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本发明提供了一种PN结结深测算方法，该方法包括以下步骤：一种PN结结深测算方法，该方法包括以下步骤：a)测量阱区方阻；b)在阱区中形成结型场效应晶体管，改变栅极电压并测量源漏电阻；c)根据测得的方阻、源漏电阻以及所述结型场效应晶体管的相关工...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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