【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到一种半导体中的导线架。
技术介绍
目前所使用的半导体中导线架的剖面图如图3所示，其包括基材层I和设置在基材层I上方是银层2。目前所使用的半导体中导线架的银层2厚度为0. 003 0. 008mm间才能达到行业标准一晶片推力达到210g和金线拉力达到6g。从而导致银的使用量很大，成本较高
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种能减少银的使用量并且同样能达到行业标准的半导体中的导线架。为解决上述问题，本专利技术采用的技术方案是半导体中的导线架，包括基材层和设置在基材层上方是银层，基材层的材料为铁镍合金、铜、铁中任选其一，所述的基材层和银层外部包覆有高分子纳米保护膜。本专利技术的有益效果是上述的半导体中的导线架，其银层厚度只需0.0015 0. 003mm,从而能节约大约40%的银的使用量。经检测，上述的半导体中导线架，其晶片推力达到260g、金线拉力达到9. 6g，远远超出了行业标准，其性能更加优越。另外，上述的半导体中的导线架的银表面抗硫化能力和抗盐雾能力均得到明显增强和提升，具体表现为目前所使用的半导体中导线架的银层表面在测试环境中，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.半导体中的导线架，包括基材层和设置在基材层上方是银层，基材层的材料为铁镍合...
【专利技术属性】
技术研发人员：倪兵，
申请(专利权)人：顺德工业江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：
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