一种PN结结深测算方法技术

本发明专利技术提供了一种PN结结深测算方法，该方法包括以下步骤：一种PN结结深测算方法，该方法包括以下步骤：a)测量阱区方阻；b)在阱区中形成结型场效应晶体管，改变栅极电压并测量源漏电阻；c)根据测得的方阻、源漏电阻以及所述结型场效应晶体管的相关工艺参数计算出PN结结深。与现有技术相比，采用本发明专利技术提供的技术方案通过电学测量对PN结结深予以测算，简单易行，可重复性好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及器件性能参数测算方法领域，尤其涉及一种PN结结深测算方法。
技术介绍
在用平面工艺制造晶体管和集成电路中，一般用扩散法制作PN结。其中PN结材料表面到PN结界面的距离就叫做PN结结深。由于基区宽度决定着晶体管放大倍数，特征频率等电参数，而集电结结深和发射结结深之差就是基区宽度，因此测量结深的方法就成为了半导体工艺当中重要的一项技术。测量结深的方法有磨角染色法和通过SEM (扫描电子显微镜)观察的办法等。 其中磨角染色法测量PN结结深，主要采用硫酸铜液染色法。由于Si的电化学势比Cu高，故Si能从染色液中把Cu置换出来，并在Si片表面形成红色铜镀层。又由于N型Si的电化学势比P型Si高，所以如果能恰当地掌握反应时机，就能够使N区镀上铜红色而P区没有，这样就把PN结明显地显示出来。磨角染色法具体步骤如下I.将硼再分布后的硅片用蜡粘在磨角器上固定。在毛玻璃上研磨出一个斜面来，表面要求光洁，无伤痕。然后取下硅片，在丙酮溶液中先超声清洗三次，然后在乙醇中超声清洗三次，最后用去离子水冲洗干净。2.将清洗好的硅片放入染色液中，正面向上，用灯光照射30秒左右，并注意观察，当发现N区染本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种PN结结深测算方法，该方法包括以下步骤：a)测量阱区方阻；b)在阱区中形成结型场效应晶体管，改变栅极电压并测量源漏电阻；c)根据测得的方阻、源漏电阻以及所述结型场效应晶体管的相关工艺参数计算出PN结结深。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卜建辉，毕津顺，罗家俊，韩郑生，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：