一种高精度DC/DC转换器限流电路制造技术

本发明专利技术特别涉及一种高精度DC/DC转换器限流电路，其特征在于，包括EA误差放大器和电流限制补偿电路，所述电流限制补偿电路包括比较器和限流电路。本发明专利技术通过全新的补偿电路补偿系统占空比变化导致的电流限制漂移，从而实现高精度的电流限制，改善了系统的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种高精度DC/DC转换器限流电路
本专利技术属于电学领域，特别涉及一种高精度DC/DC转换器限流电路。
技术介绍
近年来直流储能便携式电子设备迅猛发展，DC/DC类电源管理产品需求日趋扩大，随着便携式电子设备功能的日益强大，DC/DC集成电源管理系统的性能要求日益提高。传统DC/DC转换器的电流限制精度较差，随着转换系统占空比的变化而变化，从而影响了系统内部的峰值电流精度，进而影响了电源系统运行的可靠性，甚至影响整个设备的正常工作。
技术实现思路
本专利技术的目地是提供一种高精度DC/DC转换器限流电路，实现电流限制与系统工作占空比无关，确保系统安全稳定的工作。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为：一种高精度DC/DC转换器限流电路，其特征在于，包括EA误差放大器和电流限制补偿电路。所述EA误差放大器为共源共栅单级放大器，包括七个P型MOS管和四个N型MOS管，其连接方式为：第一P型MOS管MP1的漏极、第二P型MOS管MP2的源极与第三P型MOS管MP3的源极连接；第二P型MOS管MP2的栅极与该误差放大器的同向输入端连接；第三P型MOS管MP3的栅极与该误差放大器的反向输入端连接；第二P型MOS管MP2的漏极、第三N型MOS管MN3的源极与第一N型MOS管MN1的漏极连接；第三P型MOS管MP3的漏极、第四N型MOS管MN4的源极与第二N型MOS管MN2的漏极连接；第四P型MOS管MP4的栅极、第五P型MOS管MP5的栅极、第六P型MOS管MP6的漏极与第三N型MOS管MN3的漏极连接；第四P型MOS管MP4的漏极与第六P型MOS管MP6的源极连接；第五P型MOS管MP5的漏极与第七P型MOS管MP7的源极连接；第七P型MOS管MP7的漏极、第四N型MOS管MN4的漏极与该误差放大器的输出端口Vout连接；第一P型MOS管MP1的栅极与偏置电压Vpb1连接；第六P型MOS管MP6的栅极、第七P型MOS管MP7的栅极与偏置电压Vpb2连接；第一N型MOS管MN1的栅极、第二N型MOS管MN2的栅极与偏置电压Vnb1连接；第三N型MOS管MN3的栅极、第四N型MOS管MN4的栅极与偏置电压Vnb2连接，第一P型MOS管MP1的源极、第四P型MOS管MP4的源极、第五P型MOS管MP5的源极与电源VDD连接，第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的源极与地GND连接。所述电流限制补偿电路包括比较器和限流电路。所述比较器包括一个电流漏，五个P型MOS管和三个N型MOS管，其连接方式为：第零P型MOS管MP0的漏极、第零P型MOS管MP0的栅极、电流源I的输入端、第四P型MOS管MP4的栅极与第一P型MOS管MP1的栅极连接；第一P型MOS管MP1的漏极、第二P型MOS管MP2的源极与第三P型MOS管MP3的源极连接；该比较器的同向输入端口VP与第三P型MOS管MP3的栅极连接；该比较器的反向输入端口VN与第二P型MOS管MP2的栅极连接；第二P型MOS管MP2的漏极、第零N型MOS管MN0的栅极、第零N型MOS管MN0的漏极与第一N型MOS管MN1的栅极连接；第三P型MOS管MP3的漏极、第一N型MOS管MN1的漏极与第二N型MOS管MN2的栅极连接；第四P型MOS管MP4的漏极、第二N型MOS管MN2的漏极与运放的输出端Vout连接，第零P型MOS管MP0的源极、第一P型MOS管MP1的源极、第四P型MOS管MP4的源极与电源VDD连接，第零N型MOS管MN0的源极、第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的源极、电流源I的流出端与地GND连接。所述限流电路的连接方式为：第一运算放大器VO1的同相输入端与端口Vin连接；第二运算放大器VO2的同相输入端与端口Vo连接；第一运算放大器VO1的输出端与第零N型MOS管MN0的栅极连接；第二运算放大器VO2的输出端与第五N型MOS管MN5的栅极连接；第一运算放大器VO1的反相输入端、第零N型MOS管MN0的源极与电阻R1的一端连接；第二运算放大器VO2的反相输入端、第五N型MOS管MN5的源极与电阻R2的一端连接；第一P型MOS管MP1的漏极、第一P型MOS管MP1的栅极、第零N型MOS管MN0的漏极与第二P型MOS管MP2的栅极连接；第四P型MOS管MP4的漏极、第四P型MOS管MP4的栅极、第五N型MOS管MN5的漏极与第三P型MOS管MP3的栅极连接；第二P型MOS管MP2的漏极、第二N型MOS管MN2的漏极、第二N型MOS管MN2的栅极、第一N型MOS管MN1的栅极与第三N型MOS管MN3的漏极连接；第三P型MOS管MP3的漏极、第四N型MOS管MN4的漏极、第四N型MOS管MN4的栅极与第三N型MOS管MN3的栅极连接；电阻R3的一端与第一N型MOS管MN1的漏极连接；第一P型MOS管MP1的源极、第二P型MOS管MP2的源极、第三P型MOS管MP3的源极、第四P型MOS管MP4的源极、电阻R3的另一端与电源VDD连接，电阻R1的另一端、第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的源极、第三N型MOS管MN3的源极、第四N型MOS管MN4的源极、电阻R2的另一端与地GND连接。