaN基外延层,位于所述永久基板之上； 发光层，位于所述P型GaN基外延层之上； η型GaN基外延层,位于所述发光层之上； η电极,位于η型GaN基外延层之上； 激光烧蚀部，形成于η型GaN基外延层与发光层之间，并且在垂直投影面上激光烧蚀部的位置与η电极对应。2.根据权利要求I所述的具有电流阻挡效应的垂直发光二极管，特征在于所述激光烧蚀部为一空隙结构。3.根据权利要求I所述的具有电流阻挡效应的垂直发光二极管，特征在于所述激光烧蚀部是发光层材料经过激光烧蚀热分解形成。4.根据权利要求I所述的具有电流阻挡效应的垂直发光二极管，特征在于在垂直投影面上所述激光烧蚀部的位置和大小与η电极相当或相同。5.根据权利要求I所述的具有电流阻挡效应的垂直发光二极管，特征在于所述永久基板材料选自硅、铜、镍、钴、钥、陶瓷、蓝宝石、氮化镓、氧化锌、氮化铝或其组合。6.具有电流阻挡效应的垂直发光二极管其制作方法，包括步骤 1)在一永久基板上形成外延层，其至上而下包括η型GaN基外延层、发光层和ρ型GaN基外延层； 2)采用激光照射部分η型GaN基外延层，在η型GaN...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘群峰，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：