一种光电耦合器引线框架及光电耦合器制造技术

本发明专利技术涉及一种光电耦合器引线框架及光电耦合器，该引线框架包括有多个矩阵排列的引线框架单元，每个引线框架单元包括分别用于安装红外光发射芯片和红外光接收芯片的可折弯相对的第一芯片粘结部和第二芯片粘结部，以及第一固晶焊线部和第二固晶焊线部，且第一芯片粘结部和第一固晶焊线部分别与正极引脚和负极引脚连接，第二芯片粘结部和第二固晶焊线部分别与集电极引脚和发射极引脚连接。这样，在采用本单片引线框架加工成光电耦合器过程中，固晶时可同时用一台设备完成红外光发射芯片和红外光接收芯片的粘结，生产效率高，节省能耗，减少引线框架材料，无需对引线框架对位、定位，工艺难度明显降低，光电耦合器的结构更简单，生产成本更低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电耦合器
，涉及一种光电耦合器弓I线框架及光电耦合器。
技术介绍
光电耦合器是一种把红外光发射器件和红外光接受器件以及信号处理电路等封装在同一管壳内的器件。当输入电信号加到输入端发光器件LED上,LED发光,光接收器件、接收光信号并转换成电信号，然后将电信号直接输出，或者将电信号放大处理成标准数字电平输出，这样就实现了“电一光一电”的转换及传输，光是传输的媒介，因而输入端与输出端在电气上是绝缘的，也称为电隔离。光耦的生产工艺现采用70年代国际通用工艺，(固晶一烧结一焊线一A芯片点硅胶一娃胶固化一A/B支架叠合一I号模封装一去I号模残胶一2号模封装一去2号模残胶—电镀一成型一高压测试一电性分BIN—打印一外观检查)。如图I和图2，现有的光电耦合器的引线框架都是由A引线框架和B引线框架叠合而成，其核心技术受控于国外，生产过程中需将A芯片(GaAs LED Chip)和B芯片(Photo Transistor chip)分别对应粘结于A引线框架和B引线框架设有的A芯片粘结部11’和B芯片粘结部12’上，且必须准确对A芯片粘结部11’和B芯片粘结部12’对准、定位，保本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电耦合器引线框架，其特征在于包括有多个矩阵排列的引线框架单元(1)，每个所述弓I线框架单元(I)包括分别用于安装红外光发射芯片和红外光接收芯片的可折弯相对的第一芯片粘结部(11)和第二芯片粘结部(12)，以及第一固晶焊线部(13)和第二固晶焊线部(14)，且所述第一芯片粘结部(11)和第一固晶焊线部(13)分别与正极引脚(15)和负极引脚(16)连接，所述第二芯片粘结部(12)和第二固晶焊线部(14)分别与集电极引脚(17)和发射极引脚(18)连接。2.根据权利要求I所述的光电耦合器引线框架，其特征在于所述引线框架由金属带材经冲制和电镀制作而成。3.一种光电耦合器，其特征在于包括有封装一体的上述权利要求I或2所述的光电耦合器引线框架的引线框架单元(I)、红外光发射芯片(2)和红外光接收芯片(3)，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄伟鹏，
申请(专利权)人：黄伟鹏，
类型：发明
国别省市：