【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件测试装置，尤其涉及一种功率半导体器件寄生电容测试装置。
技术介绍
功率半导体器件由于受到材料及制造工艺的影响不可避免的在电极之间分布有寄生电容，如图Ia所示，这些寄生电容的存在会在很大程度上影响器件的动态特性。描述功率半导体器件的寄生电容，通常借助寄生电容交流等效模型，如图Ib所示，功率半导体器件内部的寄生电容一般包括输入电容Ciee, Ciee=Cgc+Cge ; 输出电容Coee, Coee=Cgc+Cce ；反向传输电容Cree, Cree=Cgc。随着功率半导体技术的发展，现代功率半导体器件的寄生电容通常很小，只有几十个nF甚至更低，为了准确地测量寄生电容，国际上颁布了许多针对寄生电容的测试标准，如IEC60747-8、IEC60747-9等标准中就规定了三种不同的测试电路分别用于输入电容、输出电容及反向传输电容的测试。目前测试功率半导体器件寄生电容所采用的方法是针对不同的被测寄生电容参数，分别搭建各自的测试电路，这类方法的缺点是，每当测试完成一个电容参数后，需要重新搭建测试电路才能进行下一个电容参数的测试，因此使得测试工作较...
【技术保护点】
一种功率半导体器件寄生电容测试装置，其特征在于，所述的测试装置包括切换开关(S1)、第一滤波电容(C1)、第二滤波电容（C2）、门射极电阻（R1）和滤波电感（L1）；第一滤波电容(C1)的一端与高端电流端子(Hc)和高端电压端子(Hp)相连，高端电流端子(Hc)和高端电压端子(Hp)短接；第一滤波电容（C1）的另一端与滤波电感（L1）、第二滤波电容（C2）及集电极端子（C）相连；第二滤波电容（C2）的一端与集电极端子（C）相连，第二滤波电容（C2）的另一端与切换开关（S1）的第一触点（11）相连；门射极电阻（R1）的一端与门极端子（G）相连，门射极电阻（R1）的另一端与发射...
【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件寄生电容测试装置，其特征在于，所述的测试装置包括切换开关(SI)、第一滤波电容(Cl)、第二滤波电容(C2)、门射极电阻(Rl)和滤波电感(LI);第一滤波电容(Cl)的一端与高端电流端子(He)和高端电压端子(Hp)相连，高端电流端子(He)和高端电压端子(Hp)短接；第一滤波电容(Cl)的另一端与滤波电感(LI)、第二滤波电容(C2)及集电极端子(C)相连；第二滤波电容(C2)的一端与集电极端子(C)相连，第二滤波电容(C2)的另一端与切换开关(SI)的第一触点(11)相连；门射极电阻(Rl)的一端与门极端子(G)相连，门射极电阻(Rl)的另一端与发射极端子(E)及切换开关(SI)的公共触点(14)相连，切换开关(SI)的公共触点(14)与发射极端子(E)短接；滤波电感(LI)的一端与电源正极端子(DC+)相连，滤波电感(LI)的另一端与集电极端子(C)相连；电源负极端子(DC-)与发射极端子(E)相连；切换开...
【专利技术属性】
技术研发人员：张瑾，仇志杰，温旭辉，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，
类型：发明
国别省市：
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