离子注入设备的监测方法技术

一种离子注入设备的监测方法，在离子注入工艺中，通过对产品晶圆上的管芯内焊盘区域进行热波数据测量，并将热波数据送入SPC设备进行处理，由于是对产品晶圆而不是对裸晶圆进行检测，所以本发明专利技术能够及时并且准确地监测离子注入设备的状态，进而能根据需要对离子注入设备进行随时的调控，使各批次晶圆的离子注入工艺结果稳定、一致。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制造方法，特别地，涉及一种半导体制造过程中对。
技术介绍
离子注入(implantation, IMP)是半导 体制造过程中的重要工艺步骤,而为了获得最佳工艺效果，对设备的状态进行监测(monitor)，并及时调控，这对于所有的离子注入设备(implantationtool)来说，都是必不可少的。目前，业界对于离子注入设备进行监测的常见方法是将裸晶圆(bare wafer)置于离子注入设备中，对其进行离子注入，接着，将离子注入后的裸晶圆移入快速热退火设备(RTA tool)，进行退火处理，最后，测量裸晶圆的电阻率(resistivity, Rs)或者热波(thermal wave,TW)。如果离子注入设备是稳定的,那么裸晶圆的电阻率或者热波也会得出稳定的测量数值。参见附图1，显示了常规方法的流程。裸晶圆100通过离子注入、快速热退火处理后，测量电阻率或者热波，将测得数值送入统计过程控制(Statistical Process Control, SPC)设备,从而实现对离子注入设备的监测与控制。但是，上述方法也存在一些问题。首先，不能及时地监测设备的状态，原因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子注入设备的监测方法，其特征在于，所述方法包括：提供多个产品晶圆，所述产品晶圆用于制造所需要的集成电路，每个所述产品晶圆均具有多个管芯；所述管芯包括焊盘区域，所述焊盘区域用于将所述管芯与外部电路电连接；将多个所述产品晶圆置于离子注入设备中，进行离子注入；在进行离子注入之后，对多个所述产品晶圆进行快速热退火处理；在快速热退火处理后，进行数据测量步骤；所述数据测量步骤包括：在进行快速热退火处理后，取出多个所述产品晶圆中的任意一个或多个，测量取出的所述产品晶圆的管芯内的所述焊盘区域的热波数据，接着，将所述热波数据送入统计过程控制设备，通过对所述热波数据的统计和分析，从而监测所述离子注入设备的状...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李春龙，李俊峰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：