本专利技术提供一种高精度DC/DC转换器限流电路，它通过全新的补偿电路补偿系统占空比变化导致的电流限制漂移，从而实现高精度的电流限制，改善了系统的性能。附图说明图1为本专利技术EA误差放大器电路结构图。图2为本专利技术比较器电路结构图。图3为本专利技术限流电路结构图。图4为本专利技术限制电压电路结构图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术做进一步说明。本实施例描述了一种高精度DC/DC转换器限流电路，包括EA误差放大器和电流限制补偿电路。如图1所示，所述EA误差放大器为共源共栅单级放大器，包括七个P型MOS管和四个N型MOS管，其连接方式为：第一P型MOS管MP1的漏极、第二P型MOS管MP2的源极与第三P型MOS管MP3的源极连接；第二P型MOS管MP2的栅极与该误差放大器的同向输入端连接；第三P型MOS管MP3的栅极与该误差放大器的反向输入端连接；第二P型MOS管MP2的漏极、第三N型MOS管MN3的源极与第一N型MOS管MN1的漏极连接；第三P型MOS管MP3的漏极、第四N型MOS管MN4的源极与第二N型MOS管MN2的漏极连接；第四P型MOS管MP4的栅极、第五P型MOS管MP5的栅极、第六P型MOS管MP6的漏极与第三N型MOS管MN3的漏极连接；第四P型MOS管MP4的漏极与第六P型MOS管MP6的源极连接；第五P型MOS管MP5的漏极与第七P型MOS管MP7的源极连接；第七P型MOS管MP7的漏极、第四N型MOS管MN4的漏极与该误差放大器的输出端口Vout连接；第一P型MOS管MP1的栅极与偏置电压Vpb1连接；第六P型MOS管MP6的栅极、第七P型MOS管MP7的栅极与偏置电压Vpb2连接；第一N型MOS管MN1的栅极、第二N型MOS管MN2的栅极与偏置电压Vnb1连接；第三N型MOS管MN3的栅极、第四N型MOS管MN4的栅极与偏置电压Vnb2连接，第一P型MOS管MP1的源极、第四P型MOS管MP4的源极、第五P型MOS管MP本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高精度DC/DC转换器限流电路，其特征在于：包括EA误差放大器和电流限制补偿电路，电流限制补偿电路包括比较器和限流电路，其中限流电路的连接方式为：第一运算放大器VO1的同相输入端与端口Vin连接；第二运算放大器VO2的同相输入端与端口Vo连接；第一运算放大器VO1的输出端与第零N型MOS管MN0的栅极连接；第二运算放大器VO2的输出端与第五N型MOS管MN5的栅极连接；第一运算放大器VO1的反相输入端、第零N型MOS管MN0的源极与电阻R1的一端连接；第二运算放大器VO2的反相输入端、第五N型MOS管MN5的源极与电阻R2的一端连接；第一P型MOS管MP1的漏极、第一P型MOS管MP1的栅极、第零N型MOS管MN0的漏极与第二P型MOS管MP2的栅极连接；第四P型MOS管MP4的漏极、第四P型MOS管MP4的栅极、第五N型MOS管MN5的漏极与第三P型MOS管MP3的栅极连接；第二P型MOS管MP2的漏极、第二N型MOS管MN2的漏极、第二N型MOS管MN2的栅极、第一N型MOS管MN1的栅极与第三N型MOS管MN3的漏极连接；第三P型MOS管MP3的漏极、第四N型MOS管MN4的漏极、第四N型MOS管MN4的栅极与第三N型MOS管MN3的栅极连接；电阻R3的一端与第一N型MOS管MN1的漏极连接；第一P型MOS管MP1的源极、第二P型MOS管MP2的源极、第三P型MOS管MP3的源极、第四P型MOS管MP4的源极、电阻R3的另一端与电源VDD连接，电阻R1的另一端、第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的源极、第三N型MOS管MN3的源极、第四N型MOS管MN4的源极、电阻R2的另一端与地GND连接；所述EA误差放大器为共源共栅单级放大器，包括七个P型MOS管和四个N型MOS管，其连接方式为：第一P型MOS管MP1的漏极、第二P型MOS管MP2的源极与第三P型MOS管MP3的源极连接；第二P型MOS管MP2的栅极与该误差放大器的同向输入端连接；第三P型MOS管MP3的栅极与该误差放大器的反向输入端连接；第二P型MOS管MP2的漏极、第三N型MOS管MN3的源极与第一N型MOS管MN1的漏极连接；第三P型MOS管MP3的漏极、第四N型MOS管MN4的...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁小云，王晓飞，孙权，
申请(专利权)人：西安航天民芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：