本发明专利技术提供一种自举驱动电路，包括图腾柱输出电路，还包括相连接的低压控制高压MOS管电路和开关信号电路，低压控制高压MOS管电路设置在自举驱动电路的输入端，开关信号电路与所述图腾柱输出电路连接。本发明专利技术充分利用现有分立元件降低电路成本，使电路的输入输出接口更容易与单片机MCU、TTL器件连接，且成本低廉。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率开关驱动或信号驱动领域，具体是一种自举驱动电路。
技术介绍
在自举驱动电路领域，业内普遍采用集成模块完成自举功能,但集成模块(例如IR21系列)价格高，存在不能与单片机MCU、TTL器件直接对接等缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术的缺陷与不足，提供一种自举驱动电路，充分利用现有分立元件降低电路成本，使电路的输入输出接口更容易与单片机MCU、TTL器件连接，且成本低廉。本专利技术的目的通过下述技术方案实现本自举驱动电路，包括图腾柱输出电路，还包括相连接的低压控制高压MOS管电路和开关信号电路，低压控制高压MOS管电路设置在自举驱动电路的输入端，开关信号电路与所述图腾柱输出电路连接。所述低压控制高压MOS管电路包括MOS管Q3，以及串联在MOS管Q3源极的限流电阻R6 ；M0S管Q3漏极与开关信号电路连接。所述MOS管Q3栅极还设有偏置电阻R3和R5，MOS管Q3栅极经偏置电阻R3与自举驱动电路的输入端连接，MOS管Q3栅极经偏置电阻R5接地。所述开关信号电路包括三极管Q I ;三极管Q I基极与MOS管Q3漏极连接，三极管Ql集电极与图腾柱输出电路连接。所述三极管Ql集电极与基极之间设有抗饱和二极管D2。本专利技术相对于现有技术具有如下的优点及效果本电路可做到耐压800V，0_99%的占空比，工作频率100K，驱动电流土500mA，上升沿延迟400nS，下降沿延迟200nS，符合工作在开关频率在O-IOOKHz开关电源、逆变电源、变频器等的悬浮驱动MOS管、IGBT管的要求。附图说明图I是本专利技术的电路图。具体实施例方式下面结合实施例及附图对本专利技术作进一步详细的描述，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例如图I所示，本专利技术自举驱动电路设有输入接口 input，包括低压控制高压MOS管电路、开关信号电路、图腾柱输出电路和设置在输出端的MOS管Q6。低压控制高压MOS管电路包括MOS管Q3，以及串联在MOS管Q3源极的限流电阻R6 ；M0S管Q3的栅极还设有偏置电阻R3和R5，栅极经偏置电阻R3与输入接口 input连接，经偏置电阻R5接地。开关信号电路包括三极管Q1，及连接在三极管Ql集电极与基极之间的二极管D2 ;三极管Ql的基极经电阻R2与MOS管Q3的漏极连接。三极管Ql的集电极作为开关信号电路的输出端，经电阻R7与图腾柱输出电路连接。三极管Q5、三极管Q2构成图腾柱输出电路，三极管Q5、三极管Q2的基极相连接，三极管Q5、三极管Q2的发射极相连接后与输出端的MOS管Q6连接。限流电阻R6的取值决定了三极管Ql导通时的基极电流，从而决定了本专利技术自举驱动电路的开通与关闭的速度，MOS管Q3的耐压决定了整个电路的耐压，二极管D2是三极管Ql集电极与基极的抗饱和二极管，二极管D2加速了三极管Ql在关闭时的速度。本电路工作原理如下脉冲驱动信号经电阻R3输入，当脉冲驱动信号跳变为高电平时，MOS管Q3导通。MOS管Q3导通后，经电阻R2对三极管Ql基极输出电流，电容Cl为三极管Ql基极供电，此时三极管Ql导通，电流经三极管Ql集电极和电阻R7到达三极管Q5、三极管Q2基极。此时三极管Q2、三极管Q5的输出为高电平。电容Cl作为自举电容，给三极管Q1、三极管Q2和三极管Q5供电，维持了 MOS管Q6导通供电的需求。当脉冲驱动信号跳变为低电平时，MOS管Q3截止，三极管Ql因基极无电流流过而关闭，此时三极管Ql集电极也没有电流流过，则三极管Q2、三极管Q5输出为低电平，MOS管Q6关闭。上述实施例为本专利技术较佳的实施方式，但本专利技术的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本专利技术的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.一种自举驱动电路，包括图腾柱输出电路，其特征在于，还包括相连接的低压控制高压MOS管电路和开关信号电路，低压控制高压MOS管电路设置在自举驱动电路的输入端，开关信号电路与所述图腾柱输出电路连接。2.根据权利要求I所述的自举驱动电路，其特征在于，所述低压控制高压MOS管电路包括MOS管Q3，以及串联在MOS管Q3源极的限流电阻R6 ；M0S管Q3漏极与开关信号电路连接。3.根据权利要求2所述的自举驱动电路，其特征在于，所述MOS管Q3栅极还设有偏置电阻R3和R5，M0S管Q3栅极经偏置电阻R3与自举驱动电路的输入端连接，MOS管Q3栅极经偏置电阻R5接地。4.根据权利要求I所述的自举驱动电路，其特征在于，所述开关信号电路包括三极管Ql ;三极管Ql基极与MOS管Q3漏极连接，三极管Ql集电极与图腾柱输出电路连接。5.根据权利要求4述的自举驱动电路，其特征在于，所述三极管Ql集电极与基极之间 设有抗饱和二极管D2。全文摘要本专利技术提供一种自举驱动电路，包括图腾柱输出电路，还包括相连接的低压控制高压MOS管电路和开关信号电路，低压控制高压MOS管电路设置在自举驱动电路的输入端，开关信号电路与所述图腾柱输出电路连接。本专利技术充分利用现有分立元件降低电路成本，使电路的输入输出接口更容易与单片机MCU、TTL器件连接，且成本低廉。文档编号H03K19/0185GK102751977SQ20121021716公开日2012年10月24日 申请日期2012年6月27日 优先权日2012年6月27日专利技术者咸立坤, 张世桐, 甘勇刚 申请人:惠州三华工业有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种自举驱动电路，包括图腾柱输出电路，其特征在于，还包括相连接的低压控制高压MOS管电路和开关信号电路，低压控制高压MOS管电路设置在自举驱动电路的输入端，开关信号电路与所述图腾柱输出电路连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：甘勇刚，张世桐，咸立坤，
申请(专利权)人：惠州三华工业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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