【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及清洁、漂洗和干燥半导体晶片，尤其是涉及用于在湿法漂洗或清洁エ艺之后干燥半导体晶片的方法和系统。
技术介绍
半导体器件的关键尺寸在器件宽度和/或器件间距两者上都縮小到2X (B卩，大约20-30nm)和IXnm (B卩，小于大约20nm)。随着关键尺寸变得越来越小，高深宽比结构(例如，深度对宽度的深宽比大于5比I)的湿法处理变得越来越具有挑战性。结构变得如此精细以致制备表面的状态和/或移除不需要的残余物所需的这些结构的湿法处理往往会引起损害。所述损害因来自清洁和漂洗、超音波、射流和其他颗粒移除技术所需的流场的カ可以是机械性的。这样的损害往往发生在具有小行几何结构(small line geometries)的稀疏图案上并呈现为虚线和部分缺失线(missing line)。 图I示出了相对分离的行结构(line structure)106上的损害的一个实施例。行结构106在半导体晶片101的表面105上方。行结构106的部分102、104从该行结构脱离。因此，行结构106是不完整的且具有缺ロ 107。部分102、104可通过诸如喷嘴喷射流过晶片表面的漂洗流体或液体之类的相对较小的力或由换能器或其他源施加到所述液体或半导体晶片101的兆声波能量从行结构106脱离。图2A示出了受到因干燥时的表面张カ而导致的损害的影响的密集行结构202-212的理想集群200的实施例的剖视图。图2B示出了受到因干燥时的表面张カ而导致的损害的影响的密集行结构202-212的理想集群200的实施例的顶视图。行结构202-212在干燥时还会由于干燥中的液体的表面张カ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.12.11 US 61/285,949;2010.12.11 US 12/965,8281.用于利用低表面张カ液体处理和干燥晶片的系统，包括低表面张カ液体源，其包括能够将所述低表面张カ液体加热到低于所述低表面张カ液体的沸点不多于25摄氏度的第一热源； 用于将已加热的所述低表面张カ液体输送到气体/液体交界区域的输送机构；以及被定向到所述气体/液体交界区域的第二热源，所述第二热源能够将所述气体/液体交界区域加热到高于所述低表面张カ液体的所述沸点至少2摄氏度。2.如权利要求I所述的系统，其中所述气体/液体交界区域在晶片的表面上。3.如权利要求2所述的系统，进一歩包括致动器以移动所述气体/液体交界区域横贯所述晶片的所述表面。4.如权利要求2所述的系统，其中所述第二热源被定向到所述晶片的正面和背面中的至少ー者。5.如权利要求2所述的系统，其中所述第二热源包括被定向到所述晶片的正面的前侧热源和被定向到所述晶片的所述背面的后侧热源。6.如权利要求2所述的系统，其中用于将已加热的所述低表面张カ液体输送到气体/液体交界区域的所述输送机构包括包含一定数量的已加热的所述低表面张カ液体的储液器且其中所述气体/液体交界区域邻近所述一定数量的已加热的所述低表面张カ液体的表面。7.如权利要求2所述的系统，其中用于将已加热的所述低表面张カ液体输送到气体/液体交界区域的所述输送机构包括被定向到所述气体/液体交界区域的喷嘴，用于在所述晶片的所述表面上喷涂已加热的所述低表面张カ液体。8.如权利要求2所述的系统，其中用于将已加热的所述低表面张カ液体输送到气体/液体交界区域的所述输送机构包括能够在邻近头表面和所述晶片的表面之间形成弯液面的邻近头，其中所述气体/液体交界区域是所述弯液面的后缘。9.利用低表面张カ液体漂洗表面的方法，包括 将所述低表面张カ液体加热到低于所述低表面张カ液体的沸点不多于25摄氏度的温度； 将已加热的所述低...
【专利技术属性】
技术研发人员：卡特里娜·米哈利钦科，丹尼斯·肖明，马克·威尔考克森，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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