一种集成电路负电压电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种集成电路负电压电路，它包括振荡电路、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管；该振荡电路与固定输出电压连接，同时还与第一电容一端(CSUB2)连接，第一电容另一端(CSUB1)、第一二极管的正极与第二二极管的负极连接，第一二极管的负极接地，第二二极管的正极与第二电容一端(VSUB)连接，第二电容另一端接地。本实用新型专利技术结构简洁，成本低廉，适于在卫星电视高频头等设备中广泛使用。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种集成电路负电压电路。
技术介绍
目前存在的卫星电视高频头中广泛使用GaAs和HEMT FETs这两种放大管，一般其控制端需要加一个合适的负电压才能使放大管工作在较佳的区域。现有的卫星电视高频头集成电路中产生负电压的都是双极工艺来实现的，利用双极晶体管产生，在双极工艺中实现较多的逻辑功能所需使用的电路较为繁琐，同时也不利于成本的降低。本技术采用具有CMOS器件的集成电路制造工艺来实现该负电压
技术实现思路
本技术目的在于提出一种结构简洁，成本低廉的集成电路负电压电路。为实现上述目的，本技术提出如下技术方案一种集成电路负电压电路，所述集成电路负电压电路包括固定输出电压、振荡电路、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管；固定输出电压与振荡电路连接，振荡电路与第一电容一端连接，第一电容另一端、第一二极管的正极与第二二极管的负极连接，第一二极管的负极接地，第二二极管的正极与第二电容一端连接，第二电容另一端接地。优选的，所述集成电路负电压电路还包括一反向器，所述反向器分别与振荡电路和第一电容连接。尤为优选的，所述反向器包括第一 PMOS管和第一 NMOS管；第一 PMOS管的栅极和第一 NMOS管的栅极连接后与振荡电路连接，第一 PMOS管的漏极和第一 NMOS管的漏极连接后与第一电容一端连接，第一 PMOS管的源极和振荡电路连接，第一 NMOS管的源极接地。本技术工作原理为振荡电路产生频率较为固定的周期方波信号输到第一电容的一端，其中通过一个固定输出电压输入到振荡电路，使方波信号的高电平为一固定电压VH，低电平为地0V。在电路稳定工作时，由于电容两端电压不能突变，就同时在第一电容的另一端可以得到相应的方波，该方波高电平为第一二极管的正向导通压降，一般为一固定电压值，设为VDl，低电平为-(VH-VDl)，利用第二二极管的单向导电性就可以在第二电容一端得到一个负电压，第二电容可以稳定该负电压。设第二二极管的正向导通压降为VD2，该负电压大小可得-(VH-VDl-VD2)，其中固定输出电压为集成电路内部产生的一基准电压，只要调整VH大小就得到相应的负电压值。本技术的有益效果在于结构简洁，成本低廉。附图说明图I是实施列I中集成电路负电压电路的电路图。具体实施方式实施例I图I所示Ul为本技术所属的集成电路芯片，VREF是固定输出电压，OSC是振荡电路。固定输出电压VREF与振荡电路OSC连接，第一 PMOS管的栅极和第一 NMOS管的栅极连接后与振荡电路OSC连接，第一 PMOS管的漏极和第一 NMOS管的漏极连接后与第一电容的CSUB2端连接，第一 PMOS管的源极和振荡电路OSC连接，第一 NMOS管的源极接地，第一电容另一端CSUB1、第一二极管的正极与第二二极管的负极连接，第一二极管的负极接地，第二二极管的正极与第二电容一端VSUB连接，第二电容另一端接地。芯片Ul内部生成的固定输出电压VREF通过振荡OSC得到一固定电压VH，振荡OSC同时产生一周期性方波信号，通过第一 PMOS管及第一 NMOS管组成的反向器得到CSUB2端方波信号的高电平为一固定电压VH,低电平为地0V。在电路稳定工作时，由于电容两端电压不能突变，就同时在第一电容的另一端CSUBl可以得到相应的方波，该方波高电平为第一三极管的正向导通压降，设为VD1，低电平为-(VH-VDl)。利用第二二极管的单向导电性就可以在VSUB端得到一个负电压，第二电容可以稳定该负电压。设第二二极管的正向导通压降为VD2，该负电压大小可得-(VH-VDl-VD2)。其只要调整VH大小就得到相应的负电压。以上实施例仅用于说明本
技术实现思路
，除此之外，本技术还有其他方式，如，上述第一和第二二极管也可用MOS管来替代。但是，凡采用同等替换或等效变形方式形成的技术方案均落在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路负电压电路，其特征在于：所述集成电路负电压电路包括振荡电路、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管；该振荡电路与固定输出电压连接，同时还与第一电容一端(CSUB2)连接，第一电容另一端(CSUB1)、第一二极管的正极与第二二极管的负极连接，第一二极管的负极接地，第二二极管的正极与第二电容一端(VSUB)连接，第二电容另一端接地。

【技术特征摘要】
1.一种集成电路负电压电路，其特征在于所述集成电路负电压电路包括振荡电路、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管；该振荡电路与固定输出电压连接，同时还与第一电容一端(CSUB2)连接，第一电容另一端(CSUBl)、第一二极管的正极与第二二极管的负极连接，第一二极管的负极接地，第二二极管的正极与第二电容一端(VSUB)连接，第二电容另一端接地。2.根据权利要求I所述集成电路负电压电路，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：石万文，江石根，雷红军，
申请(专利权)人：苏州华芯微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：