具有改良的侧面屏蔽件的写入头制造技术

一种写入头，所述写入头具有空气轴承表面，所述写入头包括：磁性写入极，其中，在空气轴承表面处，写入极具有后表面、与后表面相反的前表面、以及第一和第二表面；后屏蔽件，靠近磁性写入极的后表面；第一和第二间隙，靠近磁性写入极的第一和第二表面；第一和第二侧面屏蔽件，靠近第一和第二间隙，第一和第二侧面屏蔽件中的每一个具有后屏蔽表面；以及第一和第二反铁磁性耦合层，位于第一和第二侧面屏蔽件的后屏蔽表面与后屏蔽件之间。

【技术实现步骤摘要】
具有改良的侧面屏蔽件的写入头
本专利技术一般涉及写入头，更具体地讲，涉及至少包括侧面屏蔽件的写入头。
技术介绍
在写入头中使用侧面屏蔽件，可以影响跨轨道梯度，因此可以影响面密度。然而，侧面屏蔽件的使用可能导致侧面轨道消磁(STE)。许多现象都可能导致STE，其中包括磁通量通过张角而泄漏到侧面屏蔽件中和介质中。附图说明图1A是根据一实施例的写入头的示意图，该示意图是从空气轴承表面(ABS)示出的；图2A-2D是在静止情况下(图2B)和消磁事件期间(图2D)都不包括反铁磁性耦合层的写入头的极性的示意图(图2A)以及根据一实施例包括了反铁磁性耦合层的写入头的极性的示意图(图2C)；图3是根据一实施例包括分层结构的写入头的示意图，该示意图是从ABS示出的且示出了极性；图4A和4B是根据一实施例具有凹陷的侧面屏蔽件的写入头的示意图(图4A)以及根据一实施例具有在侧面屏蔽件中的不同的磁性部分的写入头的示意图(图4B)；以及图5是示出了根据实施例的写入头以及比较性的写入头的“改良的峰值场”对“跨轨道坐标”的图。这些附图不一定按比例示出。附图中所使用的相同数字表示相同组件。然而，应当理解，在给定附图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.28 US 13/072,8901.一种写入头，所述写入头具有空气轴承表面，所述写入头包括：磁性写入极，其中，在空气轴承表面处，写入极具有后表面、与后表面相反的前表面、以及第一和第二表面；后屏蔽件，靠近磁性写入极的后表面，所述后屏蔽件由磁性材料制成；第一和第二间隙，靠近磁性写入极的第一和第二表面；第一和第二侧面屏蔽件，靠近第一和第二间隙，第一和第二侧面屏蔽件中的每一个具有后屏蔽表面，所述第一和第二侧面屏蔽件由磁性材料制成；以及第一和第二反铁磁性耦合层，位于第一和第二侧面屏蔽件的后屏蔽表面与后屏蔽件之间。2.如权利要求1所述的写入头，其特征在于，所述第一和第二反铁磁性耦合层包括Ru、Cr、Pd、Cu、Au、Ag或Mo。3.如权利要求1所述的写入头，其特征在于，所述第一和第二反铁磁性耦合层包括Ru。4.如权利要求1所述的写入头，其特征在于，所述第一和第二反铁磁性耦合...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·班纳可利，K·A·瑞弗钦，J·G·韦塞尔，D·韩，H·殷，S·弗兰岑，J·薛，
申请(专利权)人：希捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：